扇出型晶圆级封装单元制造技术

本技术公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路及外护层，其中裸晶具有第一面及相对的第二面，第一面固定设于载板上，第二面上具有多个晶垫，第二面的垂直芯片区域界定为一芯片区域，各导接线路由填注于该第一介电层的多条第一凹槽与该第二介电层的多条第二凹槽内的金属膏所构成，各导接线路的一端与裸晶的多个晶垫电性连接，而另一端在该外护层的多个开口内形成一焊垫并对外露出，其中至少一焊垫是位于该裸晶的第二面的芯片区域的周围；其中该裸晶是经由各晶垫、各导接线路及各焊垫以对外电性连接，有效地解决现有的扇出型封装技术在制作各导接线路时易产生较高制造成本且不利于环保的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种芯片封装单元，尤其是指一种扇出型晶圆级封装单元。

技术介绍

1、轻薄短小且能具有高效率及高信赖度的封装技术是半导体产业的发展趋势，其中扇出型晶圆级封装(fowlp，fan-out wafer level packaging)已是一种现有的封装技术。

2、在先进封装的fowlp中，重布线层(rdl，redistribution layer)最为关键，因为rdl中的各导接线路能使裸晶上的多个晶垫产生xy平面电性延伸及互联的作用供可在该裸晶的周围形成较分散的多个焊垫，以此能有效提升各导接线路的设计空间及信赖度，但如何使rdl中的各导接线路在产生xy平面电性延伸及互联作用的状态下同时也能保持或达成一定程度的轻薄短小功效，则rdl中各导接线路的制作最为关键。

3、然而，现有的fowlp封装技术所应用的rdl技术中的各导接线路成型方式是采用化镀成型技艺或电镀成型技艺来制作，如此一来除了材料成本及制作成本相对较高之外，现有的技术中的制程亦不符合或不利于环保的要求。

技术实现思路

1、本技术的主要目的是在于提供一种扇出型晶圆级封装(fowlp，fan-outwafer level packaging)单元，其包括载板、裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路及外护层，各导接线路是由填注设于该第一介电层的多条第一凹槽与该第二介电层的多条第二凹槽内的金属膏所构成，各导接线路的一端是与该裸晶的多个晶垫电性连接而另一端则是由该外护层的多个开口供对外露出并在各开口内形成一焊垫，且其中至少有一焊垫是位于该裸晶的第二面的芯片区域的周围以形成一扇出型晶圆级封装(fowlp)单元；其中该裸晶是经由各晶垫、各导接线路及各焊垫以对外电性连接，有效地解决现有的扇出型封装技术在制作各导接线路时易产生较高制造成本及不利于环保的问题。

2、为达成上述目的，本技术提供一种扇出型晶圆级封装单元，该扇出型晶圆级封装单元包含一载板、一裸晶(die)、一第一介电层、一第二介电层、多条导接线路及一外护层；其中该裸晶是自一晶圆(wafer)上所分割而成，该裸晶具有一第一面及相对的一第二面，该裸晶的该第一面是固定设于该载板上，该裸晶的该第二面上具有多个晶垫，且该第二面的垂直芯片区域界定为一芯片区域；其中该第一介电层是设于该载板及该裸晶的该第二面上，该第一介电层具有水平方向延伸地成型的多条第一凹槽，其中该裸晶的每一该晶垫是由每一该第一凹槽对外露出；其中该第二介电层是设于该第一介电层上，该第二介电层具有水平方向延伸地成型的多条第二凹槽，每一该第二凹槽是与每一该第一凹槽连通；其中每一该导接线路是由填注于每一该第一凹槽与每一该第二凹槽内的一金属膏所构成，每一该导接线路是与该裸晶的每一该晶垫电性连接；其中该外护层，其是设于该第二介电层上，该外护层具有多个开口且其中至少一该开口是位于该裸晶的该第二面上的该芯片区域的周围；其中每一该导接线路是由每一该开口供对外露出而在每一该开口内形成一焊垫；其中该裸晶能依序经由每一该晶垫、每一该导接线路及位于该裸晶的该第二面上的该芯片区域的周围的每一该焊垫以对外电性连接，以此形成该扇出型晶圆级封装单元。

3、在本技术一较佳实施例中，该载板是包含硅(si)载板、玻璃载板或陶瓷载板。

4、在本技术一较佳实施例中，该金属膏是包含银膏、纳米银膏、铜膏或纳米铜膏。

5、在本技术一较佳实施例中，该裸晶的该第一面进一步是利用一芯片黏结薄膜(daf，die attach film)以固定地设置于该载板上。

6、在本技术一较佳实施例中，每一该第二凹槽上进一步设有一锡球，每一该锡球能与每一该开口内的每一该焊垫电性连接，供该扇出型晶圆级封装单元能利用每一该锡球以电性连接地设置于一印刷电路板(pcb，printed circuit board)上。

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【技术保护点】

1.一种扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，该载板是包含硅载板、玻璃载板或陶瓷载板。

3.如权利要求1所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，该金属膏是包含银膏、纳米银膏、铜膏或纳米铜膏。

4.如权利要求1所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，该裸晶的该第一面是利用一芯片黏结薄膜而设置于该载板上。

5.如权利要求1所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，每一该第二凹槽上设有一锡球，每一该锡球与每一该开口内的每一该焊垫电性连接。

6.如权利要求5所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，该扇出型晶圆级封装单元利用每一该锡球以电性连接地设置于一印刷电路板上。

【技术特征摘要】

1.一种扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，该载板是包含硅载板、玻璃载板或陶瓷载板。

3.如权利要求1所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，该金属膏是包含银膏、纳米银膏、铜膏或纳米铜膏。

4.如权利要求1所述的扇出型晶圆级封装单元，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：于鸿祺，林俊荣，古瑞庭，
申请(专利权)人：华东科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：