【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积，尤其涉及一种cvd沉积装置。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition)简称为cvd，是指化学气体在一定的温度和压力下，在基材的表面反应合成涂层或纳米材料的方法，被广泛地应用于半导体、硬质合金等领域中。
2、目前，如图1所示，cvd沉积进行时，反应物以气态的形式通过进气管道1＇进入反应室2＇内，进气管道1＇上设有对经过进气管道1＇的反应物进行加热的预热模块3＇，反应物穿过反应室2＇上部的电极模块4＇基本被电离成等离子体状态后，经过扩散器5＇散至基板的表面形成薄膜。由于cvd沉积装置的成膜速率和成膜厚度与等离子体电离度成正比，也与电离子体扩散速度有较强的相关性，当等离子体电离度不足或运动速度较低时，会导致cvd膜沉积率偏低，沉积时间较长影响生产效率。
3、因此，亟待设计一种新的cvd沉积装置以改善上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种cvd沉积装置，以解决当等离子体电离度不足或运行速度较低时，会导致cvd膜沉积率偏低，沉积时间较长影响生产效率的技术问题。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、cvd沉积装置，包括反应腔室以及与所述反应腔室相连通的进气管道，还包括加速管道，所述加速管道包括绝缘管体和电源，所述绝缘管体的进口端与所述进气管道的出口端相连接，所述绝缘管体的进口端设置有金属阴极，反应物通过所述金属阴极进入所述绝缘管体内，所述金属阴极
4、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述金属阴极包括扩散电极和导向电极，所述扩散电极是网状结构，所述扩散电极设置于所述绝缘管体的进口端，所述导向电极与所述绝缘管体同轴设置，所述导向电极位于所述绝缘管体之内，所述导向电极的一端设置于所述扩散电极端面中心处。
5、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述导向电极远离所述扩散电极的一端是锥体结构，并且所述椎体结构的尖端朝向于所述金属阳极。
6、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述扩散电极的网孔的孔径为0.5mm-1mm。
7、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述绝缘管体至少包括电离段和导流段，所述金属阴极设置于所述电离段的一端，所述电离段的另一端与所述导流段相连接，所述导流段的直径由与所述电离段相连的一端朝向其另一端逐渐减小。
8、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述绝缘管体还包括安装段，所述安装段的一端设置于所述导流段的小口端，所述安装段的另一端与所述金属阳极相连，所述安装段的外部套设有磁环。
9、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述金属阳极是喇叭状，所述金属阳极的直径由与所述绝缘管体的出口端相连的一端朝向其另一端逐渐增大。
10、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述绝缘管体的进口端与所述进气管道的出口端、所述绝缘管体的出口端与所述金属阳极之间均通过法兰结构相连接。
11、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述法兰结构的连接处设置有密封件。
12、作为cvd沉积装置的一种优选方案，所述绝缘管体由陶瓷材质制成。
13、本专利技术的有益效果：
14、情况1)：需要提高等离子电离度时，电源与金属阴极和金属阳极处于通电状态，反应物通过进气管道进入金属阴极，通电状态下电极开始产生电子，气态的反应物将被电离成等离子体状态，伴随反应物温度的升高，等离子体在绝缘管体内膨胀，电子产生的电流将会为等离子体提供洛伦兹力，通过洛伦兹力等离子体与电子一同加速到达金属阳极，然后进入到反应腔室内。
15、综上，cvd沉积进行时，在反应物进入反应腔室内，由电极模块将反应物电离成等离子体状态之前，反应物在经过加速管道时率先进行了一次电离，而后再进入反应腔室进行第二次电离，增加了一次电离步骤的等离子度大幅提升，并且也加速了等离子体的运行速度，提高了cvd膜沉积率，减小了沉积时间保障生产效率，延长了装置的使用寿命。
16、情况2)：无需提高等离子电离度时，电源与金属阴极和金属阳极处于不通电状态，此时的加速管道仅作为进气管道进行使用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.CVD沉积装置，包括反应腔室以及与所述反应腔室相连通的进气管道，其特征在于，还包括加速管道，所述加速管道包括绝缘管体和电源，所述绝缘管体的进口端与所述进气管道的出口端相连接，所述绝缘管体的进口端设置有金属阴极，反应物通过所述金属阴极进入所述绝缘管体内，所述金属阴极向所述绝缘管体的出口端的方向延伸，所述绝缘管体的出口端设置有金属阳极，所述电源的负极端与所述金属阴极相连接，所述电源的正极端与所述金属阳极相连接，所述电源选择性地使所述金属阴极和所述金属阳极通电/断电。
2.根据权利要求1所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述金属阴极包括扩散电极和导向电极，所述扩散电极是网状结构，所述扩散电极设置于所述绝缘管体的进口端，所述导向电极与所述绝缘管体同轴设置，所述导向电极位于所述绝缘管体之内，所述导向电极的一端设置于所述扩散电极端面中心处。
3.根据权利要求2所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述导向电极远离所述扩散电极的一端是锥体结构，并且所述椎体结构的尖端朝向于所述金属阳极。
4.根据权利要求2所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述扩散电极的网孔的
5.根据权利要求1-4任一项所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述绝缘管体至少包括电离段和导流段，所述金属阴极设置于所述电离段的一端，所述电离段的另一端与所述导流段相连接，所述导流段的直径由与所述电离段相连的一端朝向其另一端逐渐减小。
6.根据权利要求5所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述绝缘管体还包括安装段，所述安装段的一端设置于所述导流段的小口端，所述安装段的另一端与所述金属阳极相连，所述安装段的外部套设有磁环。
7.根据权利要求1-4任一项所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述金属阳极是喇叭状，所述金属阳极的直径由与所述绝缘管体的出口端相连的一端朝向其另一端逐渐增大。
8.根据权利要求1-4任一项所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述绝缘管体的进口端与所述进气管道的出口端、所述绝缘管体的出口端与所述金属阳极之间均通过法兰结构相连接。
9.根据权利要求8所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述法兰结构的连接处设置有密封件。
10.根据权利要求1-4任一项所述的CVD沉积装置，其特征在于，所述绝缘管体由陶瓷材质制成。
...【技术特征摘要】
1.cvd沉积装置，包括反应腔室以及与所述反应腔室相连通的进气管道，其特征在于，还包括加速管道，所述加速管道包括绝缘管体和电源，所述绝缘管体的进口端与所述进气管道的出口端相连接，所述绝缘管体的进口端设置有金属阴极，反应物通过所述金属阴极进入所述绝缘管体内，所述金属阴极向所述绝缘管体的出口端的方向延伸，所述绝缘管体的出口端设置有金属阳极，所述电源的负极端与所述金属阴极相连接，所述电源的正极端与所述金属阳极相连接，所述电源选择性地使所述金属阴极和所述金属阳极通电/断电。
2.根据权利要求1所述的cvd沉积装置，其特征在于，所述金属阴极包括扩散电极和导向电极，所述扩散电极是网状结构，所述扩散电极设置于所述绝缘管体的进口端，所述导向电极与所述绝缘管体同轴设置，所述导向电极位于所述绝缘管体之内，所述导向电极的一端设置于所述扩散电极端面中心处。
3.根据权利要求2所述的cvd沉积装置，其特征在于，所述导向电极远离所述扩散电极的一端是锥体结构，并且所述椎体结构的尖端朝向于所述金属阳极。
4.根据权利要求2所述的cvd沉积装置，其特征在于，所述扩散电极的网孔的孔径为0.5mm-1...
【专利技术属性】
技术研发人员：周向阳，
申请(专利权)人：乐金显示光电科技中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。