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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种金属互连线的制造方法,还涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、金属互连工艺普遍应用于半导体制程中。对于部分产品,金属互连线会出现金属层次后腐蚀缺陷(metal corrosion defect)。产生该缺陷的后果较为严重,应尽量避免。
技术实现思路
1、基于此,有必要提供一种能够防止形成金属层次后腐蚀缺陷的金属互连线的制造方法。
2、一种金属互连线的制造方法,包括:蚀刻晶圆的第一主面的金属层形成金属互连线;对所述金属互连线进行清洗处理;对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理。
3、上述金属互连线的制造方法,通过清洗处理将金属层蚀刻产生的聚合物去除后,再将金属互连线的表面氧化,利用氧化层阻止环境中的氯离子、氟离子等与金属互连线反应形成金属层次后腐蚀缺陷。通过先清洗、再氧化,既可以避免金属层蚀刻步骤产生的聚合物阻碍氧化的进行,又可以为生产效率提供足够的工艺窗口。
4、在其中一个实施例中,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤之后还包括:对所述第一主面贴保护膜;对所述晶圆的第二主面进行减薄处理;所述第一主面和第二主面相对设置。
5、在其中一个实施例中,从所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤完成,到所述对所述晶圆的第二主面进行减薄处理开始的时间小于等于180小时。
6、在其中一个实施例中,所述对所述金属互连线进行清洗处理的步骤的清洗时长为1500-2000秒。
8、在其中一个实施例中,所述金属互连线的材质包括铝铜合金。
9、在其中一个实施例中,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤,在所述金属互连线的表面形成氧化铝。
10、在其中一个实施例中,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤,是在等离子灰化设备的反应腔中通入氮气和氧气处理30~70秒。
11、在其中一个实施例中,所述氧化处理过程中所述反应腔内的气压为800毫托至1200豪托。
12、在其中一个实施例中,所述氧化处理过程中等离子灰化设备的功率为2000至3000瓦。
13、在其中一个实施例中,所述氧化处理过程中所述反应腔通入的氧气流量为1000至4000sccm,通入的氮气流量为100至400sccm。
14、在其中一个实施例中,所述蚀刻晶圆的第一主面的金属层形成金属互连线的步骤是采用干法蚀刻,所述干法蚀刻的反应气体包括含氯元素的气体,以及含碳元素和氢元素的化合物。
15、在其中一个实施例中,所述干法蚀刻的反应气体包括bcl3。
16、在其中一个实施例中,所述蚀刻晶圆的第一主面的金属层形成金属互连线的步骤之后、所述对所述金属互连线进行清洗处理的步骤之前,还包括去除光刻胶的步骤。
17、在其中一个实施例中,所述去除光刻胶的步骤是使用等离子灰化设备去除光刻胶。
18、在其中一个实施例中,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤之后、所述对所述第一主面贴保护膜的步骤之前,还包括对所述晶圆进行热处理的步骤。
19、在其中一个实施例中,所述热处理包括退火处理。
20、在其中一个实施例中,所述热处理的步骤之前、所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤之后、还包括对所述晶圆进行缺陷检查的步骤。
21、在其中一个实施例中,所述热处理的步骤之后、所述对所述第一主面贴保护膜的步骤之前,还包括对所述晶圆进行电性测试的步骤。
22、还有必要保护一种半导体器件,包括金属互连线,所述半导体器件采用前述任一实施例所述的金属互连线的制造方法进行制造。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种金属互连线的制造方法,包括:
2.根据权利要求1所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤之后还包括:
3.根据权利要求2所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,从所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤完成,到所述对所述晶圆的第二主面进行减薄处理开始的时间小于等于180小时。
4.根据权利要求1所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述金属互连线的材质包括铝元素。
5.根据权利要求4所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述金属互连线的材质包括铝铜合金。
6.根据权利要求1所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤,是在等离子灰化设备的反应腔中通入氮气和氧气处理30~70秒。
7.根据权利要求1所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述蚀刻晶圆的第一主面的金属层形成金属互连线的步骤是采用干法蚀刻,所述干法蚀刻的反应气体包括含氯元素的气体,以及含碳元素和氢元素的化合物。
8.根据权利要求2所
9.根据权利要求3所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述热处理的步骤之前、所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤之后、还包括对所述晶圆进行缺陷检查的步骤;和/或
10.一种半导体器件,包括金属互连线,其特征在于,所述半导体器件采用如权利要求1-9中任一项所述的金属互连线的制造方法进行制造。
...【技术特征摘要】
1.一种金属互连线的制造方法,包括:
2.根据权利要求1所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤之后还包括:
3.根据权利要求2所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,从所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤完成,到所述对所述晶圆的第二主面进行减薄处理开始的时间小于等于180小时。
4.根据权利要求1所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述金属互连线的材质包括铝元素。
5.根据权利要求4所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述金属互连线的材质包括铝铜合金。
6.根据权利要求1所述的金属互连线的制造方法,其特征在于,所述对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理的步骤,是在等离子灰化设备的反应腔中通入氮气和氧气处理30~7...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈亚威,简志宏,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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