【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及电路，特别是涉及一种智能功率模块及负载驱动电路。
技术介绍
1、智能功率模块是一种智能的功率开关器件，其英文全称为intelligent powermodule，英文缩写为ipm。ipm模块内部集成了功率芯片和控制芯片，具备了高速、低功耗的特点，同时具备gtr(大功率晶体管，giant transistor)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及mosfet(场效应晶体管，metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点，此外，ipm模块同时具有电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护等保护功能，以其体积小、布局紧凑、使用方便等特点，广泛应用于家电、工业、能源等行业。
2、然而，目前的智能功率模块均使用的是直流电，因此使用智能功率模块需要将正常的市电(交流电)转换为标准的直流电，否则智能功率模块无法正常工作。交流电转换为直流电都是通过智能功率模块的外部电路完成转换，也正是如此，导致智能功率模块需要配备整流电路+pfc(power factor correction，功率因数校正)电路才能正常工作，导致智能功率模块的集成度低，其需要占据的印刷电路板的面积较大。
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的在于提供一种智能功率模块及负载驱动电路，具体技术方案如下：
2、在本专利技术实施例中，提供了一种智能功率模块，所述智能功率模块包括整流电路、逆变电路
3、所述整流电路，将所述交流电源提供的交流电转换为直流电，并将所述直流电提供给所述逆变电路和所述驱动电路；
4、所述驱动电路，用于接收逻辑控制信号并根据所述逻辑控制信号控制所述逆变电路的功率芯片的开启和关闭；
5、所述逆变电路，用于基于所述逻辑控制信号将所述直流电转换为可控交流电，以通过所述可控交流电控制负载工作。
6、可选地，所述整流电路和所述逆变电路中的功率芯片分别与二极管连接。
7、可选地，所述逆变电路包括第一功率芯片、第二功率芯片、第三功率芯片、第四功率芯片、第五功率芯片、第六功率芯片，所述驱动电路包括第一控制芯片和第二控制芯片；所述整流电路包括第七功率芯片和第八功率芯片，所述驱动电路还包括第三控制芯片；所述第一功率芯片的集电极通过所述电容与所述第七功率芯片的发射极连接；所述第八功率芯片的集电极与所述第一功率芯片、所述第二功率芯片和第三功率芯片的集电极连接；
8、微控制器单元与所述第一控制芯片的输入引脚、所述第二控制芯片的输入引脚和所述第三控制芯片的输入引脚连接；
9、所述第一控制芯片的输出引脚与所述第一控制芯片的输出引脚与所述第一功率芯片、所述第二功率芯片和第三功率芯片的栅极连接；
10、所述第二控制芯片的输出引脚与所述第四功率芯片、所述第五功率芯片和所述第六功率芯片的栅极连接；
11、所述第三控制芯片的输出引脚与所述第七功率芯片和所述第八功率芯片的栅极连接。
12、可选地，所述第一功率芯片的发射极和所述第四功率芯片的集电极与所述第一控制芯片的输出引脚连接后引出第一控制引脚并连接至所述负载；
13、所述第二功率芯片的发射极和所述第五功率芯片的集电极与所述第一控制芯片的输出引脚连接后引出第二控制引脚并连接至所述负载；
14、所述第三功率芯片的发射极和所述第六功率芯片的集电极与所述第一控制芯片的输出引脚连接后引出第三控制引脚并连接至所述负载。
15、可选地，所述第四功率芯片、所述第五功率芯片和第六功率芯片的发射极连接电阻后接地。
16、可选地，所述第七功率芯片的集电极和所述第八功率芯片的发射极通过电感与所述交流电源连接。
17、可选地，所述智能功率模块还包括引线框架、铝线和金线。
18、可选地于，所述智能功率模块还包括散热片。
19、可选地，所述负载至少包括电机。
20、可选地，所述智能功率模块中的所述整流电路、所述逆变电路和所述驱动电路按照预设封装流程封装在塑封体中。
21、本专利技术实施例还公开了一种负载驱动电路，所述负载驱动电路包括智能功率模块以及外围电路，所述外围电路包括交流电源、电容、电感、电阻和负载；所述智能功率模块包括整流电路、逆变电路和驱动电路，所述整流电路与连接电感和电容的交流电源连接，其中：
22、所述整流电路，将所述交流电源提供的交流电转换为直流电，并将所述直流电提供给所述逆变电路和所述驱动电路；
23、所述驱动电路，用于接收逻辑控制信号并根据所述逻辑控制信号控制所述逆变电路的功率芯片的开启和关闭；
24、所述逆变电路，用于基于所述逻辑控制信号将所述直流电转换为可控交流电，以通过所述可控交流电控制负载工作。
25、可选地，所述整流电路和所述逆变电路中的功率芯片分别与二极管连接。
26、可选地，所述逆变电路包括第一功率芯片、第二功率芯片、第三功率芯片、第四功率芯片、第五功率芯片、第六功率芯片，所述驱动电路包括第一控制芯片和第二控制芯片；所述整流电路包括第七功率芯片和第八功率芯片，所述驱动电路还包括第三控制芯片；所述第一功率芯片的集电极通过所述电容与所述第七功率芯片的发射极连接；所述第八功率芯片的集电极与所述第一功率芯片、所述第二功率芯片和第三功率芯片的集电极连接；
27、微控制器单元与所述第一控制芯片的输入引脚、所述第二控制芯片的输入引脚和所述第三控制芯片的输入引脚连接；
28、所述第一控制芯片的输出引脚与所述第一控制芯片的输出引脚与所述第一功率芯片、所述第二功率芯片和第三功率芯片的栅极连接；
29、所述第二控制芯片的输出引脚与所述第四功率芯片、所述第五功率芯片和所述第六功率芯片的栅极连接；
30、所述第三控制芯片的输出引脚与所述第七功率芯片和所述第八功率芯片的栅极连接。
31、可选地，所述第一功率芯片的发射极和所述第四功率芯片的集电极与所述第一控制芯片的输出引脚连接后引出第一控制引脚并连接至所述负载；
32、所述第二功率芯片的发射极和所述第五功率芯片的集电极与所述第一控制芯片的输出引脚连接后引出第二控制引脚并连接至所述负载；
33、所述第三功率芯片的发射极和所述第六功率芯片的集电极与所述第一控制芯片的输出引脚连接后引出第三控制引脚并连接至所述负载。
34、可选地，所述第四功率芯片、所述第五功率芯片和第六功率芯片的发射极连接电阻后接地。
35、可选地，所述第七功率芯片的集电极和所述第八功率芯片的发射极通过电感与所述交流电源连接。
36、可选地，所述智能功率模块还包括引线框架、铝线和金线。
37、可选地于，所述智能功率模块还包括散热片。
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【技术保护点】
1.一种智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括整流电路、逆变电路和驱动电路，所述整流电路与连接电感和电容的交流电源连接，其中：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述整流电路和所述逆变电路中的功率芯片分别与二极管连接。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述逆变电路包括第一功率芯片、第二功率芯片、第三功率芯片、第四功率芯片、第五功率芯片、第六功率芯片，所述驱动电路包括第一控制芯片和第二控制芯片；所述整流电路包括第七功率芯片和第八功率芯片，所述驱动电路还包括第三控制芯片；所述第一功率芯片的集电极通过所述电容与所述第七功率芯片的发射极连接；所述第八功率芯片的集电极与所述第一功率芯片、所述第二功率芯片和第三功率芯片的集电极连接；
4.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述第四功率芯片、所述第五功率芯片和第六功率芯片的发射极连接电阻后接地。
6.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述第七功率芯片的集电极和所述第八功
7.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括引线框架、铝线和金线。
8.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括散热片。
9.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述负载至少包括电机。
10.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块中的所述整流电路、所述逆变电路和所述驱动电路按照预设封装流程封装在塑封体中。
11.一种负载驱动电路，其特征在于，所述负载驱动电路包括如权利要求1-10任一项所述的智能功率模块以及外围电路，所述外围电路包括交流电源、电容、电感、电阻和负载。
12.一种空调，其特征在于，所述空调包括如权利要求11所述的负载驱动电路。
...【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括整流电路、逆变电路和驱动电路，所述整流电路与连接电感和电容的交流电源连接，其中：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述整流电路和所述逆变电路中的功率芯片分别与二极管连接。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述逆变电路包括第一功率芯片、第二功率芯片、第三功率芯片、第四功率芯片、第五功率芯片、第六功率芯片，所述驱动电路包括第一控制芯片和第二控制芯片；所述整流电路包括第七功率芯片和第八功率芯片，所述驱动电路还包括第三控制芯片；所述第一功率芯片的集电极通过所述电容与所述第七功率芯片的发射极连接；所述第八功率芯片的集电极与所述第一功率芯片、所述第二功率芯片和第三功率芯片的集电极连接；
4.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述第四功率芯片、所述第五功率芯片和第六功率芯片的发...
【专利技术属性】
技术研发人员：王令，马颖江，廖勇波，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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