【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置及电子设备。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路、运算装置、存储装置等为半导体装置的一个方式。另外，摄像装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
1、作为应用于虚拟现实(vr：virtual reality)或增强现实(ar：augmentedreality)等的电子设备，已开发了护目镜型或眼镜型设备。
2、此外，作为可以应用于护目镜型或眼镜型设备的小型显示装置，典型地可以举出包括液晶元件的显示装置、包括有机el(electro luminescence：电致发光)元件或发光二极管(led：light emitting diode)等的显示装置等。
3、由于包括有机el元件的显示装置不需要液晶显示装置所需要的背光源，所以可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。例如，专利文献1公开了使用有机el元件的显示装置的例子。
4、此外，专利文献2公开了如下技术：为了降低设在显示装置中的驱动器ic的生产成本及安装面积，将构成源极驱动器的电路的一部分与像素电路同样地形成在玻璃衬底上。
5、[先
6、[专利文献]
7、[专利文献1]日本专利申请公开第2002-324673号公报
8、[专利文献2]日本专利申请公开第2019-20687号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、应用于vr或ar等的电子设备是可穿戴设备之一，为了提高携带性及佩戴性而优选实现小型化和轻量化。因此，构成电子设备的构件需要在满足所需要的功能的同时实现小型化。
3、为了实现显示装置的小型化，在提高像素密度的同时需要缩小显示区域外侧的区域(边框)。
4、显示装置包括用来驱动像素电路的驱动电路。作为该驱动电路，除了安装ic芯片的结构之外，一般采用以单片(monolithic)方式将驱动电路的一部分与像素电路一起形成在同一衬底上的结构。上述结构都利用边框的区域，因此窄边框化具有局限性。
5、为了进一步实现窄边框化，优选重叠地配置驱动电路与显示区域。例如，通过在形成有驱动电路的硅衬底上使用可用薄膜形成的晶体管形成像素电路，可以使边框极窄。另外，通过使用可用薄膜形成的晶体管形成驱动电路的一部分，可以提高设在硅衬底上的电路的自由度。
6、于是，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种小型显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种边框窄的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可执行高速工作的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高性能显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种包括上述显示装置的电子设备。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的电子设备。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的电子设备。
7、注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
8、解决技术问题的手段
9、本专利技术的一个方式是一种采用层叠有驱动电路及像素电路的结构的显示装置。构成驱动电路的构成要素的一部分的晶体管在半导体层中包含金属氧化物，并且具有适合进行高速工作的结构。
10、本专利技术的第一方式是一种显示装置，该显示装置包括像素电路及具有与像素电路重叠的区域的驱动电路，驱动电路包括第一电路及第二电路，第二电路具有与第一电路重叠的区域，像素电路具有与第二电路重叠的区域，第一电路包括在沟道形成区域中包含硅的第一晶体管，第二电路包括在半导体层中包含金属氧化物的第二晶体管，像素电路包括在半导体层中包含金属氧化物的第三晶体管，第二晶体管是沟道形成区域沿着绝缘层的侧面设置的晶体管。
11、在第一方式中，显示装置包括第一层、第二层及第三层，第二层可以设在第一层与第三层之间，像素电路可以设在第三层，第一电路可以设在第一层，第二电路可以设在第二层。
12、本专利技术的第二方式是一种显示装置，该显示装置包括第一层、第二层及第三层，第二层设在第一层与第三层之间，第三层设有像素电路，第一层及第二层设有像素电路的驱动电路，第一层设有作为驱动电路的构成要素的第一电路，第二层设有作为驱动电路的构成要素的第二电路，第一电路包括在沟道形成区域中包含硅的第一晶体管，第二电路包括在半导体层中包含金属氧化物的第二晶体管，像素电路包括在半导体层中包含金属氧化物的第三晶体管，第二晶体管是沟道形成区域沿着第二层所包括的绝缘层的侧面设置的晶体管。
13、本专利技术的第三方式是一种显示装置，该显示装置包括第一层、第二层及第三层，第二层设在第一层与第三层之间，第二层及第三层设有像素电路，第一层及第二层设有像素电路的驱动电路，第一层设有作为驱动电路的构成要素的第一电路，第二层设有作为驱动电路的构成要素的第二电路及像素电路的第一构成要素，第三层设有像素电路的第二构成要素，第一电路包括在沟道形成区域中包含硅的第一晶体管，第二电路包括在半导体层中包含金属氧化物的第二晶体管，像素电路作为第一构成要素及第二构成要素分别包括在半导体层中包含金属氧化物的第四晶体管及在半导体层中包含金属氧化物的第三晶体管，第二晶体管及第四晶体管是沟道形成区域沿着第二层所包括的绝缘层的侧面设置的晶体管。
14、在第三方式中优选的是，像素电路的驱动晶体管使用第三晶体管形成，像素电路的选择晶体管使用第四晶体管形成，第三晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电层及被用作第二栅极的第二导电层，第一导电层与第二导电层电连接，第二导电层与第四晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
15、在第一至第三方式中，在依次层叠第一导电层、绝缘层及第二导电层的叠层中，可以以到达第一导电层的方式在绝缘层及第二导电层设置开口。
16、沟道形成区域沿着绝缘层的侧面设置的晶体管可以包括以覆盖开口的方式设置的包含金属氧化物的半导体层、以覆盖来源于开口的凹部的方式设在包含金属氧化物的半导体层及第二导电层上的第二绝缘层以及以填充来源于开口的凹部的方式设在第二绝缘层上的第三导电层。
17、在第一至第三方式中，第一电路及第二电路是源极驱动器的构成要素，第二电路可以包括通道晶体管逻辑电路。另外，第二电路也可以包括锁存电路。
18、在第一至第三方式中，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，包括：
3.一种显示装置，包括：
4.一种显示装置，包括：
5.根据权利要求4所述的显示装置，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，
7.根据权利要求6所述的显示装置，
8.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，
9.根据权利要求7所述的显示装置，
10.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，
11.根据权利要求10所述的显示装置，
12.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，
13.一种电子设备，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，包括：
3.一种显示装置，包括：
4.一种显示装置，包括：
5.根据权利要求4所述的显示装置，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，
7.根据权利要求6所述的显示装置，
...【专利技术属性】
技术研发人员：楠纮慈，川岛进，肉户英明，热海知昭，斋藤元晴，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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