【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体发光装置。
技术介绍
1、以往，已知有具备发光二极管作为光源的半导体发光装置。
2、[现有技术文献]
3、[专利文献]
4、专利文献1：日本专利申请公开no.2013-41866
技术实现思路
1、当使用led元件时，难以应对光源的输出增加。因此，例如，可以使用边缘发光型激光元件来代替led元件，以应对更高的输出。此外，半导体发光装置越来越多地采用以下构成：安装接收从led元件发射的一部分光的光接收元件，并且基于光接收元件接收的光量来控制从led元件发射的光的强度。当使用激光元件代替led元件以用于此类半导体发光装置时，由于激光元件的指向角比led元件的指向角窄，因此光接收元件难以接收从激光元件发射的激光的一部分。
2、根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体发光装置，包括：基板，包括基板正面；边缘发光元件，安装在基板正面，边缘发光元件包括面向与垂直于基板正面的厚度方向交叉的第一方向的第一元件端面和面向与第一元件端面相反的方向的第二元件端面，边缘发光元件被配置成使得从第一元件端面和第二元件端面发射光；光接收基座，设置在基板正面上并且包括面向第二元件端面的搭载面；和光接收元件，搭载在搭载面上并且包括设置在光接收元件正面上并面向第二元件端面的光接收部。
【技术保护点】
1.一种半导体发光装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座具有绝缘性。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座被形成为使得所述搭载面垂直于所述基板正面。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座被形成为使得随着所述搭载面在所述厚度方向上远离所述基板正面延伸，所述搭载面远离所述第二元件端面延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述搭载面相对于所述基板正面的角度为60度以上且小于90度。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述基板包括面向与所述基板正面相反的一侧的基板背面，
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述光接收元件包括设置在所述光接收元件正面上的第一光接收电极、面向与所述光接收元件正面相反的一侧的光接收元件背面、以及设置在所述光接收元件背面上的第二光接收电极。
8.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述光接收元件包括面向与所述光接收元件正面相反的一侧的光接收元件背面、以及
9.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座包括设置在所述搭载面上并电连接到所述第一光接收电极的第一搭载电极、以及设置在所述搭载面上并电连接到所述第二光接收电极的第二搭载电极。
10.根据权利要求9所述的半导体发光装置，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座被设置为跨过所述第一正面电极和所述第二正面电极。
12.根据权利要求10所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座以当从所述厚度方向看时，不与所述第一正面电极和所述第二正面电极重叠的方式设置在所述基板正面上。
13.根据权利要求10所述的半导体发光装置，还包括：
14.根据权利要求9所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座与所述基板一体形成。
15.根据权利要求14所述的半导体发光装置，还包括：
16.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其中，所述基板包括面向与所述基板正面相反的一侧的基板背面，并且所述半导体发光装置还包括：
18.根据权利要求16所述的半导体发光装置，其中，所述边缘发光元件包括：
19.根据权利要求18所述的半导体发光装置，还包括：
20.根据权利要求18所述的半导体发光装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体发光装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座具有绝缘性。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座被形成为使得所述搭载面垂直于所述基板正面。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座被形成为使得随着所述搭载面在所述厚度方向上远离所述基板正面延伸，所述搭载面远离所述第二元件端面延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述搭载面相对于所述基板正面的角度为60度以上且小于90度。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述基板包括面向与所述基板正面相反的一侧的基板背面，
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述光接收元件包括设置在所述光接收元件正面上的第一光接收电极、面向与所述光接收元件正面相反的一侧的光接收元件背面、以及设置在所述光接收元件背面上的第二光接收电极。
8.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述光接收元件包括面向与所述光接收元件正面相反的一侧的光接收元件背面、以及设置在所述光接收元件背面上的第一光接收电极和第二光接收电极。
9.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述光接收基座包括设置在所...
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