【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于对支撑表面的选择性表面处理的系统、设备和方法。特别地，本专利技术涉及一种用于对被布置成支撑物体的表面上的一个或更多个突节进行选择性处理的系统。
技术介绍
1、光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路（ic）的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置（例如，掩模）的图案（也经常被称为“设计布局”或“设计”）投影到被设置在衬底（例如，晶片）上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。
2、随着半导体制造过程持续进步，几十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件（诸如晶体管）的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律（moore’s law）”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm（i线）、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外（euv）辐射（具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm）的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。
3、在光刻设备中，当从图案形成装置转移图案时，衬底被夹持到衬底支撑件上。衬底支撑件通常具有支撑衬底的多个突节。与衬底的总面积相比，接触衬底的突节的总面积较小。因此，在突节与衬底之间捕获随机地位于衬底或衬底支撑件的表面上的污染物粒子的可能性较小。此外，在衬底支撑件的
4、另外，图案形成装置可以被夹持到掩模支撑件，所述掩模支撑件在其夹持表面处包括多个突节。
5、突节顶表面的制造公差、污染和/或磨损可能导致突节高度不准确。突节的高度的任何不准确性可能导致被夹持到所述支撑件（例如，衬底支撑件或掩模支撑件）的物体（例如，衬底或图案形成装置）的不期望的局部变形。这种局部变形可能是ic制造不准确的原因。因此，通常需要提供一种适于改善支撑表面的表面特性的系统和方法。
技术实现思路
1、根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于在表面处理过程中使用的屏蔽系统。所述屏蔽系统包括：主体，用于在表面处理过程期间屏蔽所述表面的第一区域免受环境（例如等离子体）的影响；和开口，所述开口穿过所述系统的所述主体，以用于在所述表面处理过程期间暴露所述表面的第二区域。所述屏蔽系统可以被称为等离子体屏蔽系统。
2、根据本专利技术的第二方面，提供了一种屏蔽系统，包括第一圆盘和第二圆盘。所述第一圆盘和第二圆盘被布置成以公共旋转轴线彼此平行。所述第一圆盘包括狭缝形开口，并且所述第二圆盘包括多个开口。所述第一圆盘和第二圆盘被布置成围绕所述公共轴线相对于彼此移动，由此所述狭缝可以被定位在所述多个开口中的一个或更多个开口处。
3、当被提供在被配置成在物体的表面上执行表面处理过程的系统中时，所述屏蔽系统被布置在辐射源（例如，等离子体辐射源）与所述物体的表面之间，用于所述等离子体的良好限定的通路可以被限定以供处理在所述表面处的选定区域并且屏蔽所述表面的其余部分。
4、根据本专利技术的第三方面，提供了一种被配置成在表面的一部分上执行等离子体处理过程的系统，所述系统包括：等离子体源，所述等离子体源被配置成产生等离子体环境（例如等离子体环境）；和根据第一方面和/或第二方面的布置。
5、根据本专利技术的第四方面，提供了一种在表面的一部分上执行等离子体处理过程的方法。所述方法包括：使用根据第一方面和/或第二方面的等离子体屏蔽系统，屏蔽所述表面的第一区域免受等离子体环境的影响，和将所述表面的第二区域暴露于所述等离子体环境。
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1.一种用于在物体的表面处理过程中使用的屏蔽系统，包括第一圆盘和第二圆盘；
2.根据权利要求1所述的屏蔽系统，其中，所述通路被配置成仅暴露经受所述表面处理的所述物体的表面上所包括的多个突节中的一个突节。
3.根据权利要求1或2所述的屏蔽系统，其中，所述多个开口沿一个或更多个螺旋布置被布置在所述第二圆盘处。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的屏蔽系统，其中，所述屏蔽系统被布置成在所述表面处理过程期间屏蔽物体表面的第一区域免受辐射的影响并且经由所述屏蔽系统中的所述通路将所述物体表面的第二区域暴露于所述辐射。
5.根据权利要求4所述的屏蔽系统，其中，所述辐射是等离子体、激光辐射、电子束或离子束。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的屏蔽系统，其中，所述第一圆盘和所述第二圆盘在所述表面处理过程期间被接地。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的屏蔽系统，其中，所述第一圆盘和所述第二圆盘由控制器定位和控制。
8.一种用于调节光刻设备的部件的设备，包括：
9.一种在物体的表面的选定区域上执行
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述辐射是等离子体、激光辐射、电子束或离子束。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其中：
12.根据权利要求9至11中的任一项所述的方法，还包括：确定所述多个突节的高度轮廓；和根据高度轮廓图来执行所述屏蔽。
13.根据权利要求9至12中的任一项所述的方法，其中，所述屏蔽系统仅使一个突节暴露。
14.根据权利要求9至13中的任一项所述的方法，还包括：通过在所述表面处理过程期间针对所述多个突节重新配置所述屏蔽系统，在所述表面处理过程期间改变所暴露的突节；和/或重复具有不同屏蔽配置的所述表面处理过程，以便在每个表面处理过程中改变所暴露的突节。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述等离子体是氢等离子体。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于在物体的表面处理过程中使用的屏蔽系统，包括第一圆盘和第二圆盘；
2.根据权利要求1所述的屏蔽系统，其中，所述通路被配置成仅暴露经受所述表面处理的所述物体的表面上所包括的多个突节中的一个突节。
3.根据权利要求1或2所述的屏蔽系统，其中，所述多个开口沿一个或更多个螺旋布置被布置在所述第二圆盘处。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的屏蔽系统，其中，所述屏蔽系统被布置成在所述表面处理过程期间屏蔽物体表面的第一区域免受辐射的影响并且经由所述屏蔽系统中的所述通路将所述物体表面的第二区域暴露于所述辐射。
5.根据权利要求4所述的屏蔽系统，其中，所述辐射是等离子体、激光辐射、电子束或离子束。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的屏蔽系统，其中，所述第一圆盘和所述第二圆盘在所述表面处理过程期间被接地。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的屏蔽系统，其中，所述第一圆盘和所述第二圆盘由控制器定位...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·范德伍尔特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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