【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电耦合器，涉及一种提高塑封晶体管输出型光电耦合器可靠性的方法。
技术介绍
1、塑封光电耦合器因其低成本广泛应用于通信、电力、工业控制、医疗设备、汽车、消费电子等领域。同时由于其重量轻的特性，也适合于应用在对载荷限制有严格要求的场合。但是与陶瓷空封光电耦合器相比，由于结构本身差异，导致塑封光电耦合器的可靠性与陶封光电耦合器有一定差距。
2、输出漏电流iceo是衡量光电耦合器的重要指标，它表征了光电耦合器输出处于截止状态时的输出截止能力，常温下iceo通常在几十na以下。如果iceo增加到几十μa以上，则表明输出截止能力变差，可能会导致光电耦合器功能性失效。
3、一般的塑封晶体管输出型光电耦合器内部，发光二极管芯片(led)与光敏晶体管芯片(pd)相对放置，led发出的光直接照射pd芯片的光敏面产生光电流。为了形成光通路，采用两次注塑，一次采用白色塑封料(光路)，一次采用黑色塑封料，其中白色塑封料在固化后直接与芯片接触，如图1所示。
4、对于高可靠性塑封光电耦合器，在高温老炼后容易出现输出漏电流显著增大的情况。经分析，是由于在温度应力作用下，由于塑封光电耦合器内部固化后的塑封料与内部光敏晶体管芯片的热膨胀系数不同，导致芯片表面钝化层受塑封料挤压破碎；同时，芯片制作工艺中会引入含氯的有机溶剂，因此芯片中不可避免会残留含氯的导电离子，芯片内部的残留导电离子在老炼过程中的电应力作用下发生离子迁移，形成漏电通道，导致输出漏电流增大。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种提高塑封晶体管输出型光电耦合器可靠性的方法，其特征在于：在塑封之前，先在光敏晶体管芯片表面覆盖一层透明硅胶，再进行塑封，利用硅胶的柔性分散光敏晶体管芯片表面受到的来自塑封料膨胀产生的挤压力，从而对光敏晶体管芯片表面的钝化层进行保护。
2.根据权利要求1所述的提高塑封晶体管输出型光电耦合器可靠性的方法，其特征在于，在光敏晶体管芯片表面覆盖透明硅胶的工艺过程如下：
3.根据权利要求2所述的提高塑封晶体管输出型光电耦合器可靠性的方法，其特征在于：涂敷透明硅胶时，控制透明硅胶在光敏晶体管芯片表面最高点的厚度为光敏晶体管芯片厚度的0.5倍～2倍。
4.根据权利要求1所述的提高塑封晶体管输出型光电耦合器可靠性的方法，其特征在于：所述透明硅胶为单组分弹性硅胶。
【技术特征摘要】
1.一种提高塑封晶体管输出型光电耦合器可靠性的方法，其特征在于：在塑封之前，先在光敏晶体管芯片表面覆盖一层透明硅胶，再进行塑封，利用硅胶的柔性分散光敏晶体管芯片表面受到的来自塑封料膨胀产生的挤压力，从而对光敏晶体管芯片表面的钝化层进行保护。
2.根据权利要求1所述的提高塑封晶体管输出型光电耦合器可靠性的方法，其特征在于，在光敏晶体管芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢俊聃，董益钦，唐塽，潘美竹，郭娟，文莎莎，慕丽，钟雪，熊振国，淳宗洁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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