【技术实现步骤摘要】
本申请涉及铜箔，尤其涉及一种埋阻铜箔及其制备方法和电子产品。
技术介绍
1、在当今电子科技快速发展的进程中，随着5g通讯技术的广泛应用以及高速高性能电子产品数量的持续增加，印制电路板（printed circuit board，pcb）呈现出小型化、易封装、高频高速的发展趋势。传统无源器件贴装方式在这种趋势下逐渐显现出诸多不足，其导致pcb表面焊盘数量增多，可用表面积相应减少，并且焊盘元件间的寄生效应增强，使得高频信号传输稳定性变差，成为限制电子设备性能提升的一个重要因素。
2、埋阻铜箔是制造埋置电阻pcb的理想材料，在电阻功率放大、电压转换、信号输入/输出、温度补偿以及电源滤波等方面都有着重要作用，其性能对电子产品的竞争力有着显著影响。然而，在埋阻铜箔制备领域，溅镀工艺制备镍磷合金电阻层具有其特定的工艺特征，其需要载体层作为制备基材，这一要求增加了工艺的复杂性和对原材料的依赖。现有技术情况对国内埋阻铜箔应用产品的发展形成了较大阻碍。
3、比如在中国专利申请cn118996555a中，虽提出了一种通过电镀镍磷合金层来提高电阻铜箔耐腐蚀性的方法。该方法主要包括以下几个步骤：首先对生箔进行酸洗处理以去除表面杂质，然后进行粗固化处理以增加表面粗糙度，最后利用特定成分的电镀液沉积镍磷合金层。尽管这种方法能够在一定程度上提升电阻铜箔的耐腐蚀性，但在实际应用过程中，由于电流分布不均等因素的影响，可能会导致局部区域电阻层厚度不足或过厚的问题。这种不均匀性不仅影响了电阻层的电气性能，还可能降低其长期使用的可靠性。
...【技术保护点】
1.一种埋阻铜箔的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，微粗化包括：将铜箔与微粗化药水混合进行粗化；所述微粗化药水包括含铜物料和含酸物料。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，粗化处理的条件为：温度为15℃~25℃、电流密度为10 A/dm2~30A/dm2、时间为10s ~50s；
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一次钝化包括：将微粗化后的铜箔置于钝化药水中，进行第一次钝化。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钝化药水包括：植酸1.5g/L~3.5g/L、锌离子5g/L~10g/L、镍离子0.3g/L~0.8g/L；植酸、锌离子、镍离子的质量比为1:3:0.2；
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积制备步骤包括：将钝化的铜箔表面涂覆含硅、氟、镍、磷、铬的沉积药水，制备电阻层。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括第二次钝化，所述第二次钝化在所述沉积制备步骤之后，所述第二次钝化包括：将刷镀沉积
8.一种埋阻铜箔，其特征在于，由权利要求1~7任一所述的制备方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的埋阻铜箔，其特征在于，表面粗糙度<5.0微米；抗拉强度>30kg/mm2；延伸率>5%。
10.一种电子产品，其特征在于，包括依据权利要求1至7任一项所述的埋阻铜箔的制备方法制备的埋阻铜箔，或者包括如权利要求8或9所述的埋阻铜箔。
...【技术特征摘要】
1.一种埋阻铜箔的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，微粗化包括：将铜箔与微粗化药水混合进行粗化；所述微粗化药水包括含铜物料和含酸物料。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，粗化处理的条件为：温度为15℃~25℃、电流密度为10 a/dm2~30a/dm2、时间为10s ~50s；
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第一次钝化包括：将微粗化后的铜箔置于钝化药水中，进行第一次钝化。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钝化药水包括：植酸1.5g/l~3.5g/l、锌离子5g/l~10g/l、镍离子0.3g/l~0.8g/l；植酸、锌离子、镍离子的质量比为1:3:0.2；
...【专利技术属性】
技术研发人员：陈韶明，
申请(专利权)人：安徽华威铜箔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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