System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种中高频低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法技术_技高网
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一种中高频低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法技术

技术编号:44148493 阅读:1 留言:0更新日期:2025-01-29 10:22
本发明专利技术涉及一种中高频低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法。是将MnZn铁氧体颗粒或改性MnZn铁氧体颗粒在300~500MPa下压制成磁环,然后对磁环进行多段分区间烧结,烧结完成后冷却,得到中高频低损耗MnZn铁氧体材料。本发明专利技术提供的制备方法对MnZn铁氧体颗粒或改性MnZn铁氧体颗所压制的磁环进行了多段分区间烧结,通过控制烧结工艺的升温速率、升温环境、保温温度、保温时间、烧结温度和烧结环境,使得MnZn铁氧体材料的晶粒尺寸,由于晶粒尺寸的减小,涡流损耗和剩余损耗都受到限制,使得本发明专利技术制备的中高频低损耗MnZn铁氧体材料的兼顾了中高频和低损耗的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种中高频低损耗mnzn铁氧体材料及其制备方法,属于磁性材料制备。


技术介绍

1、随着5g通信技术和第3代宽禁带半导体广泛应用,功率电子器件(如开关电源变压器、逆变器、ac-dc转换器等)朝着小型化、高效化和高频化的方向快速发展。mnzn铁氧体作为功率电子器件的主要组成材料,随着技术的发展,材料在中高频的表现得到广泛关注。通常,当工作频率上升至500khz甚至1mhz时,mnzn功率铁氧体的功率损耗会急剧上升,这会导致电子元件的发热及效率的降低,甚至使得器件无法在中高频条件下正常工作,从而制约高频功率器件的发展。因此,开发在中高频下工作的低损耗mnzn功率铁氧体至关重要。一般来说,mnzn功率铁氧体需要经过高温长时间的烧结才能表现出良好的性能,但高温长时间烧结会使mnzn铁氧体晶粒长大,在中高频段涡流损耗和剩余损耗变高从而使得总损耗升高。且高温长时间的烧结能耗高、成本高,因此,急需设计出一种新的烧结制备工艺以得到能在中高频段下应用的mnzn功率铁氧体。

2、中国专利文献cn116813320a公开了一种用于mhz频率的mnzn铁氧体材料的烧结制备方法,该材料在在1mhz、30mt条件下,于25℃~140℃的温度范围内,损耗为385~664kw/m3。该专利所得材料1mhz的损耗仍然较高,且没有说明其烧结工艺得到的mnzn铁氧体材料是否可以应用在除1mhz以外的频段。

3、因此,研发一种合适的烧结工艺,制备在中高频段更低损耗的mnzn功率铁氧体材料,对mnzn功率铁氧体材料的应用具有重大意义。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种中高频低损耗mnzn铁氧体材料及其制备方法。

2、本专利技术的技术方案如下:

3、一种中高频低损耗mnzn铁氧体材料的制备方法,包括步骤如下:

4、将mnzn铁氧体颗粒或改性mnzn铁氧体颗粒在300~500mpa下压制成磁环,然后对磁环进行多段分区间烧结,烧结完成后冷却,得到中高频低损耗mnzn铁氧体材料;

5、其中,所述多段分区间烧结为:将磁环置于烧结设备中,在1.5~2℃/min的速率下升温至350~450℃,于空气气氛、350~450℃下保温25~35min,在1.5~2℃/min的速率下继续升温至650~750℃后抽真空;然后在2~4℃/min的速率下升温至980~1120℃,于真空、980~1120℃下保温25~35min;接着在2~3℃/min的速率下升温至1150~1250℃,在达到1150~1250℃前10min时通入氮氧混合气,于氮氧混合气、1150~1250℃下保温25~35min。

6、根据本专利技术优选的,所述mnzn铁氧体颗粒为现有材料,可按照已公开方法制备或通过市售获得。

7、根据本专利技术优选的,所述改性mnzn铁氧体颗粒按照如下方法制备:

8、将mnzn铁氧体颗粒和的catio3粉末加入至乙醇中,将盛有粉料和乙醇的容器放入水浴坩埚,在50℃水浴、转速为300r/min条件下,使用电子搅拌棒搅拌2h,乙醇基本挥发完全,将搅拌好的粉料置于80℃烘箱中干燥45~75min,直至乙醇完全挥发,冷却至室温,得到改性mnzn铁氧体颗粒。

9、进一步优选的,所述mnzn铁氧体颗粒和catio3粉末的质量比为1000:(0.4~1.2);所述mnzn铁氧体颗粒和乙醇的质量体积比为65:(80~120),单位:g/ml。

10、根据本专利技术优选的,所述多段分区间烧结为:将磁环置于烧结设备中,在2℃/min的速率下升温至400℃,于空气气氛、400℃下保温30min,在2℃/min的速率下继续升温至700℃后抽真空;然后在3℃/min的速率下升温至1100℃,于真空、1100℃下保温30min;接着在3℃/min的速率下升温至1150℃,在达到1150℃前10min时通入氮氧混合气,于氮氧混合气、1150℃下保温30min。

11、进一步优选的,所述氮氧混合气中氧气占比为3.5%。

12、根据本专利技术优选的,所述冷却为:在0.5~1.5℃/min的速率下降温至1100℃,然后在4~6℃/min的速率下继续降温至1000℃,最后自然降温至200℃,同时冷却过程中向烧结设备内充入流动氮气直至冷却完成。

13、本专利技术还提供了上述方法制备得到的中高频低损耗mnzn铁氧体材料。

14、本专利技术未详细说明的均可按照现有技术进行。

15、本专利技术技术特点和有益效果:

16、1、本专利技术提供的制备方法对mnzn铁氧体颗粒或改性mnzn铁氧体颗粒所压制的磁环进行了多段分区间烧结,通过控制烧结工艺的升温速率、升温环境、保温温度、保温时间、烧结温度和烧结环境,使得mnzn铁氧体材料的晶粒尺寸发生变化,由于晶粒尺寸的减小,涡流损耗和剩余损耗都受到限制,既有效提高了mnzn铁氧体材料的使用性能,又解决了生产mnzn铁氧体材料过程中能耗高、常规mnzn铁氧体材料在中高频损耗高的问题,使得本专利技术制备的中高频低损耗mnzn铁氧体材料的兼顾了中高频和低损耗的特性,同时为工业生产提供一种新思路。

17、2、本专利技术提供的中高频低损耗mnzn铁氧体材料在500khz、50mt和1mhz、30mt条件下损耗分别为118mw·cm-3和122mw·cm-3,可用于中高频段的应用领域。特别是以改性mnzn铁氧体颗粒为原料制备的高频低损耗mnzn铁氧体材料,在500khz、50mt和1mhz、30mt条件下损耗仅仅为90mw·cm-3和94mw·cm-3,极大地降低了mnzn铁氧体材料的使用损耗。

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【技术保护点】

1.一种中高频低损耗MnZn铁氧体材料的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述改性MnZn铁氧体颗粒按照如下方法制备:

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述MnZn铁氧体颗粒和CaTiO3粉末的质量比为1000:(0.4~1.2);所述MnZn铁氧体颗粒和乙醇的质量体积比为65:(80~120),单位:g/mL。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述多段分区间烧结为:将磁环置于烧结设备中,在2℃/min的速率下升温至400℃,于空气气氛、400℃下保温30min,在2℃/min的速率下继续升温至700℃后抽真空;然后在3℃/min的速率下升温至1100℃,于真空、1100℃下保温30min;接着在3℃/min的速率下升温至1150℃,在达到1150℃前10min时通入氮氧混合气,于氮氧混合气、1150℃下保温30min。

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述氮氧混合气中氧气占比为3.5%。

6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述冷却为:在0.5~1.5℃/min的速率下降温至1100℃,然后在4~6℃/min的速率下继续降温至1000℃,最后自然降温至200℃,同时冷却过程中向烧结设备内充入流动氮气直至冷却完成。

7.一种中高频低损耗MnZn铁氧体材料,其特征在于,按照权利要求1~6任一项所述制备方法制备得到。

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【技术特征摘要】

1.一种中高频低损耗mnzn铁氧体材料的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述改性mnzn铁氧体颗粒按照如下方法制备:

3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述mnzn铁氧体颗粒和catio3粉末的质量比为1000:(0.4~1.2);所述mnzn铁氧体颗粒和乙醇的质量体积比为65:(80~120),单位:g/ml。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述多段分区间烧结为:将磁环置于烧结设备中,在2℃/min的速率下升温至400℃,于空气气氛、400℃下保温30min,在2℃/min的速率下继续升温至700℃后抽真空;然后在3℃/min的速...

【专利技术属性】
技术研发人员:王丽李萌芮孙书宇王明旭史贵丙陈现萌
申请(专利权)人:山东大学
类型:发明
国别省市:

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