【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种rgb三基色micro led外延片及其制备方法。
技术介绍
1、micro led微显示技术，具有自发光特性，每一点像素都能单独驱动发光，优点包括高亮度、低功耗、体积小、超高分辨率与色彩饱和度等。相较于同为自发光显示的oled技术，micro led不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，也能避免产生残影现象。
2、目前的micro显示常见技术是通过rgb三基色晶圆芯片组成的一套发光单元，分别剥离掉rgb三基色的晶圆衬底，然后通过巨量转移到基板上。
3、上述技术，晶圆均为单色晶圆，且需要剥离三基色晶圆的衬底，也就是需要剥离3次，巨量转移也要转移3次，极大地增加了制作成本。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种rgb三基色micro led外延片及其制备方法，旨在通过对rgb三基色micro led外延片进行外延制作，降低外延片的制作成本。
2、本专利技术的第一方面在于提供一种rgb三基色micro led外延片的制备方法，所述制备方法包括：
3、提供一衬底，在所述衬底上沉积缓冲层；
4、在所述缓冲层上垒晶第一外延材料，对所述第一外延材料进行刻蚀以暴露出所述缓冲层的表面，在每个发光单元中的第一位置形成第一外延层；
5、在所述第一外延层的表面沉积第一保护层；
6、在每个所述发光单元中，在第二位置的所述缓冲层之上垒晶第二
7、在所述第一保护层与所述第二外延层的表面沉积第二保护层；
8、在每个所述发光单元中，对所述缓冲层进行刻蚀以暴露出所述衬底的表面，在第三位置的所述衬底之上垒晶第三外延层，所述第三位置与所述第二位置相邻；
9、去除所述第一保护层与所述第二保护层，得到rgb三基色micro led外延片。
10、根据上述技术方案的一方面，所述第一外延层、所述第二外延层与所述第三外延层分别为蓝光外延层、绿光外延层与红光外延层。
11、根据上述技术方案的一方面，在所述第一外延层的表面沉积第一保护层的步骤，包括：
12、在所述缓冲层的表面沉积第一保护材料，使所述第一保护材料包裹位于第一位置的第一外延层，以及覆盖位于第二位置、第三位置的缓冲层；
13、采用光刻与湿法刻蚀方式，去除第二位置、第三位置的缓冲层表面的第一保护材料，得到多个分别覆盖于每个发光单元中第一外延层表面的第一保护层。
14、根据上述技术方案的一方面，在所述第一保护层与所述第二外延层的表面沉积第二保护层的步骤，包括：
15、在所述缓冲层的表面沉积第二保护材料，使所述第二保护材料包括位于第一位置的第一保护层与位于第二位置的第二外延层，以及覆盖位于第三位置的缓冲层；
16、采用光刻与湿法刻蚀方式，去除第三位置的缓冲层表面的第二保护材料，得到多个分别覆盖于每个发光单元中所述第一保护层、所述第二外延层表面的第二保护层。
17、根据上述技术方案的一方面，所述第一外延层与所述第二外延层的厚度相等。
18、根据上述技术方案的一方面，所述第三外延层的厚度等于所述第一外延层\所述第二外延层与所述缓冲层的厚度之和。
19、根据上述技术方案的一方面，所述衬底采用gaas材料制成，厚度为300μm-600μm；
20、所述缓冲层采用aln材料制成，厚度为100å-5000å。
21、根据上述技术方案的一方面，用于制成所述第一保护层的第一保护材料与制成第二保护层的第二保护材料，均为sio2、sinx、tio2、al2o3、aln材料中的任一种。
22、本专利技术的第二方面在于提供一种rgb三基色micro led外延片，由上述技术方案当中所述的制备方法制得，所述外延片包括：
23、衬底；
24、缓冲层，设于所述衬底之上，且在第三位置暴露出所述衬底的表面；
25、第一外延层，在每个发光单元中均位于第一位置的缓冲层之上；
26、第二外延层，在每个发光单元中均位于第二位置的缓冲层之上；
27、第三外延层，在每个发光单元中均位于第三位置的衬底之上；
28、其中，在每个发光单元中，所述第一位置、所述第二位置与所述第三位置沿线性排布，所述第一外延层、第二外延层与第三外延层沿线性排布。
29、根据上述技术方案的一方面，所述第一外延层、所述第二外延层与所述第三外延层分别为蓝光外延层、绿光外延层与红光外延层。
30、与现有技术相比，采用本专利技术所示的rgb三基色micro led外延片及其制备方法，有益效果在于：
31、本专利技术通过提供一衬底，在衬底上沉积缓冲层，在缓冲层上垒晶第一外延材料，对第一外延材料进行刻蚀以暴露出缓冲层的表面，在每个发光单元中的第一位置形成第一外延层，在第一外延层的表面沉积第一保护层，在每个发光单元中，在第二位置的缓冲层之上垒晶第二外延层，第二位置与第一位置相邻，在第一保护层与第二外延层的表面沉积第二保护层，在每个发光单元中，对缓冲层进行刻蚀以暴露出衬底的表面，在第三位置的衬底之上垒晶第三外延层，第三位置与第二位置相邻，去除第一保护层与第二保护层，得到rgb三基色micro led外延片。本专利技术通过在同一衬底上分别进行rgb三基色外延层的制作，无需进行单基色晶圆的衬底剥离以及对应的巨量转移，即可得到rgb三基色micro led外延片，降低了外延片的制作成本，以及提升了外延片的制作效率。
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1.一种RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在于，所述第一外延层、所述第二外延层与所述第三外延层分别为蓝光外延层、绿光外延层与红光外延层。
3.根据权利要求1所述的RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述第一外延层的表面沉积第一保护层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述第一保护层与所述第二外延层的表面沉积第二保护层的步骤，包括：
5.根据权利要求1所述的RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在于，所述第一外延层与所述第二外延层的厚度相等。
6.根据权利要求5所述的RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在于，所述第三外延层的厚度等于所述第一外延层\所述第二外延层与所述缓冲层的厚度之和。
7.根据权利要求1所述的RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在
8.根据权利要求1所述的RGB三基色Micro LED外延片的制备方法，其特征在于，用于制成所述第一保护层的第一保护材料与制成第二保护层的第二保护材料，均为SiO2、SiNX、TiO2、Al2O3、AlN材料中的任一种。
9.一种RGB三基色Micro LED外延片，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述的制备方法制得，所述外延片包括：
10.根据权利要求9所述的RGB三基色Micro LED外延片，其特征在于，所述第一外延层、所述第二外延层与所述第三外延层分别为蓝光外延层、绿光外延层与红光外延层。
...【技术特征摘要】
1.一种rgb三基色micro led外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的rgb三基色micro led外延片的制备方法，其特征在于，所述第一外延层、所述第二外延层与所述第三外延层分别为蓝光外延层、绿光外延层与红光外延层。
3.根据权利要求1所述的rgb三基色micro led外延片的制备方法，其特征在于，在所述第一外延层的表面沉积第一保护层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的rgb三基色micro led外延片的制备方法，其特征在于，在所述第一保护层与所述第二外延层的表面沉积第二保护层的步骤，包括：
5.根据权利要求1所述的rgb三基色micro led外延片的制备方法，其特征在于，所述第一外延层与所述第二外延层的厚度相等。
6.根据权利要求5所述的rgb三基色micro led外延片的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，汪恒青，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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