【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及控制方法和等离子体处理装置。
技术介绍
1、已知一种技术，在蚀刻时，通过使施加的离子吸引用的高频功率与等离子体生成用的高频功率的通断(on·off：接通和关断)同步以使离子到达多结晶硅层上，使多结晶硅层的蚀刻速率均匀(例如，参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平10-64915号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、在专利文献1中，将作为等离子体生成用的高频功率的生成源功率和作为离子吸引用的高频功率的偏置功率这两个不同频率的高频功率施加到处理容器内以控制蚀刻速率。
3、本专利技术提供控制自由基和离子的量和质的技术。
4、用于解决技术问题的技术方案
5、依照本专利技术的一个方式，提供一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示与上述偏置的高频的周期同步的信号、或者由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
6、专利技术效果
7、依照一个方面，能够控制自由基和离子的量和质。
【技术保护点】
1.一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的控制方法，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的控制方法，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的控制方法，其特征在于：
8.如权利要求1～7中任一项所述的控制方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求1～8中任一项所述的控制方法，其特征在于：
10.如权利要求1～9中任一项所述的控制方法，其特征在于：
11.如权利要求1～10中任一项所述的控制方法，其特征在于：
12.如权利要求1～11中任一项所述的控制方法，其特征在于：
13.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
15.如权利要求13
16.如权利要求13～15中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
17.如权利要求13～16中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
18.如权利要求13～17中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
19.如权利要求13～18中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
20.一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的控制方法，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的控制方法，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的控制方法，其特征在于：
8.如权利要求1～7中任一项所述的控制方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求1～8中任一项所述的控制方法，其特征在于：
10.如权利要求1～9中任一项所述的控制方法，其特征在于：
11.如权利要求1～10中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，平野太一，早坂彻，久保田绅治，丸山幸儿，道菅隆，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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