【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及光检测元件和光检测元件的制造方法。具体地说，本技术涉及光检测元件的布线结构。
技术介绍
1、在半导体芯片的封装中，可以使用其中层压有单一半导体芯片的三维集成结构，以便抑制安装面积的增加。作为这样的三维集成结构，例如，存在这样的结构，其中，单一的存储器电路和逻辑电路在水平方向上布置，嵌入有氧化膜，并且平坦化，然后，层压，以便包括在固态成像器件下的平面方向上(见专利文献1和3)。此外，存在一种结构，其中，第一连接过孔连接第一基板结构和第二基板结构，穿透第一基板和第一层间绝缘层，延伸到第二基板结构的第二层间绝缘层，并且连接到第二层间绝缘层的第二布线层和第一层间绝缘层的第一布线层(例如，参见专利文献2)。
2、引用列表
3、专利文献
4、专利文献1：wo 2019/087764 a
5、专利文献2：日本专利申请特开第2019-68049号
6、专利文献3：wo 2020129686a
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题
2、然而，在上述传统技术中，因为对连接到封装件的外部端子的贯通电极的布置位置的限制很大，所以存在从层压芯片至外部端子的路径长度增加或者待布置的外部端子的数量的限制增加的可能性。
3、本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，缓和与封装的光检测元件的外部端子连接的贯通电极的布置位置的限制。
4、问题的解决方案
5、为了解决上述课题而作出本技术，本专利
6、另外，根据第一方面，第一布线层可以直接接合至第二布线层和第三布线层。这起到了能够实现形成在不同芯片上的布线层的连接部分的小型化的效果。
7、此外，根据第一方面，还可以包括设置在嵌入层上的支撑基板，并且贯通电极可穿透支撑基板和嵌入层并且连接到第一布线层。这起到了能够应对芯片的薄型化，并且能够确保封装的光检测元件的强度的效果。
8、此外，根据第一方面，还可以包括传感器芯片，在传感器芯片上层压第一芯片，并且传感器芯片具有形成在前表面侧上的第四布线层和形成在后表面侧上的像素。这起到了能够抑制封装的光检测元件的安装面积的增大，并且在成像功能中添加数据处理功能、存储功能等的效果。
9、另外，根据第一方面，第一布线层可包括：前表面布线层，形成在第一芯片的前表面侧上；后表面布线层，形成在第一芯片的后表面侧上；前表面布线层可以直接接合至第四布线层；后表面布线层直接接合至第二布线层和第三布线层；并且贯通电极可以穿透嵌入层，并且连接到后表面布线层。这起到了缓和与封装的光检测元件的外部端子连接的贯通电极的布置位置的限制的效果。
10、此外，根据第一方面，还可以包括设置在传感器芯片上的透明基板。这起到了能够应对传感器芯片的薄型化，并且能够确保封装的光检测元件的强度的效果。
11、此外，根据第一方面，还可以包括将传感器芯片的成像区域与透明基板分开的腔体。这起到了能够不影响传感器芯片的光学功能地确保封装的光检测元件的强度的效果。
12、另外，第二方面提供一种光检测元件，包括：第一芯片，在其上形成第一布线层；第二芯片，层压在第一芯片上，并且在第二芯片上形成第二布线层；嵌入层，层压在第一芯片上，使得第二芯片嵌入在嵌入层中；重布线层，形成在嵌入层上；以及贯通电极，穿透嵌入层，并且连接重布线层和第一布线层。这起到了缓和与封装的光检测元件的外部端子连接的贯通电极的布置位置的限制的效果。
13、另外，第三方式提供一种光检测元件，包括：第一芯片，在其上形成第一布线层；第二芯片，面朝下安装在第一布线层上，并且在其上形成第二布线层；嵌入层，层压在第一芯片上，使得第二芯片嵌入在嵌入层中；以及第一贯通电极，穿透嵌入层，并且经由第一布线层连接到第二布线层。这起到了这样的效果：连接到第二芯片的半导体层上的第二布线层的第一贯通电极在不穿透第二芯片的半导体层的情况下延伸到外部。
14、此外，根据第三方面，还可以包括穿透嵌入层并且在不隔着第二布线层上午情况下连接到第一布线层的第二贯通电极。这起到了这样的效果：连接到第一芯片的第一布线层的第二贯通电极在不穿透第二芯片的半导体层的情况下延伸到外部。
15、另外，在第三方面中，也可以是，第一布线层直接接合至第二布线层。这起到了能够实现形成在不同芯片上的布线层的连接部分的小型化的效果。
16、此外，根据第三方面，还可以包括传感器芯片，在传感器芯片上层压第一芯片，并且该传感器芯片具有形成在前表面侧上的第三布线层和形成在后表面侧上的像素。这起到了能够抑制封装的光检测元件的安装面积的增大，并且在成像功能中添加数据处理功能、存储功能等的效果。
17、此外，根据第三方面，第一布线层可以包括：前表面布线层，形成在第一芯片的前表面侧上；以及后表面布线层，形成在第一芯片的后表面侧上；前表面布线层可以直接接合至第三布线层；后表面布线层可以直接接合至第二布线层；并且第一贯通电极可以穿透嵌入层，并且经由后表面布线层连接到第二布线层。这起到了缓和与封装的光检测元件的外部端子连接的贯通电极的布置位置的限制的效果。
18、此外，根据第三方面，还可以包括第四芯片，层压在传感器芯片与第一芯片之间，并且在第四芯片上形成第四芯片。这起到了能够抑制封装的光检测元件的安装面积的增大，并且能够扩大与成像功能相关的数据处理功能、存储功能等的效果。
19、另外，第四方式提供一种光检测元件，该光检测元件包括：第一芯片，在其上形成第一布线层；第二芯片，与第一芯片形成层压结构，并且在第二芯片上形成第二布线层；第三芯片，与第一芯片和第二芯片形成层压结构，并且在第三芯片上形成第三布线层；嵌入层，与第一芯片和第二芯片形成层压结构，使得第三芯片嵌入在嵌入层中；以及第一贯通电极，穿透嵌入层，并且连接到第二布线层。这起到了能够支撑3层以上的芯片的层压结构，并且能够缓和与封装的光检测元件的外部端子连接的贯通电极的布置位置的限制的效果。
20、另外，根据第四方面，第一芯片可以位于第一层中，第二芯片可以位于第二层中，并且第三芯片可以位于第三层中；光检测元件还可以包括第二贯通电极，其穿透嵌入层、连接到第三布线层、且比第一贯通电极的长度短。这起到了与不同层的芯片连接的贯通电极延伸到外部的效果。
21、此外，根据第四方面，第一芯片可以位于第一层中，第二芯片可以位于第三层中，并且第三芯片可以位于第二层中；光检测元件本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光检测元件，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测元件，其中，
3.根据权利要求1所述的光检测元件，还包括：支撑基板，设置在所述嵌入层上，其中，
4.根据权利要求1所述的光检测元件，还包括：传感器芯片，在所述传感器芯片上层压所述第一芯片，并且所述传感器芯片具有形成在前表面侧上的第四布线层和形成在后表面侧上的像素。
5.根据权利要求4所述的光检测元件，其中，
6.根据权利要求5所述的光检测元件，还包括：透明基板，设置在所述传感器芯片上。
7.根据权利要求6所述的光检测元件，还包括：腔体，将所述传感器芯片的成像区域与所述透明基板分开。
8.一种光检测元件，包括：
9.一种光检测元件，包括：
10.根据权利要求9所述的光检测元件，还包括：第二贯通电极，穿透所述嵌入层，并且在不隔着所述第二布线层的情况下连接到所述第一布线层。
11.根据权利要求9所述的光检测元件，其中，
12.根据权利要求9所述的光检测元件，还包括：传感器芯片，在所述传感器芯片上层压
13.根据权利要求12所述的光检测元件，其中，
14.根据权利要求13所述的光检测元件，还包括：第四芯片，层压在所述传感器芯片与所述第一芯片之间，并且在所述第四芯片上形成第四布线层。
15.一种光检测元件，包括：
16.根据权利要求15所述的光检测元件，其中，
17.根据权利要求15所述的光检测元件，其中，
18.根据权利要求15所述的光检测元件，其中，
19.根据权利要求15所述的光检测元件，其中，
20.根据权利要求15所述的光检测元件，还包括：虚设芯片，嵌入在所述嵌入层中，其中，
21.根据权利要求15所述的光检测元件，其中，
22.根据权利要求15所述的光检测元件，其中，
23.根据权利要求15所述的光检测元件，还包括：虚设芯片，嵌入在所述嵌入层中，并且所述虚设芯片具有形成在虚设基板上的虚设布线层，其中，
24.根据权利要求15所述的光检测元件，还包括：支撑基板，支撑嵌入有所述第三芯片的嵌入层，其中，
25.一种光检测元件，包括：
26.根据权利要求23所述的光检测元件，还包括：第二芯片，与所述第一芯片形成层压结构，并且在所述第二芯片上形成延伸到所述嵌入层上的第二布线层，其中，
27.根据权利要求23所述的光检测元件，还包括：支撑基板，支撑嵌入有所述第一芯片的嵌入层，其中，
28.根据权利要求23所述的光检测元件，其中，
29.根据权利要求23所述的光检测元件，其中，
30.根据权利要求23所述的光检测元件，其中，
31.一种光检测元件的制造方法，所述方法包括：
32.根据权利要求31所述的光检测元件的制造方法，还包括：在所述嵌入层上层压支撑基板晶圆的步骤，其中，
33.根据权利要求31所述的光检测元件的制造方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光检测元件，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测元件，其中，
3.根据权利要求1所述的光检测元件，还包括：支撑基板，设置在所述嵌入层上，其中，
4.根据权利要求1所述的光检测元件，还包括：传感器芯片，在所述传感器芯片上层压所述第一芯片，并且所述传感器芯片具有形成在前表面侧上的第四布线层和形成在后表面侧上的像素。
5.根据权利要求4所述的光检测元件，其中，
6.根据权利要求5所述的光检测元件，还包括：透明基板，设置在所述传感器芯片上。
7.根据权利要求6所述的光检测元件，还包括：腔体，将所述传感器芯片的成像区域与所述透明基板分开。
8.一种光检测元件，包括：
9.一种光检测元件，包括：
10.根据权利要求9所述的光检测元件，还包括：第二贯通电极，穿透所述嵌入层，并且在不隔着所述第二布线层的情况下连接到所述第一布线层。
11.根据权利要求9所述的光检测元件，其中，
12.根据权利要求9所述的光检测元件，还包括：传感器芯片，在所述传感器芯片上层压所述第一芯片，并且所述传感器芯片具有形成在前表面侧上的第三布线层和形成在后表面侧上的像素。
13.根据权利要求12所述的光检测元件，其中，
14.根据权利要求13所述的光检测元件，还包括：第四芯片，层压在所述传感器芯片与所述第一芯片之间，并且在所述第四芯片上形成第四布线层。
15.一种光检测元件，包括：
16.根据权利要求15所述的光检测元件，其中，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤曲润一郎，长田昌也，平塚龙将，驹井尚纪，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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