【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体预清洁设备的电极，特别涉及一种电极及半导体预清洁设备。
技术介绍
1、在半导体生产制造的外延沉积步骤之前，往往需要通过预清洁的步骤去除基材表面的氧化层，如氧化硅，常见的预清洁方法有干法和湿法预清洁两种，干法预清洁是通过激发工艺气体产生等离子体和自由基，自由基与基材表面氧化物发生化学反应生成化合物，之后通过加热使其分解挥发，从而达到清洁的目的。干法预清洁具有结构简洁、流程简单、清洁效率高等优点，是目前被广泛使用的预清洁方法，其关键结构是等离子体源，应用最广泛的是利用空心阴极放电效应产生等离子体和自由基，现有技术中所用的电极结构有两种，一种是上下等宽的直筒电极，另一种是上小下大的锥形电极，然而，直筒电极存在气压变化小以及自由基分布不均匀等缺点，锥形电极虽然克服了直筒电极的缺点，但是却存在由于需要施加较高的击穿电压导致的金属颗粒污染的问题，会对预清洁造成一定影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种电极及半导体预清洁设备，解决现有技术的电极存在的气压变化小、自由基分布不均匀、金属颗粒污染等问题。
2、为了实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
3、一种电极，应用于半导体预清洁设备，所述电极位于平板电极的上方，所述电极包括：
4、电极主体，所述电极主体包括进气口和与进气口连通的内腔体；
5、其中，所述内腔体的纵截面的内轮廓为以中轴线为对称轴的轴对称图形，所述内腔体包括腔体内壁，自所述进气口至所述平板电极的
6、可选的，所述内腔体的纵截面的内轮廓为塔状结构，所述腔体内壁的纵截面呈阶梯状，所述阶梯状的腔体内壁包括沿所述内腔体的纵向的竖壁和沿所述内腔体的横向的横壁。
7、可选的，所述阶梯状的腔体内壁包括至少三级阶梯，每一级阶梯包括相连的所述竖壁和所述横壁。
8、可选的，各级所述阶梯的所述竖壁的高度均相等，各级所述阶梯的所述横壁的宽度均相等。
9、可选的，各级所述阶梯的所述竖壁的高度均相等，自所述进气口至所述平板电极的方向，各级所述阶梯的所述横壁的宽度逐级增大。
10、可选的，各级所述阶梯的所述横壁的宽度均相等，自所述进气口至所述平板电极的方向，各级所述阶梯的所述竖壁的高度逐级增大。
11、可选的，自所述进气口至所述平板电极的方向，各级所述阶梯的所述横臂的宽度及所述竖壁的高度均逐级增大。
12、可选的，所述竖壁和所述横壁的连接处设置倒角。
13、可选的，所述内腔体的纵截面的内轮廓为钟形结构。
14、可选的，所述腔体内壁为钟形曲面，所述曲面上各点的曲率中心指向所述内腔体的所述中轴线。
15、可选的，自所述进气口至所述平板电极的方向，所述曲面的曲率变小。
16、可选的，所述电极的横截面的内轮廓为圆形、偶数边的正多边形中至少一者。
17、本专利技术还提供一种半导体预清洁设备，包括：
18、所述电极；
19、平板电极，所述平板电极设置于所述电极的下方；
20、工艺腔，所述工艺腔设置于所述平板电极的下方。
21、与现有技术相比，本专利技术具有如下优点：
22、(1)本专利技术通过将电极的内腔体的直径设计为在自所述进气口至所述平板电极的方向非线性增大，可以增大气压的变化范围，同时提高了生成的自由基的范围和浓度，提高了预清洁效果。
23、(2)通过将内腔体的纵截面设计为塔状，该结构既有直径的梯度变化，又可以保证在沿轴向一定的范围内电极壁的平行，即可增大气压的变化范围，又可以保证很好的放电效率。
24、(3)通过将内腔体的纵截面设计为钟状，腔体内壁轮廓为曲率中心指向内腔体中轴的曲线，该结构既保留了直径的梯度变化，又由于曲率的变化带来的电子的运动方向不断的变化，电子的运动方向均朝着曲率中心的方向集中，从而增加了此区域的电子密度和能量密度，使得可以在更低的电压下发生起辉放电，且随着钟状结构趋于平行，也有利于电子能量的增强。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电极，应用于半导体预清洁设备，所述电极位于平板电极的上方，其特征在于，所述电极包括：
2.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述内腔体的纵截面的内轮廓为塔状结构，所述腔体内壁的纵截面呈阶梯状，所述阶梯状的腔体内壁包括沿所述内腔体的纵向的竖壁和沿所述内腔体的横向的横壁。
3.如权利要求2所述的电极，其特征在于，所述阶梯状的腔体内壁包括至少三级阶梯，每一级阶梯包括相连的所述竖壁和所述横壁。
4.如权利要求3所述的电极，其特征在于，各级所述阶梯的所述竖壁的高度均相等，各级所述阶梯的所述横壁的宽度均相等。
5.如权利要求3所述的电极，其特征在于，各级所述阶梯的所述竖壁的高度均相等，自所述进气口至所述平板电极的方向，各级所述阶梯的所述横壁的宽度逐级增大。
6.如权利要求3所述的电极，其特征在于，各级所述阶梯的所述横壁的宽度均相等，自所述进气口至所述平板电极的方向，各级所述阶梯的所述竖壁的高度逐级增大。
7.如权利要求3所述的电极，其特征在于，自所述进气口至所述平板电极的方向，各级所述阶梯的所述横壁的宽度及所述
8.如权利要求3所述的电极，其特征在于，所述竖壁和所述横壁的连接处设置倒角。
9.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述内腔体的纵截面的内轮廓为钟形结构。
10.如权利要求9所述的电极，其特征在于，所述腔体内壁为钟形曲面，所述曲面上各点的曲率中心指向所述内腔体的所述中轴线。
11.如权利要求9所述的电极，其特征在于，自所述进气口至所述平板电极的方向，所述曲面的曲率变小。
12.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述电极的横截面的内轮廓为圆形、偶数边的正多边形中至少一者。
13.一种半导体预清洁设备，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电极，应用于半导体预清洁设备，所述电极位于平板电极的上方，其特征在于，所述电极包括：
2.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述内腔体的纵截面的内轮廓为塔状结构，所述腔体内壁的纵截面呈阶梯状，所述阶梯状的腔体内壁包括沿所述内腔体的纵向的竖壁和沿所述内腔体的横向的横壁。
3.如权利要求2所述的电极，其特征在于，所述阶梯状的腔体内壁包括至少三级阶梯，每一级阶梯包括相连的所述竖壁和所述横壁。
4.如权利要求3所述的电极，其特征在于，各级所述阶梯的所述竖壁的高度均相等，各级所述阶梯的所述横壁的宽度均相等。
5.如权利要求3所述的电极，其特征在于，各级所述阶梯的所述竖壁的高度均相等，自所述进气口至所述平板电极的方向，各级所述阶梯的所述横壁的宽度逐级增大。
6.如权利要求3所述的电极，其特征在于，各级所述阶梯的所述横壁的宽度均相等，自...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟硕彦，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。