【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体量测领域，特别是涉及一种cdsem快速量测方法、装置、介质、程序产品及终端。
技术介绍
1、在当今半导体行业中，随着技术的不断升级和市场对高性能芯片需求的持续增加，对芯片尺寸和精度的要求也日益严格。关键尺寸扫描电子显微镜(cdsem，criticaldimension scanning electron microscope)作为一种重要的量测工具，承担着在晶圆制造过程中量测关键尺寸的重任，以确保每一片芯片符合设计规格，进而保证产品质量与性能。
2、现有的cdsem量测过程包括对准、校准、对焦以及量测四个步骤。其中针对每个待量测目标点需要循环执行校准、对焦以及量测三个步骤。其中，对准步骤用于确保光学显微镜(om)和扫描电子显微镜(sem)镜头协调，使晶圆坐标与机台坐标系重合。校准步骤用于消除由于电子束漂移和工作台运动引发的位置偏差，确保误差控制在20纳米以下。对焦步骤用于通过寻找相似图案来确保成像质量，自动调整焦距以优化量测条件。量测步骤用于在量测框(measurement box，mb)内进行精准的高效量测，以实现高精度的测量。尽管现有技术的流程能有效保证测量的精度和一致性，但由于量测区域内各个目标的坐标是固定的，并未考虑机台移动误差及电子束漂移的影响，传统方法需要对每个目标进行单独的校准和对焦。这使得量测过程极为耗时，显著增加了每片晶圆的测量时间，降低了整体测量效率。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种cdsem快
2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供一种方法cdsem快速量测方法，包括：获取量测站点的多个待量测点坐标，并基于所述待量测点坐标生成对应的量测顺序；根据所述量测顺序执行多次过货操作，并在每次过货操作中采集当前过货操作中所有测量点的偏移误差及对应的量测时的对焦参数；基于采集到的所有过货操作的偏移误差及对应的量测时的对焦参数，生成最优补偿误差和最佳对焦参数；根据所述最优补偿误差对所述待量测点进行坐标补偿操作，并调用所述最优对焦参数对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测操作。
3、于本申请的第一方面的一些实施例中，在每次过货操作中采集当前过货操作中所有待量测点坐标的偏移误差及对应的最优对焦参数的过程包括：对当前待量测点坐标执行机台误差修正操作和图案识别操作，以生成校准点坐标；根据校准点坐标和当前待量测点坐标，计算并生成pr差值；对所述校准点坐标执行自动对焦操作，并提取自动对焦操作后的自动对焦参数；基于量测配方，令电子束聚聚焦至当前待量测点坐标的mb区域，并计算用于表征所述mb区域与所述待量测点坐标中心误差的mb差值。
4、于本申请的第一方面的一些实施例中，基于采集到的所有过货操作的偏移误差及对应的量测时的对焦参数，生成最优补偿误差和最佳对焦参数的过程包括：针对每个待量测点坐标，基于特征点选择算法，根据采集到的所有过货操作的pr差值和mb差值，计算pr补偿值和mb补偿值，以生成所述最优补偿误差；根据所述pr补偿值、所有过货操作的pr差值和所述自动对焦参数，计算并生成最优对焦参数。
5、于本申请的第一方面的一些实施例中，根据所述最优补偿误差对所述待量测点进行坐标补偿操作的过程包括：将pr补偿值、mb补偿值和所述待量测点坐标代入参数补偿公式中，以生成补偿后的量测点。
6、于本申请的第一方面的一些实施例中，调用所述最优对焦参数对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测操作的过程包括：对所述量测站点执行om校准和sem校准操作；基于最优对焦参数对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行量测操作，并对坐标补偿操作后的待量测点坐标，以生成最终量测结果。
7、于本申请的第一方面的一些实施例中，对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测操作后还执行如下操作：响应于对连续多个待量测点执行量测的过程中均出现mb位置缺失，对当前待量测点重新执行常规量测操作，并判断是否量测成功；若重新执行常规量测操作后未成功，则重新根据所述量测顺序执行多次过货操作，并在每次过货操作中采集当前过货操作中所有测量点的偏移误差及对应的量测时的对焦参数；基于采集到的所有过货操作的偏移误差及对应的量测时的对焦参数，再次生成最优补偿误差和最佳对焦参数；并根据再次生成的最优补偿误差对所述待量测点进行坐标补偿操作，并根据再次生成的最优对焦参数对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测操作。
8、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第二方面提供一种cdsem快速量测装置，包括：数据获取模块：用于获取量测站点的多个待量测点坐标，并基于所述待量测点坐标生成对应的量测顺序；参数补偿模块：用于根据所述量测顺序执行多次过货操作，并在每次过货操作中采集当前过货操作中所有测量点的偏移误差及对应的量测时的对焦参数；基于采集到的所有过货操作的偏移误差及对应的量测时的对焦参数，生成最优补偿误差和最佳对焦参数；简化量测模块：用于根据所述最优补偿误差对所述待量测点进行坐标补偿操作，并调用所述最优对焦参数对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测操作。
9、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第三方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述cdsem快速量测方法。
10、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第四方面提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现所述cdsem快速量测方法。
11、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第五方面提供一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序；所述处理器执行所述计算机程序以实现所述cdsem快速量测方法。
12、如上所述，本申请的cdsem快速量测方法、装置、介质、程序产品及终端，具有以下有益效果：首先，通过减少对焦步骤，优化了量测流程，大幅缩短了检测时间，从而增加了生产效率。其次，由于在量产阶段工艺稳定，相同站点的晶圆状态相似，通过精准的对焦参数保持了一致的量测精度，从而提高了产品质量的一致性。此外，该专利技术还减少了对设备的物理调整需求，降低了因频繁校准和对焦导致的设备磨损和维护成本。进一步地，本专利技术可以适用于多种量测场景，具备较高的灵活性和适应性，从而在大规模生产环境中显著提升了工艺的可重复性和稳定性，降低了废品率，为生产制造企业带来了实质性的成本优势和竞争力提升。总体而言，该专利技术不仅提高了cdsem的操作效率，还通过更精准的量测过程对整个半导体制造工艺链带来了积极影响。
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1.一种CDSEM快速量测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的CDSEM快速量测方法，其特征在于，在每次过货操作中采集当前过货操作中所有待量测点坐标的偏移误差及对应的最优对焦参数的过程包括：
3.根据权利要求2所述的CDSEM快速量测方法，其特征在于，基于采集到的所有过货操作的偏移误差及对应的量测时的对焦参数，生成最优补偿误差和最佳对焦参数的过程包括：
4.根据权利要求3所述的CDSEM快速量测方法，其特征在于，根据所述最优补偿误差对所述待量测点进行坐标补偿操作的过程包括：将PR补偿值、MB补偿值和所述待量测点坐标代入参数补偿公式中，以生成补偿后的量测点。
5.根据权利要求1所述的CDSEM快速量测方法，其特征在于，包括：调用所述最优对焦参数对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测操作的过程包括：
6.根据权利要求1所述的CDSEM快速量测方法，其特征在于，对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测操作后还执行如下操作：
7.一种CDSEM快速量测装置，其特征在于，包括：
8.一种
9.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现如权利要求1至6中任一项所述的CDSEM快速量测方法。
10.一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1至6中任一项所述CDSEM快速量测方法。
...【技术特征摘要】
1.一种cdsem快速量测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的cdsem快速量测方法，其特征在于，在每次过货操作中采集当前过货操作中所有待量测点坐标的偏移误差及对应的最优对焦参数的过程包括：
3.根据权利要求2所述的cdsem快速量测方法，其特征在于，基于采集到的所有过货操作的偏移误差及对应的量测时的对焦参数，生成最优补偿误差和最佳对焦参数的过程包括：
4.根据权利要求3所述的cdsem快速量测方法，其特征在于，根据所述最优补偿误差对所述待量测点进行坐标补偿操作的过程包括：将pr补偿值、mb补偿值和所述待量测点坐标代入参数补偿公式中，以生成补偿后的量测点。
5.根据权利要求1所述的cdsem快速量测方法，其特征在于，包括：调用所述最优对焦参数对坐标补偿操作后的待量测点坐标进行简化量测...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘畅，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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