【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及一种光致抗蚀剂组合物和一种金属化方法。特别地，本公开涉及一种光致抗蚀剂组合物，其防止在光致抗蚀剂图案中形成足迹轮廓。
2、多年来，移动装置、作为物联网(iot)一部分的装置和可穿戴电子设备已经变得更小、更轻且更薄的装置，尽管它们越来越小型化，但它们使用了更大的量的内存并且执行了越来越多的计算。
3、这些电子装置的制造和封装在尺寸减小方面充当重要角色。例如，倒装芯片封装方法已经被用于增加装置(尤其用于微加工单元(mpu)和动态随机存取存储器(dram)半导体芯片)之间的i/o(输入/输出)连接的密度。
4、金属柱凸点，例如像铜柱凸点经常被用作用于电子和光电封装的倒装芯片互连，所述电子和光电封装包括：cpu和gpu集成电路(芯片)、激光二极管、和半导体光放大器(soa)的倒装芯片封装。金属柱凸点提供了有益的连接电阻、高密度连接、金属迁移阻力和散热特性。金属线图案也可被用于例如再分布层(rdl)中，以提供两个部件之间的电连接。
5、电镀覆已被用于制造金属柱凸点阵列和线图案。在铜膜表面上涂覆光致抗蚀剂层，并且然后使用光刻法制作掩模图案。然后通过在掩模图案的开放区域中电镀覆来在金属表面上形成金属结构。然后去除光致抗蚀剂并且将先前被抗蚀剂覆盖的金属层通过蚀刻去除。
6、制备镀覆掩模图案的一种方法是使用厚的光致抗蚀剂层，以响应进一步增加i/o和装置密度所需要的更厚且更窄的图案尺寸。化学放大的光致抗蚀剂对于实现更高的分辨率图案所需的更快的灵敏度和改善的透明度可
7、抗蚀剂图案中的足迹导致经镀覆图案中的底切轮廓。这会促进下游加工过程中经镀覆图案的塌陷。因此，希望消除用作镀覆掩模的光致抗蚀剂图案的足迹。
技术实现思路
1、本文公开了一种光致抗蚀剂组合物，其包含聚合物，该聚合物包含具有式(3)的第一重复单元和具有式(4)的第二重复单元：
2、
3、其中：r1是氢原子或取代或未取代的c1-c3烷基；z是包含酸不稳定部分的非氢取代基；其中m和n分别是第一重复单元和第二重复单元的重复单元的数目；具有式(5)的化合物：
4、
5、(5)，其中：r2独立地是c1-c3烷基或c1-c3烷氧基；并且p是0至4的整数；光酸产生剂；以及溶剂。
6、本文还公开了一种光致抗蚀剂组合物，其包含：(a)聚合物；(b)一种或多种光酸产生剂；(c)第一碱淬灭剂；(d)第二碱淬灭剂；以及(e)溶剂；其中该聚合物包含以下两个重复单元：
7、
8、其中：r1是氢原子或取代或未取代的c1-c3烷基；z是提供酸不稳定部分的非氢取代基；基于聚合物中存在的总经聚合单元，m为20至90摩尔％并且n为10至80摩尔％；其中该光酸产生剂选自n-羟基萘二甲酰亚胺三氟甲磺酸酯、n-羟基萘二甲酰亚胺全氟-1-丁磺酸酯、n-羟基萘二甲酰亚胺樟脑-10-磺酸酯、n-羟基萘二甲酰亚胺2-三氟甲基苯基磺酸酯、n-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺全氟-1-丁磺酸酯、n-(三氟甲磺酰基氧基)邻苯二甲酰亚胺和n-羟基丁二酰亚胺全氟丁磺酸酯；其中第一碱淬灭剂选自n-二乙基十二酰胺、2,8-二甲基-6h,12h-5,11-亚甲基二苯并[b,f][1,5]二氮芳辛(特罗格碱)、4-羟基哌啶-1-羧酸-1,1-二甲基乙酯、n-烯丙基己内酰胺、乙基-3-(吗啉代)丙酸酯、4-(对甲苯基)吗啉、或其组合；其中第二碱淬灭剂是具有式(5)的化合物：
9、
10、其中：r2独立地是c1-c3烷基或c1-c3烷氧基；并且p是0至4的整数；并且其中该光致抗蚀剂组合物的固体含量是10wt％至60wt％。
11、本文还公开了一种方法，其包括在金属层上形成光致抗蚀剂层，其中该光致抗蚀剂层包括：(a)聚合物、(b)光酸产生剂、(c)第一碱淬灭剂、和(d)第二碱淬灭剂；将该光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；以及使该光致抗蚀剂层与碱性显影液接触，以去除该光致抗蚀剂层的经暴露部分；以及将金属层浸入金属镀覆溶液中并在该金属层上在该光致抗蚀剂层的经暴露部分中沉积金属；其中该聚合物包含以下两个重复单元：
12、
13、其中：r1是氢原子或取代或未取代的c1-c3烷基；z是提供酸不稳定部分的非氢取代基；基于聚合物中存在的总经聚合单元，m为20至90摩尔％并且n为10至80摩尔％；并且第一碱淬灭剂选自n-二乙基十二酰胺、2,8-二甲基-6h,12h-5,11-亚甲基二苯并[b,f][1,5]二氮芳辛(特罗格碱)、4-羟基哌啶-1-羧酸-1,1-二甲基乙酯、n-烯丙基己内酰胺、乙基-3-(吗啉代)丙酸酯、4-(对甲苯基)吗啉、或其组合；并且第二碱淬灭剂是具有式(5)的化合物：
14、
15、其中：r2独立地是c1-c3烷基或c1-c3烷氧基；并且p是0至4的整数。
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1.一种光致抗蚀剂组合物，其包含：
2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其进一步包含与所述具有式(6)的化合物不同的碱淬灭剂。
3.如权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述碱淬灭剂选自N-二乙基十二酰胺、2,8-二甲基-6H,12H-5,11-亚甲基二苯并[b,f][1,5]二氮芳辛(特罗格碱)、4-羟基哌啶-1-羧酸-1,1-二甲基乙酯、N-烯丙基己内酰胺、乙基-3-(吗啉代)丙酸酯、4-(对甲苯基)吗啉、或其组合。
4.如权利要求2或3所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述碱淬灭剂与所述具有式(6)的化合物的摩尔比是0.01:1至0.5:1。
5.如前述权利要求中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述光酸产生剂选自N-羟基萘二甲酰亚胺三氟甲磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚胺全氟-1-丁磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚胺樟脑-10-磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚胺2-三氟甲基苯基磺酸酯、N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺全氟-1-丁磺酸酯、N-(三氟甲磺酰基氧基)邻苯二甲酰亚胺和N-羟基丁二酰亚胺全氟丁磺酸酯。
6.如
7.如前述权利要求中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述具有式(6)的化合物是2-巯基苯并噁唑。
8.一种光致抗蚀剂组合物，其包含：(a)聚合物；(b)一种或多种光酸产生剂；(c)碱淬灭剂；(d)巯基苯并噁唑化合物；以及(e)溶剂；
9.如权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述第二碱淬灭剂是2-巯基苯并噁唑。
10.一种方法，其包括：
...【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀剂组合物，其包含：
2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其进一步包含与所述具有式(6)的化合物不同的碱淬灭剂。
3.如权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述碱淬灭剂选自n-二乙基十二酰胺、2,8-二甲基-6h,12h-5,11-亚甲基二苯并[b,f][1,5]二氮芳辛(特罗格碱)、4-羟基哌啶-1-羧酸-1,1-二甲基乙酯、n-烯丙基己内酰胺、乙基-3-(吗啉代)丙酸酯、4-(对甲苯基)吗啉、或其组合。
4.如权利要求2或3所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述碱淬灭剂与所述具有式(6)的化合物的摩尔比是0.01:1至0.5:1。
5.如前述权利要求中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述光酸产生剂选自n-羟基萘二甲酰亚胺三氟甲磺酸酯、n-羟基萘二甲酰亚胺全氟-1-丁磺酸酯、n...
【专利技术属性】
技术研发人员：羽贺满，
申请(专利权)人：杜邦电子材料国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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