【技术实现步骤摘要】
本技术的实施例涉及一种半导体结构，且特别是涉及一种包括接合的封装组件的半导体结构。
技术介绍
1、熔融接合(fusion bonding)是一种常见的接合方式，用于将两个封装组件(例如晶片及/或管芯)彼此接合。在接合工艺中，封装组件首先通过较低温度的预接合进行接合，然后在较高温度下进行接合工艺，以将封装组件接合在一起。
技术实现思路
1、本技术的实施例提供一种半导体结构包括第一封装组件，第一封装组件包括第一表面介电层，第一表面介电层包括多个第一部分和多个第二部分。多个第一部分从所述第一表面介电层的表面延伸到所述第一表面介电层中，其中所述第一部分有第一氧原子百分比，多个第二部分将所述第一部分彼此分开，其中所述第二部分具有低于所述第一氧原子百分比的第二氧原子百分比。
2、本技术的实施例提供一种半导体结构包括装置管芯，装置管芯包括含硅介电层，含硅介电层包括多个第一部分和多个第二部分。多个第一部分从所述含硅介电层的顶面延伸到所述顶面和所述含硅介电层的底面之间的中间阶段，多个第二部分，从所述顶面延伸到所述底面，其中所述第一部分比所述第二部分具有更高的氧原子百分比。
3、基于上述，一或两个封装组件的表面的选定部分通过等离子体处理来进行处理，通过选择性地处理一些而不是所有要通过熔融接合的表面介电层的部分以形成第一部分(例如经处理的部分)和第二部分(例如未处理的部分)，在进行两个封装组件的接合工艺的期间，接合波以不同的速度行进经过经处理的部分和未处理的部分。因此，当进入经处
4、为让本技术的实施例的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一氧原子百分比高于所述第二氧原子百分比超过2％。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一封装组件包括管芯，并且所述第一部分具有多个环形，其中外环环绕相应的内环。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一部分具有在1微米和20微米之间范围内的宽度，并且所述第一部分具有在1微米和100微米之间范围内的间距。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一部分延伸到所述第一表面介电层中的深度小于100埃。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一部分具有小于100埃的厚度。
8.一种半导体结构，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一部分具有小于100埃的厚度。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一氧原子百分比高于所述第二氧原子百分比超过2％。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一封装组件包括管芯，并且所述第一部分具有多个环形，其中外环环绕相应的内环。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第一部分具有在1微米和20微米之间范围内的宽度，并且所述第一部分具有在1微米和100微米之间范围内的间距。
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟明慈，林咏淇，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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