【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体设计及制造领域，更具体地，涉及半导体器件、半导体器件的制备方法以及存储系统。
技术介绍
1、以三维存储器为例，为了进一步加快半导体器件的发展及应用，需要不断提高半导体器件的位密度，并同时减少其位成本。然而随着半导体器件的结构不断向着高层数高密度发展，其所包括的外围电路的尺寸越来越成为一个决定整个chip(芯片)大小的关键性因素。
2、因而，如何在不影响半导体器件综合性能的前提下，有效缩小外围电路的尺寸是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种可至少部分解决相关技术中存在的上述问题的半导体器件及其制备方法。
2、本申请一方面提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一器件结构；以及位于所述第一器件结构的第一侧的第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构沿第一方向延伸，并与所述第一器件结构连接；以及所述第二接触结构沿所述第一方向延伸，且与多个所述第一接触结构连接，其中，所述第一接触结构与所述第二接触结构连接的端面的尺寸大于所述第二接触结构与所述第一接触结构连接的端面的尺寸。
3、在本申请一个实施方式中，所述第一接触结构与所述第一器件结构的接触区域连接，其中，所述接触区域的类型包括栅极区域、源极区域和漏极区域中的至少一个；以及同一第二接触结构连接的多个第一接触结构与同一类型的接触区域连接。
4、在本申请一个实施方式中，所述半导体器件还包括第二器件结构，所述第二器件结构包括：存储单元阵列，以及与所述存储单元
5、在本申请一个实施方式中，所述第一接触结构包括与所述第一器件结构连接的第一端面以及与所述第二接触结构连接的第二端面，其中，所述第二端面的尺寸大于所述第一端面的尺寸。
6、在本申请一个实施方式中，所述第二接触结构包括多个连接部以及与所述多个连接部连接的根部，其中，所述多个连接部中的至少一个包括在所述第一方向相对的第三端面和第四端面，所述第三端面与所述第一接触结构连接，所述第四端面与所述根部连接。
7、在本申请一个实施方式中，所述半导体器件还包括基底和第四接触结构，所述基底位于所述第一器件结构与所述第一侧相对的第二侧，其中，所述第四接触结构沿所述第一方向延伸进所述基底。
8、在本申请一个实施方式中，所述第二接触结构在所述第一方向连接所述第四接触结构，其中，所述第四接触结构与所述二接触结构连接的端面的尺寸大于所述第二接触结构与所述第四接触结构连接的端面的尺寸。
9、在本申请一个实施方式中，所述半导体器件还包括第五接触结构，所述第五接触结构沿所述第一方向延伸，并与所述第一接触结构或所述第四接触结构连接，其中，所述第一接触结构与所述第五接触结构连接的端面的尺寸大于所述第五接触结构与所述第一接触结构连接的端面的尺寸；以及所述第四接触结构与所述第五接触结构连接的端面的尺寸大于所述第五接触结构与所述第四接触结构连接的端面的尺寸。
10、在本申请一个实施方式中，所述半导体器件还包括第二器件结构，其中，所述第二器件结构包括：存储单元阵列；以及与所述存储单元阵列连接的第一互连结构或第三接触结构，其中，所述第五接触结构与所述第一互连结构或所述第三接触结构连接。
11、在本申请一个实施方式中，所述半导体器件还包括互连层和第六接触结构，其中，所述第二接触结构和所述第六接触结构均沿所述第一方向在所述互连层中延伸；以及所述第二接触结构在所述第一方向的深度大于所述第六接触结构在所述第一方向的深度。
12、在本申请一个实施方式中，所述半导体器件还包括第二器件结构，其中，所述第二器件结构包括：存储单元阵列；以及与所述存储单元阵列连接的第一互连结构或第三接触结构，其中，所述第六接触结构与所述第一互连结构或所述第三接触结构连接。
13、在本申请一个实施方式中，所述第一接触结构与所述第一器件结构连接的端面的尺寸d1，所述第一接触结构在所述第一方向的深度h1满足：1/8≤d1/h1≤1/7。
14、在本申请一个实施方式中，所述第二接触结构与所述第一接触结构连接的端面的尺寸d2，所述第二接触结构在所述第一方向的深度h2满足：1/8≤d2/h2≤1/7。
15、在本申请一个实施方式中，所述第二接触结构在所述第一方向的深度小于或等于所述第一接触结构在所述第一方向的深度。
16、本申请另一方面提供了一种制备半导体器件的方法，所述方法包括：形成第一器件结构以及沿第一方向延伸至所述第一器件结构的第一接触结构；形成至少覆盖所述第一器件结构和所述第一接触结构的互连层，并在所述互连层中形成沿所述第一方向延伸至所述第一接触结构的第二初始接触孔；去除多个所述第二初始接触孔的侧壁的一部分，以形成第二接触孔；以及填充所述第二接触孔，以形成与多个所述第一接触结构连接的第二接触结构，其中，所述第一接触结构靠近所述第二初始接触孔的部分的径向尺寸大于所述第二初始接触孔靠近所述第一接触结构的部分的径向尺寸。
17、在本申请一个实施方式中，去除多个所述第二初始接触孔的侧壁一部分，以形成第二接触孔包括：采用第一牺牲填充层填充多个所述第二初始接触孔，其中多个所述第二初始接触孔中的至少两个在垂直于所述第一方向的平面中相邻，并具有彼此邻近的相邻侧壁；以及沿所述第一方向去除所述相邻侧壁的一部分，以形成所述第二接触孔。
18、在本申请一个实施方式中，形成所述第一接触结构包括：形成至少覆盖所述第一器件结构的隔离覆盖层，并在所述隔离覆盖层中形成沿所述第一方向延伸至所述第一器件结构的接触区域的第一接触孔；以及填充所述第一接触孔，以形成所述第一接触结构，其中，所述接触区域的类型包括栅极区域、源极区域和漏极区域中的至少一个；以及在形成所述第一接触孔之后，所述方法还包括经由所述第一接触孔，对所述第一器件结构的接触区域进行掺杂。
19、在本申请一个实施方式中，被去除部分侧壁的多个所述第二初始接触孔所对应的多个第一接触结构与同一类型的接触区域连接。
20、本申请又一方面提供了一种存储系统，所述存储系统包括控制器和本申请一方面提供的半导体器件，所述控制器用于向所述半导体器件中存储数据。
21、根据本申请至少一个实施方式提供的半导体器件、半导体器件的制备方法及存储系统，半导体器件的第一器件结构通过位于第一器件结构一侧的第一接触结构和第二接触结构，与半导体器件的第二器件结构或后端金属线连接。其中，第一接触结构与第一器件结构连接，第二接触结构与多个第一接触结构连接，因而可在稳定半导体器件综合性能的同时，有效缩减外半导体器件的外围电路中接触结构的尺寸。另外，第一接触结构与第二接触结构连接的端面的尺寸大于第二接触结构与第一接触结构连接的端面的尺寸，可在实现第一接触结构与第二接触结构稳定连接的同时，加强缩减外围电路的接触结构的尺寸的效果。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括第二器件结构，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第二器件结构，其中，
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
12.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第二器件结构，其中，
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
16.一种制备半导体器件的方法，其特征在于
17.根据权利要求16所述的方法，其中，去除多个所述第二初始接触孔的侧壁一部分，以形成第二接触孔包括：
18.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述第一接触结构包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，
20.一种存储系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括第二器件结构，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第二器件结构，其中，
11.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许健，石艳伟，吴加吉，邹欣伟，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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