System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 线圈部件制造技术_技高网
当前位置: 首页 > 专利查询>TDK株式会社专利>正文

线圈部件制造技术

技术编号:44101906 阅读:0 留言:0更新日期:2025-01-24 22:30
一种线圈部件,包含:素体,其包含相互相对的一对端面;和线圈,其配置于素体内。线圈包含至少一个线圈导体,并且以线圈轴沿着一对端面相互相对的方向的方式配置。素体包含分别包含一对端面中的对应的端面的一对第一素体部分、和位于一对第一素体部分之间的第二素体部分。第二素体部分包含在上述方向上设置于互不相同的位置的第一区域和第二区域。第二区域具有比第一区域具有的相对磁导率小的相对磁导率、和比第一区域具有的相对介电常数小的相对介电常数。至少一个线圈导体包含配置于第二素体部分的线圈导体。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及线圈部件。


技术介绍

1、已知的线圈部件包含素体、和配置于素体内的线圈(例如,参照日本特开平8-55726号公报)。素体包含相互相对的一对端面。线圈以线圈轴沿着一对端面相互相对的方向的方式配置。


技术实现思路

1、本公开的一个方式的目的在于,提供一种在高频带下出现阻抗的峰,并且抑制电感的降低的线圈部件。

2、本公开的一个方式提供一种线圈部件,其包含:素体,其包含相互相对的一对端面;和线圈,其配置于素体内。线圈包含至少一个线圈导体,并且以线圈轴沿着一对端面相互相对的方向的方式配置。素体包含分别包含一对端面中的对应的端面的一对第一素体部分、和位于一对第一素体部分之间的第二素体部分。第二素体部分包含在上述方向上设置于互不相同的位置的第一区域和第二区域。第二区域具有比第一区域具有的相对磁导率小的相对磁导率、和比第一区域具有的相对介电常数小的相对介电常数。上述至少一个线圈导体包含配置于第二素体部分的线圈导体。

3、在上述一个方式中,至少一个线圈导体包含配置于第二素体部分的线圈导体,在供由线圈导体产生的磁通穿过的位置可靠地存在第二素体部分。即,第二素体部分对线圈部件的特性例如阻抗及电感造成影响。第二素体部分包含第一区域和第二区域,第二区域具有比第一区域具有的相对磁导率小的相对磁导率、和比第一区域具有的相对介电常数小的相对介电常数。上述一个方式中,在高频带下出现第二素体部分包含第二区域的量的阻抗的峰。上述一个方式通过使第二素体部分也包含第一区域,来抑制电感的降低

4、上述一个方式中,将第二素体部分沿方向三等分而得到的三个部分中,位于中央的部分也可以包含第二区域。

5、在上述位于中央的部分包含第二区域的结构中,在高频带下出现阻抗的峰的第二区域配置于上述位于中央的部分。因此,本结构在高频带下可靠地出现阻抗的峰。

6、在上述一个方式中,三个部分也可以分别包含第一区域和第二区域。

7、在上述三个部分分别包含第一区域和第二区域的结构中,在高频带下出现阻抗的峰的第二区域分别配置于上述三个部分。因此,本结构在高频带下更加可靠地出现阻抗的峰。

8、在上述一个方式中,第二区域也可以包含在上述方向上分别设置于不同位置的多个区域。

9、在第二区域包含上述多个区域的结构中,在高频带下出现阻抗的峰的多个第二区域配置于第二素体部分。因此,本结构在高频带下更进一步可靠地出现阻抗的峰。

10、在上述一个方式中,上述多个区域也可以相对于第二素体部分的上述方向上的长度的中央位置对称地设置。

11、在上述多个区域相对于上述中央位置对称地设置的结构中,在高频带下出现阻抗的峰的多个第二区域相对于上述中央位置对称地设置。因此,本结构在高频带下更进一步可靠地出现阻抗的峰。

12、在上述一个方式中,上述多个区域也可以在上述方向上大致等间隔地设置。

13、在上述多个区域在上述方向上大致等间隔地设置的结构中,在高频带下出现阻抗的峰的多个第二区域大致等间隔地设置。因此,本结构在高频带下更进一步可靠地出现阻抗的峰。

14、在上述一个方式中,多个区域也可以以朝向一对第一素体部分中的一个第一素体部分偏斜的方式设置。

15、在上述多个区域以朝向一对第一素体部分中的一个第一素体部分偏斜的方式设置的结构中,即使在第二区域中包含的元素向第二素体部分内扩散的情况下,该元素也不易向靠近另一第一素体部分的第二素体部分扩散。设置于靠近另一第一素体部分的第二素体部分的第一区域不易受元素扩散的影响。因此,本结构可靠地抑制电感的降低。

16、在上述一个方式中,至少一个线圈导体也可以包含多个线圈导体。多个线圈导体也可以包含配置于第二区域的线圈导体。

17、在多个线圈导体包含配置于第二区域的线圈导体的结构中,多个线圈导体可以配置于第二区域。因此,阻抗的峰在高频带下的出现由多个线圈导体实现。其结果,上述一个方式在高频带下可更进一步可靠地出现阻抗的峰。

18、在上述一个方式中,也可以包含一对外部电极,它们配置于上述方向上的素体的两端,并且与线圈电连接。素体也可以包含将一对端面连结的侧面。一对外部电极的各自也可以分别包含位于侧面上的电极部分。电极部分的边缘和第二区域也可以彼此相接。

19、电极部分的边缘和第二区域彼此相接的结构降低了形成于线圈和外部电极之间的杂散电容。因此,上述一个方式在高频带下可更进一步可靠地出现阻抗的峰。

20、通过以下的详细说明和附图,将更充分地理解本公开,这些详细说明和附图仅以说明的方式给出,不应视为限制本公开。

21、通过以下的详细说明,本公开的进一步适用范围将变得显而易见。然而,应理解,详细说明和具体示例虽然指示本公开的示例,但仅以说明的方式给出,这是因为,根据该详细说明,在本公开的精神和范围内进行的各种变形和修改对于本领域技术人员而言将变得显而易见。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种线圈部件,其中,

2.根据权利要求1所述的线圈部件,其中,

3.根据权利要求2所述的线圈部件,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的线圈部件,其中,

5.根据权利要求4所述的线圈部件,其中,

6.根据权利要求4或5所述的线圈部件,其中,

7.根据权利要求4所述的线圈部件,其中,

8.根据权利要求1~7中任一项所述的线圈部件,其中,

9.根据权利要求1~8中任一项所述的线圈部件,其中,

【技术特征摘要】

1.一种线圈部件,其中,

2.根据权利要求1所述的线圈部件,其中,

3.根据权利要求2所述的线圈部件,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的线圈部件,其中,

5.根据权利要求4所述的线圈部件,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:大岛由也角田晃一小森田健二新堀拓哉近藤真一大泽滋佐佐木香吉野真菅原一真
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1