【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料及薄膜领域，具体涉及一种高附着力、可焊接的导电铜膜电极及其制备方法和应用。
技术介绍
1、导电玻璃是一种表面镀制ito等透明导电膜的玻璃，当用作加热背板，对液晶屏进行加温时，需要制作电极，目前，电极多通过在边缘涂覆一定宽度的导电银浆并烧结制作，导电银浆是由有机聚合物、银、铜粉等导电材料制成，当在导电银浆上引出导线时，采用常规的焊接方法存在焊接困难，焊点附着力差的问题，为保证导线的牢固度，多通过把背板和其他玻璃贴合进行加压处理或者加覆一层胶层，整个制作过程较为繁复。
2、电子工业中常用的“锡焊”，是将金属导线和其他金属材料，通过焊锡利用热熔方式连接，具有工艺简单，工序少，造价简单等优点，但通常用于块体材料的焊接。与块体材料相比，常规真空方法制备的金属铜膜，由于膜层薄，膜基附着力差，当采用“锡焊”时，由于铜膜与基底材料热膨胀系数差异大，焊接时，铜膜受热膨胀，导致膜层直接从基底脱落，造成焊接失败。
3、有现有技术公开了透明导电膜与导线焊接及膜上金属电极制备，通过多步处理，制作sno2薄膜后再化学沉积出ni膜，从而完成制作，但具有制作步骤复杂等缺点。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种高附着力、可焊接的导电铜膜电极及其制备方法和应用，所要解决的技术问题是如何制备得到导电率佳，膜基附着力高，可直接焊接的铜膜电极。
2、本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本专利技术提出的一种高附着力、可焊接
3、s1将清洗干净的导电基片装卡，漏出电极沉积区域，在真空条件下加热；
4、s2将步骤s1得到的导电基片采用霍尔离子源进行镀前清洗，之后进行铜膜沉积，同时采用霍尔离子源进行辅助，真空室降温后，取出基片，得到所述导电铜膜电极。
5、优选的，前述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法中，其中步骤s1中所述导电基片的清洗包括：首先采用丙酮超声清洗10-15min，然后采用无水乙醇超声清洗10-15min。
6、优选的，前述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法中，其中步骤s1中所述真空度≤3.0×10-3pa。
7、优选的，前述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法中，其中步骤s1中所述加热温度为200-250℃，温度控制精度为±5℃，保温时间40-60min。
8、优选的，前述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法中，其中步骤s2中所述采用霍尔离子源进行镀前清洗的参数设置如下：气体为ar/h2混合气体，总流量为35-50sccm，ar：h2≥5，阳极电压100-150v，阳极电流为2-4a，清洗时间为10-15分钟。
9、优选的，前述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法中，其中步骤s2中所述铜膜沉积的参数设置如下：铜料的纯度为99.9％，速率为0.2-0.4nm/s，铜膜厚度为400-600nm。
10、优选的，前述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法中，其中步骤s2中采用霍尔离子源进行辅助的参数设置如下：辅助气体为o2，流量为30-40sccm，阳极电压为150v-200v，阳极电流为3-5a。
11、本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。本专利技术提出的一种高附着力、可焊接的导电铜膜电极，所述导电铜膜电极通过以下步骤制得：
12、s1将清洗干净的导电基片装卡，漏出电极沉积区域，在真空条件下加热；
13、s2将步骤s1得到的导电基片采用霍尔离子源进行镀前清洗，之后进行铜膜沉积，同时采用霍尔离子源进行辅助，真空室降温后，取出基片，得到所述导电铜膜电极。
14、优选的，前述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极，其中所述导电铜膜电极的面电阻为0.5-0.9ω，附着力为0级。
15、本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。本专利技术提出的一种透明加热背板玻璃，所述透明加热背板玻璃包括高附着力、可焊接的导电铜膜电极；所述导电铜膜电极通过以下步骤制得：
16、s1将清洗干净的导电基片装卡，漏出电极沉积区域，在真空条件下加热；
17、s2将步骤s1得到的导电基片采用霍尔离子源进行镀前清洗，之后进行铜膜沉积，同时采用霍尔离子源进行辅助，真空室降温后，取出基片，得到所述导电铜膜电极。
18、借由上述技术方案，本专利技术提供的一种高附着力、可焊接的导电铜膜电极及其制备方法和应用，至少具有下列优点：
19、本专利技术所提供的方法，可制备得到导电率佳，膜基附着力高，可直接焊接的铜膜电极，大大简化金属加热电极的制备工艺，造价低。
20、本专利技术所提供的方法，可制备得到导电率佳，膜基附着力高，可直接焊接的铜膜电极，与传统的涂覆银浆方式相比，大大简化金属加热电极的制备工艺，工序少，所用材料量少且造价低。
21、本专利技术所制备的导电铜膜电极的面电阻为0.5-0.9ω，附着力为0级。
22、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例详细说明如后。
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1.一种高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述导电基片的清洗包括：首先采用丙酮超声清洗10-15min，然后采用无水乙醇超声清洗10-15min。
3.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述真空度≤3.0×10-3Pa。
4.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述加热温度为200-250℃，温度控制精度为±5℃，保温时间40-60min。
5.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述采用霍尔离子源进行镀前清洗的参数设置如下：气体为Ar/H2混合气体，总流量为35-50SCCM，Ar：H2≥5，阳极电压100-150v，阳极电流为2-4A，清洗时间为10-15分钟。
6.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述铜膜沉积
7.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中采用霍尔离子源进行辅助的参数设置如下：辅助气体为O2，流量为30-40SCCM，阳极电压为150V-200V，阳极电流为3-5A。
8.一种高附着力、可焊接的导电铜膜电极，其特征在于，所述导电铜膜电极通过以下步骤制得：
9.如权利要求8所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极，其特征在于，所述导电铜膜电极的面电阻为0.5-0.9Ω，附着力为0级。
10.一种透明加热背板玻璃，其特征在于，所述透明加热背板玻璃包括高附着力、可焊接的导电铜膜电极；所述导电铜膜电极通过以下步骤制得：
...【技术特征摘要】
1.一种高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述导电基片的清洗包括：首先采用丙酮超声清洗10-15min，然后采用无水乙醇超声清洗10-15min。
3.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述真空度≤3.0×10-3pa。
4.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述加热温度为200-250℃，温度控制精度为±5℃，保温时间40-60min。
5.如权利要求1所述的高附着力、可焊接的导电铜膜电极的制备方法，其特征在于，步骤s2中所述采用霍尔离子源进行镀前清洗的参数设置如下：气体为ar/h2混合气体，总流量为35-50sccm，ar：h2≥5，阳极电压100-150v，阳极电流为2-4a...
【专利技术属性】
技术研发人员：金扬利，韩滨，陈玮，刘永华，赵凡，何坤，
申请(专利权)人：中国建筑材料科学研究总院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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