【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，并且具体地，涉及三维(3d)存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、nand存储器是一种不需要电力来保持所存储数据的非易失性类型的存储器。消费电子、云计算和大数据的增长的需求带来了对更大容量和更好性能的nand存储器的持续需要。随着常规的二维(2d)nand存储器接近其物理极限，三维(3d)nand存储器现在扮演着重要角色。3d nand存储器在单个芯片中使用多个堆叠层以实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗和更好的成本效率。
2、3d nand结构构建在衬底(例如，硅晶片)上。在制造工艺中，在衬底上形成许多层以形成层堆叠体。当多个层(例如氧化硅层、氮化硅层、多晶体硅(多晶硅)层和/或原硅酸四乙酯(teos)层)堆叠在彼此顶上时，应力可能在晶片中累积并导致晶片弯曲。其他的制造工艺(例如，刻蚀、填充和热处理)可能进一步加剧应力和晶片弯曲问题。这可能导致下层特征的对准不良。当晶片弯曲超过一定限度时，可能发生操作困难和成品率问题。
3、所公开的方法和系统旨在解决上面阐述的一个或多个问题和其他问题。
技术实现思路
1、在本公开的一个方面中，一种3d nand存储器器件包括具有掺杂区的衬底、层堆叠体、存储器单元、半导体层、接触结构和栅线缝隙结构。层堆叠体形成在衬底之上。存储器单元穿过层堆叠体形成在衬底之上。半导体层形成在掺杂区和延伸穿过层堆叠体的沟道层的侧面部分上。接触结构电接触掺杂区。栅线缝隙结构穿过层堆叠体形成以将存储器单元分成块。在
2、在本公开的另一方面中，一种用于3d nand存储器器件的制造方法包括：在衬底的掺杂区之上形成层堆叠体，在掺杂区之上穿过层堆叠体形成存储器单元，在掺杂区和延伸穿过层堆叠体的沟道层的侧面部分上形成半导体层，形成电接触掺杂区的接触结构，穿过层堆叠体形成栅线缝隙结构以将存储器单元分成块，以及由电介质材料填充栅线缝隙结构中的每个。一个或多个气隙通过电介质材料形成在一个或多个所述栅线缝隙结构中。
3、在本公开的另一方面中，一种用于3d nand存储器器件的制造方法包括：在第一衬底之上形成层堆叠体，修整层堆叠体以形成阶梯结构，形成沟道层，形成栅线缝隙结构，以及用填充材料填充栅线缝隙结构以形成气隙。气隙的最大宽度等于或大于使用测量结果或估计结果获得的值。层堆叠体包括交替堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层。第一堆叠层包括第一电介质材料，并且第二堆叠层包括第二电介质材料。沟道层和栅线缝隙结构沿着近似垂直于第一衬底的方向延伸穿过层堆叠体。
4、本领域技术人员根据本公开的说明书、权利要求和附图可以理解本公开的其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中：
15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
17.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
18.根据权利要求17所述的方法
19.根据权利要求18所述的方法，其中：
20.根据权利要求18所述的方法，其中：
21.根据权利要求18所述的方法，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
11.根据权利要求10所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，周文犀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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