【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及半导体晶圆检测，特别涉及一种孪生结构的晶圆温度测量装置。
技术介绍
1、集成电路制造工艺涉及近千道工序，光刻、离子注入、气相沉积等工艺都需要精确的温度测量和控制。晶圆温度的轻微偏离和高于1%的温度不均匀性，都可能影响最终产品的良率，因此晶圆温度检测技术已广泛应用于集成电路制造工艺中。
2、目前晶圆温度检测技术主要采用接触式和非接触式两种测温方式。非接触式测温方法主要采用光学方法实现，很难适应集成电路制造的复杂环境。接触式晶圆温度检测技术大多将温度传感元件直接贴装在晶圆表面，再将传感元件通过引线与外部电路连接，受环境影响较大，影响了测量精度，同时每一个测试点位仅有一支温度传感元件，无法实现自校准。在晶圆的多点位测量时，由于传感元件数量多，导致线路复杂，大大增加了晶圆温度测量的难度。
技术实现思路
1、针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的一种孪生结构的晶圆温度测量装置解决了晶圆的多点位测量时的温度难以准确测量的问题。
2、为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：一种孪生结构的晶圆温度测量装置，包括：晶圆和与晶圆连接的检测子装置；其中，所述检测子装置包括温度传感元件、温度采集处理器和电池：
3、所述温度传感元件为孪生结构，其导线贴装于晶圆表面刻蚀线槽中，用于测量晶圆温度，得到温度采集数据；
4、所述温度采集处理器与所述温度传感元件连接，用于对所述温度采集数据进行处理，得到温度测量结果；
5、所述电
6、本专利技术的有益效果为：一种孪生结构的晶圆温度测量装置，经过温度传感元件的布局和处理，可有效提高晶圆温度测量的精度，通过温度采集处理电路采集和处理温度信息，通过蓝牙模块实现温度信息的传递。
7、进一步地，所述温度传感元件与温度采集处理器的关键点位连接，用于对测量的晶圆温度进行自校准和自验证；其中，所述温度采集处理器的关键点位同时布置两个独立的温度传感元件。
8、进一步地，所述晶圆表面刻蚀线槽深度为温度传感元件厚度的1/2，使温度传感元件核心传感部位与晶圆表面平齐。
9、通过这种方式，可以减少环境温度变化导致引线温度波动对温度测量的干扰。
10、进一步地，所述温度传感元件上方覆盖有隔热材料。
11、通过这种方式，可以减小环境温度变化对温度测量的干扰，同时测得的温度可以更好地反映晶圆内部的温度情况。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种孪生结构的晶圆温度测量装置，其特征在于，包括：晶圆和与晶圆连接的检测子装置；其中，所述检测子装置包括温度传感元件、温度采集处理器和电池：
2.根据权利要求1所述的孪生结构的晶圆温度测量装置，其特征在于，所述温度传感元件与温度采集处理器的关键点位连接，用于对测量的晶圆温度进行自校准和自验证；其中，所述温度采集处理器的关键点位同时布置两个独立的温度传感元件。
3.根据权利要求1所述的孪生结构的晶圆温度测量装置，其特征在于，所述晶圆表面刻蚀线槽深度为温度传感元件厚度的1/2，使温度传感元件核心传感部位与晶圆表面平齐。
4.根据权利要求1所述的孪生结构的晶圆温度测量装置，其特征在于，所述温度传感元件上方覆盖有隔热材料。
【技术特征摘要】
1.一种孪生结构的晶圆温度测量装置，其特征在于，包括：晶圆和与晶圆连接的检测子装置；其中，所述检测子装置包括温度传感元件、温度采集处理器和电池：
2.根据权利要求1所述的孪生结构的晶圆温度测量装置，其特征在于，所述温度传感元件与温度采集处理器的关键点位连接，用于对测量的晶圆温度进行自校准和自验证；其中，所述温度采集处理...
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