【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体制造工艺的领域，并且更具体地涉及等离子体预清洁系统及包含此等离子体预清洁系统的群集工具。
技术介绍
1、群集工具经常用于在基板(例如半导体基板)上执行工艺(例如，沉积)。对于一些沉积，例如外延沉积，可在沉积之前在基板上执行等离子体预清洁工艺。等离子体预清洁工艺可在群集工具的一个腔室中执行，而沉积可在群集工具的另一个腔室中执行。包含沉积腔室及等离子体预清洁腔室的群集工具通常经配置以在真空压力下操作，例如小于10托的压力下。
2、近来，已开发了一些在大气压或接近大气压下操作的外延沉积工艺，但等离子体预清洁工艺仍然在真空压力下执行。使群集工具的不同部分在实质上不同的压力(例如10托的压力及760托的压力)下操作，当基板在具有实质上不同的压力的环境之间传送时，可能导致问题，例如基板受损伤。
3、因此，需要解决上述问题的方法及相应的设备。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，提供一种用于清洁基板的等离子体处理系统。等离子体处理系统包含处理腔室，包括：封闭内部空间的腔室主体；和设置在内部空间中的基板支撑件。等离子体处理系统包含：真空泵；流体地耦合在处理腔室的内部空间与真空泵之间的第一排气线路；及流体地耦合在处理腔室的内部空间与真空泵之间的第二排气线路，其中第一排气线路及第二排气线路经布置以对内部空间与真空泵之间的排气提供替代路径，并且第一排气线路的内径比第二排气线路的内径小至少50％。
2、在另一个实施方式中，提供一种用
3、在另一个实施方式中，提供一种用于处理半导体基板的群集工具。群集工具包含：传送腔室；耦合至传送腔室的沉积腔室；及耦合至传送腔室的等离子体处理系统，等离子体处理系统包括：处理腔室，包括：封闭内部空间的腔室主体；以及设置在内部空间中的基板支撑件；真空泵；流体地耦合在处理腔室的内部空间与真空泵之间的第一排气线路；及流体地耦合在处理腔室的内部空间与真空泵之间的第二排气线路，其中第一排气线路及第二排气线路经布置以对内部空间与真空泵之间的排气提供替代路径，并且第一排气线路的内径比第二排气线路的内径小至少50％。
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1.一种用于清洁基板的等离子体处理系统，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包括控制器，所述控制器经配置以：
3.如权利要求2所述的等离子体处理系统，其中所述第一排气压力大于400托。
4.如权利要求3所述的等离子体处理系统，其中所述第二排气压力小于50托。
5.如权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包括：
6.如权利要求5所述的等离子体处理系统，进一步包括远程等离子体源，所述远程等离子体源流体地耦合在所述第一供应线路与所述内部空间之间。
7.如权利要求5所述的等离子体处理系统，进一步包括控制器，所述控制器经配置以：
8.如权利要求7所述的等离子体处理系统，其中所述第一供应压力小于300托。
9.如权利要求8所述的等离子体处理系统，其中所述第二供应压力大于600托。
10.一种用于清洁基板的等离子体处理系统，包括：
11.如权利要求10所述的等离子体处理系统，进一步包括控制器，所述控制器经配置以：
12.如权利要求11所述的等离
13.如权利要求12所述的等离子体处理系统，其中所述第二供应压力大于600托。
14.如权利要求10所述的等离子体处理系统，进一步包括远程等离子体源，所述远程等离子体源流体地耦合在所述第一供应线路与所述内部空间之间。
15.一种用于处理半导体基板的群集工具，包括：
16.如权利要求15所述的群集工具，进一步包括控制器，所述控制器经配置以：
17.如权利要求16所述的群集工具，其中所述第一排气压力大于400托。
18.如权利要求17所述的群集工具，其中所述第二排气压力小于50托。
19.如权利要求16所述的群集工具，其中所述控制器经配置以在大气压下操作所述传送腔室。
20.如权利要求16所述的群集工具，其中所述控制器经配置以在从约300毫托至约20托的压力下在所述处理腔室中的基板上执行清洁工艺。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于清洁基板的等离子体处理系统，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包括控制器，所述控制器经配置以：
3.如权利要求2所述的等离子体处理系统，其中所述第一排气压力大于400托。
4.如权利要求3所述的等离子体处理系统，其中所述第二排气压力小于50托。
5.如权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包括：
6.如权利要求5所述的等离子体处理系统，进一步包括远程等离子体源，所述远程等离子体源流体地耦合在所述第一供应线路与所述内部空间之间。
7.如权利要求5所述的等离子体处理系统，进一步包括控制器，所述控制器经配置以：
8.如权利要求7所述的等离子体处理系统，其中所述第一供应压力小于300托。
9.如权利要求8所述的等离子体处理系统，其中所述第二供应压力大于600托。
10.一种用于清洁基板的等离子体处理系统，包括：
11.如权利要求10所述的等离子体处理系统，进一步包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：李松宰，石井才人，马丁·杜鲁门，理查德·O·柯林斯，马丁·杰弗里·萨利纳斯，郑勇，安妮塔·赵，阿黛尔·玛利亚达斯，克里斯托夫·马卡德，亨利·巴巴蒂卡，欧内斯托·J·乌洛亚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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