【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体设计及制造领域，更具体地，涉及一种半导体器件的结构、一种半导体器件的制备方法以及一种存储系统。
技术介绍
1、以三维存储器为例，一些半导体器件包括叠层结构，随着叠层结构中堆叠层数的不断增加，延伸至不同字线(wl，word line)上的接触孔(ct，contact)所需蚀刻的深度越来越大，对于ct蚀刻工艺以及刻蚀停止层的工艺也提出了更高的要求。为了降低工艺难度和简化工艺步骤，在相关技术中提出了sct(self-align contact)架构，sct工艺是利用台阶(ss，stair step)切削工艺将接触孔精准停到每层wl上，从而实现ss工艺和ct工艺的合并。
2、应当理解，该
技术介绍
部分描述的内容仅用于帮助理解本申请公开的技术方案，而并非一定属于本申请的申请日之前的现有技术。
技术实现思路
1、本申请的实施方式提供了可至少部分地解决相关技术中存在的上述问题、或其他问题的半导体器件及其制备方法、存储系统。
2、本申请一方面提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：叠层结构，包括交替堆叠的栅极层和第一介质层；以及接触结构，沿堆叠方向在所述叠层结构中延伸，并包括与多个栅极层连接的多个连接层，其中，在与所述多个连接层连接的所述多个栅极层中，至少部分栅极层位于不同的堆叠高度处。
3、在本申请一个实施方式中，所述半导体器件还包括沿所述堆叠方向贯穿所述叠层结构的栅线隔离结构，其中，多个所述栅线隔离结构中的至少一个在垂直于所述堆叠方向的第一方向
4、在本申请一个实施方式中，所述接触结构包括被所述栅线隔离结构间隔的第一部分和第二部分，其中，在所述第一部分中，所述多个连接层由外向内包括第一连接层和第二连接层，在所述第二部分中，所述多个连接层由外向内包括第三连接层和第四连接层，其中，所述第一连接层、所述第二连接层、所述第三连接层和所述第四连接层分别沿所述堆叠方向在所述叠层结构中延伸，并分别与不同堆叠高度处的栅极层连接。
5、在本申请一个实施方式中，分别与所述第一连接层、所述第二连接层连接的栅极层在所述堆叠方向均与同一第一介质层邻接；和/或分别与所述第三连接层、所述第四连接层连接的栅极层在所述堆叠方向均与同一第一介质层邻接。
6、在本申请一个实施方式中，所述接触结构包括被所述栅线隔离结构间隔的第一部分和第二部分，其中，在所述第一部分中，所述多个连接层由外向内包括第一连接层和第二连接层，在所述第二部分中，所述多个连接层由外向内包括第三连接层和第四连接层；所述第一连接层和所述第三连接层分别沿所述堆叠方向在所述叠层结构中延伸，并与第一栅极层连接，所述第二连接层和所述第四连接层分别沿所述堆叠方向在所述叠层结构中延伸，并与第二栅极层连接，所述第一栅极层和所述第二栅极层具有不同的堆叠高度。
7、在本申请一个实施方式中，所述第一栅极层和所述第二栅极层在所述堆叠方向均与同一第一介质层邻接。
8、在本申请一个实施方式中，所述第一连接层、所述第二连接层、所述第三连接层和所述第四连接层中的至少一个包括导电分部和间隔介质分部，其中，在垂直于所述堆叠方向的平面中，所述导电分部与所述栅线隔离结构邻接。
9、在本申请一个实施方式中，所述叠层结构包括沿所述第一方向分布的存储区和接触区，所述栅极层从所述存储区延伸至所述接触区；以及多个所述栅线隔离结构包括第一栅线隔离结构、第二栅线隔离结构、第三栅线隔离结构和第四栅线隔离结构中的至少一个，其中，所述第一栅线隔离结构沿所述第一方向连续延伸穿过所述存储区和所述接触区；所述第二栅线隔离结构沿所述第一方向断续延伸穿过所述存储区和所述接触区；所述第三栅线隔离结构沿所述第一方向在所述存储区中延伸；以及所述第四栅线结构沿所述第一方向在所述接触区中延伸。
10、在本申请一个实施方式中，所述第一栅线隔离结构、所述第二栅线隔离结构和所述第四栅线隔离结构中的至少一个在所述第一方向贯穿所述接触结构。
11、在本申请一个实施方式中，被不同的所述栅线隔离结构贯穿的多个所述接触结构在第二方向彼此对准排列或彼此错开排列，其中所述第一方向、所述第二方向和所述堆叠方向彼此垂直。
12、在本申请一个实施方式中，所述接触区包括与所述第一介质层在所述堆叠方向交替堆叠的第二介质层，其中，所述第二介质层在第二方向与所述栅极层连接，所述第一方向、所述第二方向和所述堆叠方向彼此垂直。
13、在本申请一个实施方式中，所述存储区对应至少一个所述接触区，至少一个所述接触区位于所述存储区的中部或者周缘。
14、本申请另一方面提供一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：交替堆叠第一介质层和第二介质层，以形成堆叠结构；在所述堆叠结构中形成第一开口，其中所述第一开口沿堆叠方向延伸至第一堆叠高度处的第二介质层，在所述第一开口中形成与所述第一堆叠高度处的第二介质层连接的第一牺牲层；沿所述堆叠方向扩展所述第一开口至第二堆叠高度处的第二介质层，以形成第二开口，并在所述第二开口中形成与所述第二堆叠高度处的第二介质层连接的第二牺牲层；以及去除部分所述第一牺牲层、部分所述第二牺牲层和部分所述第二介质层以形成牺牲空隙，并在所述牺牲空隙中形成栅极层以及分别与不同堆叠高度处的栅极层连接的多个连接层。
15、在本申请一个实施方式中，所述第二堆叠高度处的第二介质层和所述第一堆叠高度处的第二介质层在所述堆叠方向均与同一第一介质层邻接。
16、在本申请一个实施方式中，所述方法还包括：形成沿所述堆叠方向贯穿所述堆叠结构的栅线缝隙；以及经由所述栅线缝隙，去除部分所述第一牺牲层、部分所述第二牺牲层和部分所述第二介质层以形成所述牺牲空隙，其中，多个所述栅线缝隙中的至少一个在垂直于所述堆叠方向的第一方向延伸，并贯穿形成有所述第二牺牲层的所述第二开口。
17、在本申请一个实施方式中，在所述堆叠结构中形成第一开口包括：在所述堆叠结构中形成初始第一开口，其中所述初始第一开口沿堆叠方向延伸至位于所述第一堆叠高度处的第二介质层上的第一介质层；形成至少覆盖所述初始第一开口的第一初始隔离层；去除所述第一初始隔离层位于所述初始第一开口的底部的部分，以形成第一侧壁隔离层；以及沿所述堆叠方向扩展所述初始第一开口至所述第一堆叠高度处的第二介质层，以形成所述第一开口。
18、在本申请一个实施方式中，在所述第一开口中形成与所述第一堆叠高度处的第二介质层连接的第一牺牲层包括：形成初始第一牺牲层，所述初始第一牺牲层至少覆盖所述第一侧壁隔离层、所述第一堆叠高度处的第二介质层暴露在所述第一开口中的侧面以及所述第一开口的底部；以及去除所述初始第一牺牲层位于所述第一开口的底部的部分，以形成所述第一牺牲层。
19、在本申请一个实施方式中，沿所述堆叠方向扩展所述第一开口以形成第二开口包括：沿所述堆叠方向扩展形成有所述第一牺牲层的所述第一开口至下一个第一介质层，以形成初始第二开口，其中所述下一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求3或5所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求2或8所述的半导体器件，其中，
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
13.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述方法还包括：
16.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述堆叠结构中形成第一开口包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其
18.根据权利要求17所述的方法，其中，沿所述堆叠方向扩展所述第一开口以形成第二开口包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述第二开口中形成与所述第二堆叠高度处的第二介质层连接的第二牺牲层包括：
20.根据权利要求13或19所述的方法，其中，在形成所述第二牺牲层之后，所述方法还包括：
21.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中，
23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述方法还包括：
24.根据权利要求21所述的方法，其中，在所述堆叠结构中形成第一开口包括：
25.根据权利要求24所述的方法，其中，
26.根据权利要求24所述的方法，其中，
27.根据权利要求24所述的方法，其中，经由所述初始第一开口形成所述第一开口包括：
28.根据权利要求27所述的方法，其中，在所述第一开口中形成与所述不同堆叠高度处的第二介质层分别连接的第一牺牲层包括：
29.根据权利要求28所述的方法，其中，沿所述堆叠方向扩展所述第一开口以形成所述第二开口包括：
30.根据权利要求29所述的方法，其中，在所述第二开口中形成与所述不同的下一个第二介质层分别连接的第二牺牲层包括：
31.一种存储系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求3或5所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求2或8所述的半导体器件，其中，
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
13.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述方法还包括：
16.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述堆叠结构中形成第一开口包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述第一开口中形成与所述第一堆叠高度处的第二介质层连接的第一牺牲层包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中，沿所述堆叠方向扩展所述第一开...
【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，黎姗，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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