嵌入式半导体封装结构制造技术

一种嵌入式半导体封装结构，其包括一底座、一芯片、一第一导电互连层以及一第一介电层。底座具有层叠的一第一金属层及一绝缘型石墨烯层。芯片设置于该底座的该第一金属层上。第一导电互连层设置于该第一金属层及该芯片上。第一介电层覆盖于该底座的该第一金属层上并且包覆该芯片以及该第一导电互连层。其中部分的该第一导电互连层的一上表面暴露于该第一介电层。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体封装，特别涉及一种嵌入式半导体封装结构。

技术介绍

1、科技带来生活的便利，其中半导体技术不仅是重要基础科技，亦为现代社会的骨干，每项科技产业的发展都脱离不了半导体芯片的使用，包括电脑、行动通讯、交通工具、工业设备等领域。

2、在高功率元件或设备的应用领域，由于需要快速散热方案的需求，因此经常会使用金属材料，例如铜或铝，作为功率芯片的底座，另一方面可作为导热媒介。然而在此一结构下，作为功率芯片的底座并无绝缘层，在制造或运送过程中容易因为沾附异物，导致与周遭的导电线路或元件桥接短路因而有电性失效的风险，缘此必须仰赖更高规格的防尘与清洁机制以降低沾附异物的情况，然此举也将导致成本大幅提高。

3、因此，如何提供一种嵌入式半导体封装结构，以避免上述问题的发生，实属当前重要课题之一。

技术实现思路

1、本技术的一目的，是提供一种嵌入式半导体封装结构，其能够增加其中芯片模组的绝缘能力，降低受到异物沾附所造成的桥接短路而电性失效的风险。

2、为达上述目的，本技术提供一种嵌入式半导体封装结构，其包括一底座、一芯片、一第一导电互连层以及一第一介电层。该底座具有层叠的一第一金属层及一绝缘型石墨烯层。该芯片设置并结合于该底座的该第一金属层上。该第一导电互连层设置于该第一金属层及该芯片上。该第一介电层覆盖于该底座的该第一金属层上并且包覆该芯片以及该第一导电互连层。其中部分的该第一导电互连层的一上表面暴露于该第一介电层。

3、于一实施例中，该底座更具有一第二金属层，而该绝缘型石墨烯层夹设于该第一金属层与该第二金属层之间。

4、于一实施例中，该第一导电互连层具有至少一第一导电柱及至少一第二导电柱，该第一导电柱设置于该底座的该第一金属层上，该第二导电柱设置于该芯片的一电极上。

5、于一实施例中，嵌入式半导体封装结构更包括一第二导电互连层以及一第二介电层。该第二导电互连层设置于该第一介电层，并电性连接暴露于该第一介电层的部分的该第一导电互连层上。该第二介电层覆盖于该第一介电层及该第二导电互连层上，并暴露部分的该第一导电互连层的一上表面。

6、于一实施例中，该第二导电互连层包括一图案化导电线路及/或至少一电性连接垫。

7、于一实施例中，该芯片为一功率芯片。

8、于一实施例中，嵌入式半导体封装结构能满足于400伏特(v)或100千瓦(kw)以上的电气环境。

9、承上所述，本技术的嵌入式半导体封装结构为在底座加入绝缘型石墨烯层作为绝缘以及散热的用途，其与底座的金属层层叠设置，借以增加嵌入式半导体封装结构的绝缘能力，以避免在制造过程或运送过程因为异物的沾附，导致与周遭的导电线路或元件桥接短路因而造成电性失效。

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【技术保护点】

1.一种嵌入式半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的嵌入式半导体封装结构，其特征在于，该底座更具有一第二金属层，该绝缘型石墨烯层夹设于该第一金属层与该第二金属层之间。

3.如权利要求1所述的嵌入式半导体封装结构，其特征在于，该第一导电互连层具有至少一第一导电柱及至少一第二导电柱，该至少一第一导电柱设置于该底座的该第一金属层上，该至少一第二导电柱设置于该芯片的一电极上。

4.如权利要求1所述的嵌入式半导体封装结构，其特征在于，所述嵌入式半导体封装结构更包括：

5.如权利要求4所述的嵌入式半导体封装结构，其特征在于，该第二导电互连层包括一图案化导电线路及/或至少一电性连接垫。

6.如权利要求1所述的嵌入式半导体封装结构，其特征在于，该芯片为一功率芯片。

【技术特征摘要】

1.一种嵌入式半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的嵌入式半导体封装结构，其特征在于，该底座更具有一第二金属层，该绝缘型石墨烯层夹设于该第一金属层与该第二金属层之间。

3.如权利要求1所述的嵌入式半导体封装结构，其特征在于，该第一导电互连层具有至少一第一导电柱及至少一第二导电柱，该至少一第一导电柱设置于该底座的该第一金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：许哲玮，许诗滨，胡竹青，
申请(专利权)人：恒劲科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：