【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种hbt器件的制作方法。
技术介绍
1、由于传统的硅(si)材料器件无法满足现代通信领域对高频带下射频(radiofrequency，rf)模块的高性能和低成本的需求，同时为了与传统的硅加工工艺兼容，降低制造成本，人们提出了硅锗(sige)/硅器件。其中，硅锗异质结双极晶体管(heterojunctionbipolar transistor，hbt)器件由于其高频性能优于硅双极性结型晶体管(bipolarjunction transistor，bjt)器件，因此得到了广泛的应用和研究。
2、相关技术中提供了一种基于双层多晶硅自对准工艺制作的sige hbt器件，采用该结构的器件对硅锗外延技术的要求较高，且该类结构的器件的外基区连接区域在硅锗外延时存在两种相反方向的外延生长，容易形成空洞(pitting)缺陷，从而降低了产品的可靠性和良率。
技术实现思路
1、本申请提供了一种hbt器件的制作方法，可以解决相关技术中提供的基于双层多晶硅自对准工艺制作的sige hbt器件存在空洞缺陷的问题，该方法包括：
2、提供一衬底，所述衬底中形成有隔离层，所述衬底和隔离层上形成有第一电介质层，所述第一电介质层上形成有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层上形成有第二电介质层，所述第二电介质层上形成有第三电介质层，所述第三电介质层上形成有第四电介质层，所述第一电介质层和所述第二电介质层、所述第四电介质层的构成材料相同，所述第一电介质层和所述第
3、去除第一目标区域的第一多晶硅层、第二电介质层、第三电介质层和第四电介质层，在所述第一目标区域形成第一沟槽，所述第一目标区域位于所述隔离层内层环绕的区域内；
4、在所述第一沟槽的侧壁形成第五电介质层，所述第五电介质层和所述第三电介质层的构成材料相同；
5、去除所述第四电介质层和所述第一沟槽下方的第一电介质层，在所述第一沟槽下方形成第二沟槽，所述第二沟槽底部的衬底暴露，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；
6、在所述第二沟槽中生长单晶硅层并对所述单晶硅层进行离子注入，生长的单晶硅层的顶部低于所述第二沟槽的开口；
7、去除所述第一沟槽侧壁的第五电介质层；
8、在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充锗硅层。
9、在一些实施例中，所述第一电介质层、所述第二电介质层以及所述第四电介质层包括二氧化硅层。
10、在一些实施例中，所述第三电介质层和所述第五电介质层包括氮化硅层。
11、在一些实施例中，所述去除所述第四电介质层和所述第一沟槽下方的第一电介质层，包括：
12、通过湿法刻蚀工艺去除所述第四电介质层和所述第一沟槽下方的第一电介质层。
13、在一些实施例中，所述去除所述第一沟槽侧壁的第五电介质层包括：
14、通过湿法刻蚀工艺去除所述第一沟槽侧壁的第五电介质层。
15、在一些实施例中，所述在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充锗硅层之后，还包括：
16、依次形成第六电介质层和第二多晶硅层，所述第六电介质层和所述第一电介质层的构成材料相同；
17、去除所述第三电介质层上方以及所述锗硅层上方的第六电介质层和第二多晶硅层；
18、依次形成第三多晶硅层和第七电介质层，所述第七电介质层和所述第一电介质层的构成材料相同；
19、去除除第二目标区域以外其他区域的第三电介质层、第三多晶硅层以及第七电介质层，所述第二目标区域位于所述隔离层内层环绕的区域内；
20、去除除第三目标区域以外其他区域的第一多晶硅层和预定深度的第一电介质层，所述第三目标区域位于所述隔离层外层环绕的区域内，所述第三目标区域的宽度大于所述第二目标区域的宽度；
21、去除剩余的第七电介质层，除所述第二目标区域外其他区域的第二电介质层，以及除所述第三目标区域以外其他区域的第一电介质层。
22、在一些实施例中，所述去除所述第三电介质层上方以及所述锗硅层上方的第六电介质层和第二多晶硅层，包括：
23、通过干法刻蚀工艺去除所述第六电介质层上方以及所述锗硅层上方的第二多晶硅层；
24、通过湿法刻蚀工艺去除所述第三电介质层上方以及所述锗硅层上方的第六电介质层。
25、本申请技术方案，至少包括如下优点：
26、通过在hbt器件的制作过程中，在衬底表面的电介质层中刻蚀形成用于填充锗硅层的沟槽后，先在沟槽中生长部分的单晶硅以形成主集电区，然后去除沟槽周侧的电介质层，进而在沟槽中填充锗硅层，采用该填充方式能够降低锗硅层填充的难度，降低空洞的形成，在一定程度上提高了产品的可靠性和良率；同时，形成的hbt器件由于锗硅层与周侧的多晶硅层横向连接，其外基区和基区结构具有较小的连接电阻。
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1.一种HBT器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电介质层、所述第二电介质层以及所述第四电介质层包括二氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三电介质层和所述第五电介质层包括氮化硅层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述第四电介质层和所述第一沟槽下方的第一电介质层，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一沟槽侧壁的第五电介质层包括：
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充锗硅层之后，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述第三电介质层上方以及所述锗硅层上方的第六电介质层和第二多晶硅层，包括：
【技术特征摘要】
1.一种hbt器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电介质层、所述第二电介质层以及所述第四电介质层包括二氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三电介质层和所述第五电介质层包括氮化硅层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述第四电介质层和所述第一沟槽下方的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘丙永，黄景丰，陈曦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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