提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括下层间绝缘层、上层间绝缘层、穿过下层间绝缘层和上层间绝缘层的沟道图案、在下层间绝缘层和上层间绝缘层之间面向沟道图案的导电层以及布置在横向凹槽中的存储图案，该横向凹槽由朝着沟道图案突出超过导电层的下层间绝缘层和上层间绝缘层限定在导电层和沟道图案之间，其中从导电层到沟道图案的距离朝着横向凹槽的端部减小。
【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置和制造该电子装置的方法，更具体地，涉及一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置应用于诸如汽车、医疗和数据中心的各种领域中的电子装置以及小型电子装置。因此，对半导体存储器装置的需求不断增加。
2、半导体存储器装置可包括用于存储数据的存储器单元。已提出了三维半导体存储器装置以实现大容量半导体存储器装置。三维半导体存储器装置可包括三维布置的多个存储器单元。
技术实现思路
1、根据实施方式，一种半导体存储器装置可包括：下层间绝缘层，其与中心线交叠，中心线在平行于下层间绝缘层的平面中延伸；上层间绝缘层，其在与该平面交叉的方向上与下层间绝缘层间隔开；第一沟道图案和第二沟道图案，其延伸以穿过下层间绝缘层和上层间绝缘层，第一沟道图案与第二沟道图案间隔开，并且中心线插置在第一沟道图案和第二沟道图案之间；导电层，其布置在下层间绝缘层和上层间绝缘层之间，该导电层包括面向第一沟道图案的第一区域、面向第二沟道图案的第二区域以及将第一区域联接到第二区域的第三区域；以及第一数据存储图案，其形成在第一横向凹槽中，该第一横向凹槽由下层间绝缘层和上层间绝缘层限定在导电层和第一沟道图案之间，上层间绝缘层和下层间绝缘层朝着第一沟道图案突出超过导电层，其中，第一横向凹槽在该平面中的可变宽度朝着第一横向凹槽的端部减小。
2、根据实施方式，一种半导体存储器装置可包括：第一下层间绝缘图案和第二下层间绝缘图案，其彼此间隔开并且其间插置有中心线，该中心线在平行于第一下层间绝缘图案和第二下层间绝缘图案中的每一个的平面中的方向上延伸；第一上层间绝缘图案，其在与该平面交叉的方向上与第一下层间绝缘图案间隔开；第二上层间绝缘图案，其在与该平面交叉的方向上与第二下层间绝缘图案间隔开；第一沟道图案和第二沟道图案，其延伸以从第一下层间绝缘图案和第二下层间绝缘图案之间穿过到第一上层间绝缘图案和第二上层间绝缘图案之间，第一沟道图案和第二沟道图案彼此间隔开并且其间插置有中心线；第一导电图案，其布置在第一下层间绝缘图案和第一上层间绝缘图案之间；第二导电图案，其布置在第二下层间绝缘图案和第二上层间绝缘图案之间；以及第一数据存储图案，其形成在第一横向凹槽中，该第一横向凹槽由第一下层间绝缘图案和第一上层间绝缘图案限定在第一导电图案和第一沟道图案之间，第一下层间绝缘图案和第一上层间绝缘图案各自朝着第一沟道图案突出超过第一导电图案，其中，第一横向凹槽在平面中的可变宽度朝着第一横向凹槽的端部减小。
3、根据实施方式，一种半导体存储器装置可包括：第一下层间绝缘图案和第二下层间绝缘图案，其彼此间隔开并且其间插置有中心线，该中心线在平行于第一下层间绝缘图案和第二下层间绝缘图案中的每一个的平面中的方向上延伸；第一上层间绝缘图案，其在与该平面交叉的方向上与第一下层间绝缘图案间隔开；第二上层间绝缘图案，其在与该平面交叉的方向上与第二下层间绝缘图案间隔开；沟道层，其延伸以从第一下层间绝缘图案和第二下层间绝缘图案之间穿过到第一上层间绝缘图案和第二上层间绝缘图案之间；第一导电图案，其布置在第一下层间绝缘图案和第一上层间绝缘图案之间；第二导电图案，其布置在第二下层间绝缘图案和第二上层间绝缘图案之间；以及第一数据存储图案，其形成在第一横向凹槽中，该第一横向凹槽由第一下层间绝缘图案和第一上层间绝缘图案限定在第一导电图案和沟道层之间，第一下层间绝缘图案和第一上层间绝缘图案各自朝着沟道层突出超过第一导电图案，其中，第一横向凹槽在平面中的可变宽度朝着第一数据存储图案的端部减小。
4、根据实施方式，一种制造半导体存储器装置的方法可包括以下步骤：形成包括彼此交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层的初步层叠结构；形成穿过多个第一材料层和多个第二材料层的孔，该孔包括在平面中沿第一方向的长轴以及沿与长轴交叉的第二方向的短轴；形成沿着孔的第一内壁延伸的第一蚀刻屏障图案以及沿着孔的第二内壁延伸的第二蚀刻屏障图案，第一内壁和第二内壁在孔中在第一方向上彼此相对，第一蚀刻屏障图案和第二蚀刻屏障图案阻挡多个第一材料层和多个第二材料层；通过蚀刻经由孔中的在第二方向上彼此面对的第三内壁和第四内壁暴露的多个第二材料层，在多个第一材料层当中的在层叠方向上彼此相邻的两个第一材料层之间形成在第二方向上彼此相邻的第一横向凹槽和第二横向凹槽；以及在第一横向凹槽中形成第一数据存储图案并且在第二横向凹槽中形成第二数据存储图案。
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【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括形成在第二横向凹槽中的第二数据存储图案，所述第二横向凹槽由所述下层间绝缘层和所述上层间绝缘层限定在所述导电层和所述第二沟道图案之间，所述上层间绝缘层和所述下层间绝缘层朝着所述第二沟道图案突出超过所述导电层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第二横向凹槽关于所述中心线与所述第一横向凹槽大致对称。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一横向凹槽具有大致半椭圆形状。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
8.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，
>11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二横向凹槽关于所述中心线与所述第一横向凹槽大致对称。12.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第一横向凹槽具有大致半椭圆形状。
13.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
14.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
15.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述隧道绝缘层在所述第一绝缘分隔壁和所述第二绝缘分隔壁之间延伸。
17.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述阻挡绝缘层包括在所述第一绝缘分隔壁和所述第二绝缘分隔壁之间延伸的部分。
18.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
20.根据权利要求19所述的半导体存储器装置，
21.根据权利要求19所述的半导体存储器装置，其中，所述第二横向凹槽关于所述中心线与所述第一横向凹槽大致对称。
22.根据权利要求19所述的半导体存储器装置，其中，所述第一横向凹槽具有大致半椭圆形状。
23.根据权利要求19所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
24.根据权利要求23所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层和所述隧道绝缘层在所述绝缘柱和所述绝缘分隔壁之间延伸。
25.根据权利要求23所述的半导体存储器装置，其中，所述阻挡绝缘层包括在所述绝缘柱和所述绝缘分隔壁之间延伸的部分。
26.一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
27.根据权利要求26所述的方法，
28.根据权利要求26所述的方法，
29.根据权利要求26所述的方法，该方法还包括以下步骤：
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述阻挡绝缘层包括氮化物层，并且
31.根据权利要求30所述的方法，该方法还包括以下步骤：
32.根据权利要求29所述的方法，该方法还包括以下步骤：
33.根据权利要求29所述的方法，该方法还包括以下步骤：
34.根据权利要求26所述的方法，该方法还包括以下步骤：
35.根据权利要求34所述的方法，该方法还包括以下步骤：
36.根据权利要求35所述的方法，该方法还包括以下步骤：
37.根据权利要求35所述的方法，该方法还包括以下步骤：
...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括形成在第二横向凹槽中的第二数据存储图案，所述第二横向凹槽由所述下层间绝缘层和所述上层间绝缘层限定在所述导电层和所述第二沟道图案之间，所述上层间绝缘层和所述下层间绝缘层朝着所述第二沟道图案突出超过所述导电层，并且
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，
4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第二横向凹槽关于所述中心线与所述第一横向凹槽大致对称。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一横向凹槽具有大致半椭圆形状。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
8.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，
11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二横向凹槽关于所述中心线与所述第一横向凹槽大致对称。
12.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第一横向凹槽具有大致半椭圆形状。
13.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
14.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
15.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述隧道绝缘层在所述第一绝缘分隔壁和所述第二绝缘分隔壁之间延伸。
17.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述阻挡绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜仁求，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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