【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，本专利技术涉及一种声表面波谐振装置及其形成方法。
技术介绍
1、无线通信设备的射频(radio frequency，rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surfaceacoustic wave，saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)滤波器、集成无源装置(integratedpassivedevices，ipd)滤波器等。
2、saw谐振器的品质因数(q值)较高，由saw谐振器制作成低插入损耗(insertionloss)、高带外抑制(out-band rejection)的rf滤波器，即saw滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流rf滤波器。
3、然而，声表面波谐振装置仍存在诸多问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种声表面波谐振装置及其形成方法，以提升声表面波谐振装置的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术技术方案提供一种声表面波谐振装置，包括：压电基底，所述压电基底具有相对的第一侧和第二侧，所述压电基底包括沿第一方向排布的第一器件区、第二器件区和隔离区，所述隔离区位于所述第一器件区和所述第二器件区之间；位于所述第一器件区上的第一电极结构，所述第一电极结构位于所述第一侧；位于所述第二器件
3、可选的，所述第一部包括：若干层子部，每层所述子部内具有掺杂粒子，且相邻的所述子部内的掺杂粒子不同。
4、可选的，相邻的所述子部内的掺杂粒子不同包括：相邻的所述子部内的掺杂粒子的粒子半径不同。
5、可选的，所述压电基底还包括第二部，所述第二部位于所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区中，所述第一部位于所述第二部和所述压电基底的第一侧表面之间。
6、可选的，所述第二部内具有掺杂粒子。
7、可选的，所述第二部内的掺杂粒子与所述第一部内的掺杂粒子不同。
8、可选的，所述第二部内的掺杂粒子与所述第一部内的至少部分掺杂粒子相同。
9、可选的，所述第一部与所述第二部相邻的部分内的掺杂粒子与所述第二部内的掺杂粒子相同。
10、可选的，掺杂粒子包括：氢离子或氦离子。
11、可选的，所述第二部位于所述压电基底的第二侧表面。
12、可选的，所述第二部包括不规则的凹凸结构。
13、可选的，所述第一部与所述压电基底的第二侧表面之间的间距尺寸为：10微米～100微米。
14、可选的，所述第一电极结构和所述第二电极结构均包括：沿所述第一方向延伸且沿第二方向平行排布的第一总线和第二总线，所述第一方向与所述第二方向垂直；与所述第一总线连接的若干第一电极条，若干所述第一电极条沿第一方向平行排布；与所述第二总线连接的若干第二电极条，若干所述第二电极条沿所述第一方向平行排布，所述第一电极条和所述第二电极条交错放置，且沿所述第一方向所述第一电极条和所述第二电极条具有重合区域。
15、相应的，本专利技术技术方案中还提供一种声表面波谐振装置的形成方法，包括：提供压电基底，所述压电基底具有相对的第一侧和第二侧，所述压电基底包括沿第一方向排布的第一器件区、第二器件区和隔离区，所述隔离区位于所述第一器件区和所述第二器件区之间；在所述压电基底中形成第一部，所述第一部位于所述隔离区中，所述第一部内具有掺杂粒子；在所述第一器件区上形成第一电极结构，所述第一电极结构位于所述第一侧；在所述第二器件区上形成第二电极结构，所述第二电极结构位于所述第一侧。
16、可选的，所述第一部的形成方法包括：自所述隔离区的所述第二侧向所述第一侧进行掺杂粒子的注入处理，形成所述第一部。
17、可选的，所述第一部包括：若干层子部，每层所述子部内具有掺杂粒子，且相邻的所述子部内的掺杂粒子不同。
18、可选的，不同层的所述子部内的掺杂粒子的注入深度不同。
19、可选的，在形成所述第一电极结构和所述第二电极结构之后，还包括：在所述压电基底中形成第二部，所述第二部位于所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区中，所述第一部位于所述第二部与所述压电基底第一侧表面之间。
20、可选的，所述第二部的形成方法包括：自所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区的所述第二侧向所述第一侧进行掺杂粒子的注入处理，形成所述第二部。
21、可选的，所述第二部的形成方法包括：对所述压电基底的第二侧表面进行粗糙化处理，形成不规则的凹凸结构。
22、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
23、在本专利技术技术方案的声表面波谐振装置中，所述压电基底包括位于所述隔离区中且具有掺杂粒子的所述第一部，相邻器件区上的所述第一电极结构或所述第二电极结构激励的漏波以及漏波在压电基底内发生反射的反射体波经过所述隔离区并接触到所述第一部之后，则会发生散射，可抑制传递至相邻器件区的反射体波的强度，进而能够减少反射的体波进入至相邻器件区中而产生的干扰，以此减少滤波器通带中引入的杂波，减少体波辐射对谐振装置q值的影响，提升声表面波谐振装置的性能。
24、进一步，所述第一部为多层结构；所述第一部包括：若干层子部，每层所述子部内具有掺杂粒子，且相邻的所述子部内的掺杂粒子不同。通过形成不同掺杂粒子的所述子部，能够增加对反射体波频率的选择范围，提升对反射体波散射的效果，进一步减少反射的体波进入至相邻器件区中而产生的干扰，减少体波辐射对谐振装置q值的影响。
25、进一步，所述压电基底还包括第二部，所述第二部位于所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区中，所述第一部位于所述第二部和所述压电基底的第一侧表面之间。所述第二部能够对所述第一电极结构和所述第二电极结构激励的漏波进行散射或漫反射，从而减少体波辐射对谐振装置q值的影响。
26、进一步，所述第一部与位于所述第二侧的所述压电基底的表面之间的间距尺寸为：10微米～100微米。当间距尺寸大于100微米时，此时所述第一部的注入深度较大，需要更大的粒子注入能量才能完成，使得粒子注入工艺的难度增大；当间距尺寸小于10微米时，此时所述第一部注入深度较小，容易造成所述第一部的结构缺陷(如晶格断裂)，进而影响所述第一部的散射体波的效果。
27、在本专利技术技术方案的声表面波谐振装置的形成方法中，所述压电基底包括位于所述隔离区中且具有掺杂粒子的所述第一部，相邻器件区上的所述第一电极结构或所述第二电极结构激励的漏波以及漏波在压电基底内发生反射的反射体波经过所述隔离区并接触到所述第一部之后，则会发生散射，可抑制传递至相邻器件区的反射体波的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一部包括：若干层子部，每层所述子部内具有掺杂粒子，且相邻的所述子部内的掺杂粒子不同。
3.如权利要求2所述的声表面波谐振装置，其特征在于，相邻的所述子部内的掺杂粒子不同包括：相邻的所述子部内的掺杂粒子的粒子半径不同。
4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述压电基底还包括第二部，所述第二部位于所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区中，所述第一部位于所述第二部和所述压电基底的第一侧表面之间。
5.如权利要求4所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部内具有掺杂粒子。
6.如权利要求5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部内的掺杂粒子与所述第一部内的掺杂粒子不同。
7.如权利要求5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部内的掺杂粒子与所述第一部内的至少部分掺杂粒子相同。
8.如权利要求7所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一部与所述第二部相邻的部分内的掺杂
9.如权利要求1、2或5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，掺杂粒子包括：氢离子或氦离子。
10.如权利要求4所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部位于所述压电基底的第二侧表面。
11.如权利要求10所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部包括不规则的凹凸结构。
12.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一部与所述压电基底的第二侧表面之间的间距尺寸为：10微米～100微米。
13.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一电极结构和所述第二电极结构均包括：沿所述第一方向延伸且沿第二方向平行排布的第一总线和第二总线，所述第一方向与所述第二方向垂直；与所述第一总线连接的若干第一电极条，若干所述第一电极条沿第一方向平行排布；与所述第二总线连接的若干第二电极条，若干所述第二电极条沿所述第一方向平行排布，所述第一电极条和所述第二电极条交错放置，且沿所述第一方向所述第一电极条和所述第二电极条具有重合区域。
14.一种声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一部的形成方法包括：自所述隔离区的所述第二侧向所述第一侧进行掺杂粒子的注入处理，形成所述第一部。
16.如权利要求15所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一部包括：若干层子部，每层所述子部内具有掺杂粒子，且相邻的所述子部内的掺杂粒子不同。
17.如权利要求16所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，不同层的所述子部内的掺杂粒子的注入深度不同。
18.如权利要求15所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述第一电极结构和所述第二电极结构之后，还包括：在所述压电基底中形成第二部，所述第二部位于所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区中，所述第一部位于所述第二部与所述压电基底第一侧表面之间。
19.如权利要求18所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第二部的形成方法包括：自所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区的所述第二侧向所述第一侧进行掺杂粒子的注入处理，形成所述第二部。
20.如权利要求18所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第二部的形成方法包括：对所述压电基底的第二侧表面进行粗糙化处理，形成不规则的凹凸结构。
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一部包括：若干层子部，每层所述子部内具有掺杂粒子，且相邻的所述子部内的掺杂粒子不同。
3.如权利要求2所述的声表面波谐振装置，其特征在于，相邻的所述子部内的掺杂粒子不同包括：相邻的所述子部内的掺杂粒子的粒子半径不同。
4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述压电基底还包括第二部，所述第二部位于所述第一器件区、所述第二器件区和所述隔离区中，所述第一部位于所述第二部和所述压电基底的第一侧表面之间。
5.如权利要求4所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部内具有掺杂粒子。
6.如权利要求5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部内的掺杂粒子与所述第一部内的掺杂粒子不同。
7.如权利要求5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部内的掺杂粒子与所述第一部内的至少部分掺杂粒子相同。
8.如权利要求7所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一部与所述第二部相邻的部分内的掺杂粒子与所述第二部内的掺杂粒子相同。
9.如权利要求1、2或5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，掺杂粒子包括：氢离子或氦离子。
10.如权利要求4所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部位于所述压电基底的第二侧表面。
11.如权利要求10所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第二部包括不规则的凹凸结构。
12.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一部与所述压电基底的第二侧表面之间的间距尺寸为：10微米～100微米。
13.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一电极结构和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨新宇，汤正杰，邹雅丽，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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