【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电材料，特别涉及一种含氮杂环化合物及包含其的有机电致发光元件。
技术介绍
1、有机电致发光器件(organic light emitting dode，oled)因具备面光源、冷光、节能、响应快、可柔性、超轻薄和成本低等优点，量产技术日益成熟。oleds属于注入型发光器件，其基本结构是将有机发光薄膜层夹在至少有一个透明电极的两个电极之间形成三明治结构。在此基础上，人们又开发了更为复杂的器件结构，特别是更多有机细分功能层的引入；这些“功能层”在提高器件发光效率和器件寿命方面起到了十分重要的作用。有机电致发光器件中的主要有机功能层包括：空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)、发光层、空穴注入层、电子注入层、空穴阻挡层等。
2、由于电子传输层材料的电子迁移率远低于空穴传输层材料的空穴迁移率，导致进入发光层的空穴和电子不平衡，影响元件的发光效率、寿命。
3、串联型元件通常在发光单元之间设置电荷生成层，以确保电荷有效地分配到发光叠层的同时提高各个发光层中的电流效率。通常，电荷生成层具有pn结，其中依次堆叠了n型电荷生成层和p型电荷生成层。电荷生成层的电子从n型电荷生成层到相邻的电子传输层的注入势垒比较大，因此，电子在n型电荷生成层与相邻电子传输层之间的界面处积累，容易引起该界面的劣化，使得元件寿命变短。
4、因此，急需开发新型材料用于电荷生成层的制备以提高元件的各项性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种含氮杂环化合物，使
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种含氮杂环化合物，该化合物具有式(1)所示结构其中
4、x选自o或s，
5、r1-r16各自独立选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的c1-c10的烷基、取代或未取代的c3-c10的环烷基、取代或未取代的c2-c10的烯基、取代或未取代的c6-c30的芳基、取代或未取代的c3-c30的杂芳基，
6、r1-r16各自独立存在，或相邻两者连结成环。
7、作为优选，该化合物选自式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)中任一化合物，
8、
9、优选地，该化合物选自式(1-5)、(1-6)、(1-7)、(1-8)中任一化合物，
10、
11、作为优选，r1-r16各自独立选自氢、氘、卤素、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、联吡啶基中的一种或其多种的组合。取代基多种的组合是指氢、氘、卤素与苯基、联苯基、萘基、吡啶基、联吡啶基之间的多种组合方式，所述组合是指基团通过单键连接，如r1可以选择苯基，也可以是氘代苯基。
12、作为优选，式(1)、(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)、(1-5)、(1-6)、(1-7)、(1-8)所示化合物中r4，r5连结成环，和/或r12，r13连结成环c。优选地，所述环c为六元环；优选地，所述环c为不饱和六元环。更优选地，所述环c为苯环。
13、作为优选，式(1)、(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)、(1-5)、(1-6)、(1-7)、(1-8)所示化合物中r4和r5连结成苯环，其余基团各自独立选自氢、氘、卤素、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、联吡啶基中的一种或其多种的组合。
14、作为优选，式(1)、(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)、(1-5)、(1-6)、(1-7)、(1-8)所示化合物中r12和r13连结成苯环，其余基团各自独立选自氢、氘、卤素、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、联吡啶基中的一种或其多种的组合。
15、作为优选，式(1-5)中x选自o或s，r8选自吡啶基或氘代吡啶基，所述氘代数量为1-4个。
16、作为优选，式(1-6)中x选自o或s，r16选自吡啶基或氘代吡啶基，所述氘代数量为1-4个。
17、作为优选，式(1-6)中x选自o或s，r16选自吡啶基或氘代吡啶基，所述氘代数量为1-4个；r4和r5连结成苯环；r1选自氢、苯基或氘代苯基，所述氘代数量为1-5个；其余基团选自氢或氘。
18、作为优选，式(1-7)中x选自o或s，r8选自吡啶基或氘代吡啶基，所述氘代数量为1-4个。
19、作为优选，式(1-7)中x选自o或s，r8选自吡啶基或氘代吡啶基，所述氘代数量为1-4个；r12和r13连结成苯环；r9选自氢、苯基或氘代苯基，所述氘代数量为1-5个；其余基团选自氢或氘。
20、作为优选，式(1-8)中x选自o或s，r4和r5连结成苯环，r12和r13连结成苯环，r1选自氢、苯基或氘代苯基，r9选自氢、苯基或氘代苯基，其余基团选自氢或氘。
21、作为优选，该化合物选自如下编号1-36中任一化合物
22、
23、
24、
25、一种本专利技术所述的含氮杂环化合物作为有机电致发光元件材料的应用。
26、一种有机电致发光元件，包含阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物。
27、作为优选，所述有机层包含电子传输层、发光层，所述电子传输层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物。
28、作为优选，所述有机层包含大于等于两个发光单元，所述发光单元之间包含电荷产生层，所述发光单元包含电子传输层，所述至少一个电荷产生层或/和至少一个电子传输层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物。
29、作为优选，所述有机层包含大于等于两个发光单元，所述发光单元之间包含电荷产生层，所述发光单元包含电子传输层，所述电荷产生层包含n型电荷产生层和p型电荷产生层，所述n型电荷产生层、电子传输层中的至少一层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物。
30、所述电子传输层包含各个发光单元的电子传输层，所述n型电荷产生层、电子传输层中的至少一层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物是指包括一个n型电荷产生层含本专利技术所述含氮杂环化合物；或多个n型电荷产生层含本专利技术所述含氮杂环化合物；或一个发光单元中的一个电子传输层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物；或一个n型电荷产生层和一个发光单元中的一个电子传输层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物；或一个n型电荷产生层和多个发光单元中的各个电子传输层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物；或多个n型电荷产生层和多个发光单元中的各个电子传输层包含本专利技术所述的含氮杂环化合物等。当大于等于2层包含本专利技术的含氮杂环化合物时，所述含氮杂环化合物相同或不同。
31、一种电子设备，包含本专利技术所述的有机电致发光元件。
32、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
33、1、本专利技术所述有机电致发光化合物具有苯并呋喃取代苯基结构，苯基对位分别具有含n杂芳基，能有效提高电子的注入与传输能力；使用该化合物制备的有机电致发光元件能本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含氮杂环化合物，其特征在于该化合物具有式(1)所示结构其中
2.根据权利要求1所述的含氮杂环化合物，其特征在于该化合物选自式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)中任一化合物，
3.根据权利要求1所述的含氮杂环化合物，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的含氮杂环化合物，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的含氮杂环化合物，其特征在于该化合物选自如下编号1-36中任一化合物
6.一种权利要求1-5任一项所述的含氮杂环化合物作为有机电致发光元件材料的应用。
7.一种有机电致发光元件，包含阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包含权利要求1-5任一项所述的含氮杂环化合物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，所述有机层包含电子传输层、发光层，所述电子传输层包含权利要求1-5任一项所述的含氮杂环化合物。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，所述有机层包含大于等于两个发光单元，所述发光单元之间包含电荷产生层，所述发光单元包含电子传输层，其特征在于：所述至
10.一种电子设备，包含权利要求7-9任一项所述的有机电致发光元件。
...【技术特征摘要】
1.一种含氮杂环化合物，其特征在于该化合物具有式(1)所示结构其中
2.根据权利要求1所述的含氮杂环化合物，其特征在于该化合物选自式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)中任一化合物，
3.根据权利要求1所述的含氮杂环化合物，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的含氮杂环化合物，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的含氮杂环化合物，其特征在于该化合物选自如下编号1-36中任一化合物
6.一种权利要求1-5任一项所述的含氮杂环化合物作为有机电致发光元件材料的应用。
7.一种有机电致发光元件，包含阳极...
【专利技术属性】
技术研发人员：李祥智，崔建新，秦佩，刘雪，钱烨，金光哲，
申请(专利权)人：海宁奕诺炜特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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