【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力设备，特别是一种零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构。
技术介绍
1、发电机出口的短路电流通常包含巨大的直流分量，易出现电流延迟过零现象，且短路电流峰值高，能达到190ka及以上的大电流，对断路器开断性能的要求较高。发电机出口断路器装设于发电机出口与升压变压器之间，是保障发电机组安全稳定运行的核心电力装备。传统电流转移式开断技术能够强迫电流下降至过零点，但在高频转移电流作用下，电流变化率很大，零区剩余等离子体难以及时消散，增加了弧后重燃的概率，不利于超大短路电流开断。
2、在
技术介绍
部分中公开的所述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可能包含不构成在本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对所述现有技术存在的不足或缺陷，提供了一种零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，在电流快速转移的过程中，同步在快速真空开关的触头系统施加横向磁场，加速零区剩余等离子体的消散，提高短路电流开断的可靠性，具有开断容量大、开断可靠性高、开断速度快等优势，能够更好的满足大型发电系统的运行要求，大电流指的是达到190ka及以上的电流。
2、本专利技术的目的是通过以下技术方案予以实现。
3、一种零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构包括，
4、零区横磁强化型真空开关模块，其包括，
5、快速真空开关，其包括静触头和动触头，静触头和动触头分离产生等离子体，
6、横磁线圈，所述横磁线圈紧靠所述静触头
7、转移模块，其经由辅助开关并联所述快速真空开关；
8、限流模块，其并联所述转移模块。
9、所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构中，所述静触头和动触头均采用杯状纵磁结构的触头。
10、所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构中，静触头包括，
11、静导电杆，
12、静端触头杯，其连接所述静导电杆，静端触头杯开有朝预定倾斜方向倾斜的第一斜槽，
13、静端触头片，其设于所述静端触头杯相对于所述静导电杆的一端，
14、动触头包括，
15、动导电杆，
16、动端触头杯，其连接所述动导电杆，动端触头杯开有朝所述预定倾斜方向倾斜的第二斜槽，
17、动端触头片，其设于所述动端触头杯相对于所述动导电杆的一端，所述动端触头片与所述静端触头片在接触和分离之间切换，当电流流经静端触头杯、真空电弧和动端触头杯时，在静触头和动触头的间隙产生扩散所述真空电弧的纵向磁场。
18、所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构中，所述转移模块包括设于横磁线圈一端串联的转移电容和转移电感以及设于横磁线圈另一端的晶闸管组件，晶闸管组件包括反向并联的晶闸管t1和晶闸管t2。
19、所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构中，所述快速真空开关经由快速操作机构驱动，快速操作机构包括电磁操作机构和弹簧操作机构。
20、所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构中，所述限流电阻包括陶瓷电阻、铝壳电阻、水泥电阻的任意一个或者多个的组合。
21、所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构中，所述辅助开关包括真空开关、空气开关、电力电子开关的任意一个或者多个的组合。
22、零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构的开断方法包括如下步骤，
23、步骤s100：当故障电流下降到第一特征值时，发送分闸指令给快速真空开关；
24、步骤s200：当故障电流下降到第二特征值时，触发晶闸管组件，转移模块向快速真空开关释放转移电流，快速真空开关的电流急速下降，直流分量衰减，制造人工过零点，同时，转移电流流经横磁线圈，在快速真空开关的触头间隙同步施加横向磁场，加速零区剩余等离子体消散，增强弧后介质恢复能力；
25、步骤s300：快速真空开关过零开断，晶闸管组件过零截止，故障电流被限流模块限流，发送分闸指令给辅助开关，完成故障电流开断。
26、一种计算机存储介质，所述存储介质包括计算机指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行所述的方法。
27、一种电子设备，所述电子设备包括：
28、存储器，处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其中，
29、所述处理器执行所述程序时实现所述的方法。
30、与现有技术相比，本专利技术带来的有益效果为：
31、本专利技术通过控制快速真空开关动作，然后按照特定时序触发转移模块，实现电流快速转移、零区横磁强化过零和限流，最终完成故障电流开断。实现了对发电机源短路电流延迟过零的快速限制与开断。电流快速转移过程中，采用横磁线圈在快速真空开关的触头间隙施加横向磁场，加速了零区剩余等离子体的消散，增强了弧后瞬态恢复电压的耐受能力。采用快速真空开断技术替代传统sf6开断技术，具有完全环境友好的特点。
32、所述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够使得本专利技术的技术手段更加清楚明白，达到本领域技术人员可依照说明书的内容予以实施的程度，并且为了能够让本专利技术的所述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，下面以本专利技术的具体实施方式进行举例说明。
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1.一种零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，其包括，
2.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，优选的，所述静触头和动触头均采用杯状纵磁结构的触头。
3.如权利要求2所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，静触头包括，
4.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，所述转移模块包括设于横磁线圈一端串联的转移电容和转移电感以及设于横磁线圈另一端的晶闸管组件，晶闸管组件包括反向并联的晶闸管T1和晶闸管T2。
5.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，所述快速真空开关经由快速操作机构驱动，快速操作机构包括电磁操作机构和弹簧操作机构。
6.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，
7.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，所述辅助开关包括真空开关、空气开关、电力电子开关的任意一个或者多个的组合。
8.一种如权利要求1-7中任一项所述的
9.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质包括计算机指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行如权利要求8所述的方法。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
...【技术特征摘要】
1.一种零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，其包括，
2.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，优选的，所述静触头和动触头均采用杯状纵磁结构的触头。
3.如权利要求2所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，静触头包括，
4.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，所述转移模块包括设于横磁线圈一端串联的转移电容和转移电感以及设于横磁线圈另一端的晶闸管组件，晶闸管组件包括反向并联的晶闸管t1和晶闸管t2。
5.如权利要求1所述的零区横磁强化型大电流断路器的拓扑结构，其特征在于，所述快速真空开关经由快...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞，韩翔宇，李刚，翟晨乐，陈洪斌，荣命哲，孙晋茹，贾涛，殷晓刚，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：
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