一种存储器、存储器的操作方法和存储系统技术方案

技术编号：44142839 阅读：2 留言：0更新日期：2025-01-29 10:19

本申请实施例提供了一种存储器、存储器的操作方法和存储系统，涉及但不限于存储技术领域。该存储器包括外围电路、多个字线和多行存储单元，每行存储单元与一个字线耦合，该外围电路被配置为：在多个第一时间段的每个第一时间段，对该多个字线中的第一字线施加一个第一电压。在该多个第一时间段中每相邻的两个第一时间段之间的第二时间段，对该第一字线施加一个第二电压，该第二电压被配置为导通该第一字线耦合的存储单元。如此，可以提升数据读取的准确性。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及存储，尤其涉及一种存储器、存储器的操作方法和存储系统。

技术介绍

1、随着存储技术的进步，计算机闪存设备(nand)的应用越来越广，如可应用于手机、电脑等设备。

2、随着nand存储器的发展，每个存储单元存储的比特位数越来越多。例如，三级单元(triple-level cell，tlc)闪存颗粒的每个存储单元可以存储3比特数据，对应三个逻辑页：低逻辑页(lower page，lp)、中逻辑页(middle page，mp)和高逻辑页(upper page，up)。

3、在读取nand存储器中的数据时，可以对字线((word line，wl)施加读取电压，若该读取电压大于使该字线耦合的存储单元的阈值电压，则该字线耦合的存储单元导通。根据该导通的存储单元耦合的位线(bit line，bl)上的电流，可以得到该导通的存储单元存储的数据。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种存储器、存储器的操作方法和存储系统，解决了容易读错数据的问题。

2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

3、第一方面，提供一种存储器，该存储器包括外围电路、多个字线和多行存储单元，每行存储单元与一个字线耦合，该外围电路被配置为：在多个第一时间段的每个第一时间段，对该多个字线中的第一字线施加一个第一电压。在该多个第一时间段中每相邻的两个第一时间段之间的第二时间段，对该第一字线施加一个第二电压，该第二电压被配置为导通该第一字线耦合的存储单元。

<p>4、上述技术方案中，在多个第一时间段的每个第一时间段，对该多个字线中的第一字线施加一个第一电压，在该多个第一时间段中每相邻的两个第一时间段之间的第二时间段，对该第一字线施加一个第二电压，该第二电压被配置为导通该第一字线耦合的存储单元。将第一字线耦合的存储单元的超充电压增大至“被配置为导通该第一字线耦合的存储单元的第二电压”，如此，一方面，可以更好地清理沟道。另一方面，可以使第一字线上的电压快速达到第一电压，从而减少电压爬升时间，缩短读取时间。又一方面，可以减小随机电报噪声，从而增大阈值边缘统计汇总模型(edge sum，esum)，减少读错数据的概率，提升数据可靠性。再一方面，该方案只需改动电气控制的时序，无需增大硬件成本。

5、在第一方面的一种可能的实现方式中，在每个该第二时间段内施加的该第二电压均相等。上述可能的实现方式中，在每个第二时间段内施加的该第二电压均相等，如此，可以使用同一电压源提供第二电压，无需增大硬件成本。

6、在第一方面的一种可能的实现方式中，该外围电路还被配置为：在施加第一个该第一电压之前，对该第一字线施加预脉冲电压，在至少一个该第二时间段施加的该第二电压与该预脉冲电压相等。上述可能的实现方式中，在施加第一个该第一电压之前，对该第一字线施加预脉冲电压，在至少一个该第二时间段施加的该第二电压与该预脉冲电压相等。如此，可以使用同一电压源提供该预脉冲电压和该第二电压，无需增大硬件成本。

7、在第一方面的一种可能的实现方式中，该外围电路还被配置为：在施加最后一个该第一电压之后，对该第一字线施加恢复脉冲电压，在至少一个该第二时间段施加的该第二电压与该恢复脉冲电压相等。上述可能的实现方式中，在施加最后一个该第一电压之后，对该第一字线施加恢复脉冲电压，在至少一个该第二时间段施加的该第二电压与该恢复脉冲电压相等。如此，可以使用同一电压源提供该恢复脉冲电压和该第二电压，无需增大硬件成本。

8、在第一方面的一种可能的实现方式中，该第一电压被配置为读取该第一字线耦合的存储单元的数据。上述可能的实现方式中，该第一电压被配置为读取该第一字线耦合的存储单元的数据。因此，该方案可以应用于存储器读取数据的应用场景，在读取该第一字线耦合的存储单元的数据时，更好地清理沟道、缩短读取时间、提升数据可靠性。

9、在第一方面的一种可能的实现方式中，该第一电压被配置为在编程时验证该第一字线耦合的存储单元的数据。上述可能的实现方式中，该第一电压被配置为在编程时验证该第一字线耦合的存储单元的数据。因此，该方案可以应用于存储器编程时验证数据的应用场景，在验证该第一字线耦合的存储单元的数据时，更好地清理沟道、缩短读取时间、提升数据可靠性。

10、在第一方面的一种可能的实现方式中，该多个第一电压依次增大。上述可能的实现方式中，该多个第一电压依次增大。如此，该方案可以应用于正向读取或正向验证的应用场景，在正向读取或正向验证的过程中，更好地清理沟道、缩短读取时间、提升数据可靠性。

11、在第一方面的一种可能的实现方式中，该多个字线还包括第二字线，该第二字线与该第一字线相邻，该外围电路还被配置为：在每个该第一时间段对该第二字线施加第三电压，该第三电压被配置为导通该第二字线耦合的存储单元。在每个该第二时间段对该第二字线施加第四电压，该第四电压小于该第三电压。上述可能的实现方式中，在每个该第一时间段对与第一字线相邻的第二字线施加第三电压，在每个该第二时间段对该第二字线施加小于该第三电压的第四电压。由于在每个第二时间段(第一字线超充时)，第二字线会被第一字线耦合，第二字线的电压实际上会升高。通过降低在第二时间段对第二字线施加的电压，抵消第二字线与第一字线耦合带来的读取导通电压干扰，防止第二字线耦合的存储单元的esum和e0变小，e0是指：处于擦除态的存储单元的数量峰值处对应的阈值电压，与处于擦除态的存储单元对应的读取电压之间的空间，从而保证该存储器的数据可靠性。

12、在第一方面的一种可能的实现方式中，该多个字线还包括第三字线，该第三字线与该第一字线不相邻，该外围电路还被配置为：在每个该第一时间段和每个该第二时间段对该第三字线施加第五电压，该第五电压被配置为导通该第三字线耦合的存储单元。上述可能的实现方式中，对与该第一字线不相邻的第三字线施加第五电压，该第五电压被配置为导通该第三字线耦合的存储单元。如此，可以使该第三字线耦合的存储单元导通，为位线检测到电流提供基础。

13、第二方面，提供一种存储器，该存储器包括外围电路、多个字线和多行存储单元，每行存储单元与一个字线耦合，该外围电路被配置为：在多个第一时间段的每个第一时间段，对该多个字线中的第一字线施加一个第一电压。在该多个第一时间段中每相邻的两个第一时间段之间的第二时间段，对该第一字线施加一个第二电压，在每个该第二时间段内施加的该第二电压均相等。

14、上述技术方案中，在多个第一时间段的每个第一时间段，对该多个字线中的第一字线施加一个第一电压，在该多个第一时间段中每相邻的两个第一时间段之间的第二时间段，对该第一字线施加一个第二电压，在每个该第二时间段内施加的该第二电压均相等。如此，一方面，可以更好地清理沟道。另一方面，可以使第一字线上的电压快速达到第一电压，从而减少电压爬升时间，缩短读取时间。又一方面，可以减小随机电报噪声，从而增大esum，减少读错数据的概率，提升数据可靠性。再一方面，该方案只需改动电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括外围电路、多个字线和多行存储单元，每行存储单元与一个字线耦合，所述外围电路被配置为：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在每个所述第二时间段内施加的所述第二电压均相等。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电压被配置为读取所述第一字线耦合的存储单元的数据。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电压被配置为在编程时验证所述第一字线耦合的存储单元的数据。

7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个第一电压依次增大。

8.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个字线还包括第二字线，所述第二字线与所述第一字线相邻，所述外围电路还被配置为：

9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个字线还包括第三字线，所述第三字线与所述第一字线不相邻，所述外围电路还被配置为：

10.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括外围电路、多个字线和多行存储单元，每行存储单元与一个字线耦合，所述外围电路被配置为：

11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，在每个所述第二时间段内施加的所述第二电压大于与所述第二电压相邻的任一第一电压。

12.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第二电压被配置为导通所述第一字线耦合的存储单元。

13.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

14.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

15.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一电压被配置为读取所述第一字线耦合的存储单元的数据。

16.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一电压被配置为在编程时验证所述第一字线耦合的存储单元的数据。

17.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述多个第一电压依次增大。

18.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述多个字线还包括第二字线，所述第二字线与所述第一字线相邻，所述外围电路还被配置为：

19.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述多个字线还包括第三字线，所述第三字线与所述第一字线不相邻，所述外围电路还被配置为：

20.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括外围电路、多个字线和多行存储单元，每行存储单元与一个字线耦合，所述方法包括：

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，在每个所述第二时间段内施加的所述第二电压均相等。

22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

23.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

24.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述多个第一电压依次增大。

25.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述多个字线还包括第二字线，所述第二字线与所述第一字线相邻，所述方法还包括：

26.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述多个字线还包括第三字线，所述第三字线与所述第一字线不相邻，所述方法还包括：

27.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括外围电路、多个字线和多行存储单元，每行存储单元与一个字线耦合，所述方法包括：

28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，在每个所述第二时间段内施加的所述第二电压大于与所述第二电压相邻的任一第一电压。

29.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述第二电压被配置为导通所述第一字线耦合的存储单元。

30.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

31.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

32.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述多个第一电压依次增大。

33.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述多个字线还包括第二字线，所述第二字线与所述第一字线相邻，所述方法还包括：

34.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括控制器和如权利要求1至9任一项所述的存储器。

35.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括控制器和如权利要求10至19任一项所述的存储器。

...

【技术特征摘要】