【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)，通常是由如 gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结，在正向电压下，电子由 n区注入p区，空穴由p区注入n区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
2、目前已知的氮化镓led芯片制作工艺包括由台面蚀刻(mesa)、制作透明导电层（例如ito）、制作保护层和制作电极等四道工艺，或者由台面蚀刻(mesa)、制作绝缘层、制作透明导电层（例如ito）、制作保护层和制作电极等五道工艺组成。目前led行业中，为了实现有效的电流扩展，一般会采用多个扩展电极设计。在现有的四道工艺中，扩展电极的末端附近电荷容易集中，由此导致在此区域变得容易出现esd爆点并且烧伤，进而造成芯片失效死灯。而在现有的五道工艺中，增加了绝缘层作为电流阻挡层，且绝缘层对应于扩展电极设置并进行外扩设计，但是电流阻挡层的面积过大往往会导致电压升高。因此，如何进一步优化设计电流阻挡层，从而提升发光二极管芯片的整体性能，是本领域技术人员需要解决的技术难题。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中发光二极管的缺陷及不足，本申请提供一种发光二极管及发光装置，以实现在提升芯片的可靠性和发光效率的同时，避免芯片电压升高。
2、本专利技术的一个
3、半导体叠层，自下而上包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
4、绝缘层，形成于第二半导体层之上；
5、透明导电层，形成于第二半导体层之上，并覆盖绝缘层；
6、保护层，形成于透明导电层之上，并具有开口露出透明导电层的部分上表面；
7、第二电极，形成于保护层上，包括焊盘部和扩展部，并通过保护层的开口与透明导电层形成电性连接；
8、其特征在于：第二电极扩展部具有与第二电极焊盘部相连接的第一端和远离第二电极焊盘部的第二端，所述绝缘层仅形成于第二电极扩展部的第二端之下。
9、根据本专利技术的另一实施例，还提供一种发光装置，采用如上任一实施例所述的发光二极管。
10、本专利技术提供的发光二极管通过将绝缘层仅设置远离第二电极焊盘部的一端，一方面，可以避免在扩展电极的末端由于电荷过于集中导致出现esd爆点，提升芯片的抗静电冲击能力，从而保证发光二极管的可靠性；另一方面，可以避免电流在扩展电极的末端直接注入，提升发光二极管的整体电流均匀性，进而提升发光二极管芯片的发光效率；除此之外，还可以减少扩展电极下方的电流阻挡层面积，从而避免芯片的电压升高。
11、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与所述第二电极扩展部具有重叠部分，所述重叠部分的长度占所述第二电极扩展部的长度的1%~50%。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与所述第二电极扩展部具有重叠部分，所述重叠部分的面积占所述第二电极扩展部的面积的1%~50%。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与其正上方的所述第二电极扩展部具有宽度差，所述宽度差沿所述第二电极扩展部的第一端到所述第二电极扩展部的第二端的方向逐渐增大。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层由一系列块状结构组成。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层在所述第二电极的焊盘部和扩展部分别形成第一开口和第二开口，露出位于所述第二电极焊盘部的所述第二半导体层的部分上表面及位于所述第二电极扩展部的所述透明导电层的部分上表面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层在所
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一开口的尺寸小于所述第三开口的尺寸，所述第二电极的焊盘部与所述第二半导体层接触，所述第二电极的扩展部与所述透明导电层接触。
9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一开口为环状结构，所述环状结构的内圈直径和外圈直径均小于所述第三开口的直径。
10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层还包括至少一个自所述第一开口延伸至所述第二电极焊盘部的周围的触角，露出所述透明导电层的部分上表面，在所述触角的位置，所述第二电极的焊盘部同时与所述第二半导体层和所述透明导电层接触。
11.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层具有若干个的所述第二开口，所述第二开口沿着逐渐远离所述第二电极焊盘部的延伸方向依次间隔排布。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：若干个所述第二开口的尺寸均相同。
13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：若干个所述第二开口的尺寸沿着逐渐远离所述第二电极焊盘部的延伸方向依次增大。
14.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口之间具有间隔，所述间隔的尺寸相同。
15.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口之间具有间隔，所述间隔的尺寸沿着逐渐远离所述第二电极焊盘部的延伸方向依次减小。
16.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口包括多个尺寸相同的第一开口部和至少一个第二开口部，所述第二开口部设置在所述第二电极扩展部的第二端之下，与所述绝缘层对应设置，所述第二开口部的尺寸大于所述第一开口部的尺寸。
17.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的宽度大于等于所述第二开口部的宽度。
18.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的面积与所述第二开口部的面积的比值范围为10%~200%。
19.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第一电极，所述第一电极包括焊盘部和扩展部，所述第一电极的焊盘部位于所述第一半导体层之上，所述第一电极的扩展部位于所述第二半导体层之上，并通过一系列贯穿所述第二半导体层和所述发光层的通孔与所述第一半导体层形成欧姆接触，所述第一电极扩展部与所述第二半导体层之间设有所述保护层。
20.一种发光装置，其特征在于：采用如权利要求1-19中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与所述第二电极扩展部具有重叠部分，所述重叠部分的长度占所述第二电极扩展部的长度的1%~50%。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与所述第二电极扩展部具有重叠部分，所述重叠部分的面积占所述第二电极扩展部的面积的1%~50%。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层与其正上方的所述第二电极扩展部具有宽度差，所述宽度差沿所述第二电极扩展部的第一端到所述第二电极扩展部的第二端的方向逐渐增大。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层由一系列块状结构组成。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层在所述第二电极的焊盘部和扩展部分别形成第一开口和第二开口，露出位于所述第二电极焊盘部的所述第二半导体层的部分上表面及位于所述第二电极扩展部的所述透明导电层的部分上表面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层在所述第二电极的焊盘部形成第三开口，露出位于所述第二电极焊盘部的所述第二半导体层的部分上表面，所述第三开口的尺寸小于所述第二电极焊盘部的尺寸。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一开口的尺寸小于所述第三开口的尺寸，所述第二电极的焊盘部与所述第二半导体层接触，所述第二电极的扩展部与所述透明导电层接触。
9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一开口为环状结构，所述环状结构的内圈直径和外圈直径均小于所述第三开口的直径。
10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层还包括至少一个自所述第一开口延伸至所述第二电极焊盘部的周围的触角，露出所述透明导电层的部分上表面，在所述触角的位置，所述第二电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙旭，晋沙沙，杨人龙，林兓兓，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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