【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种opc后的检测模型及其建立方法、优化opc验证的方法。
技术介绍
1、在光刻工艺中，掩模版即光罩(mask)上的版图对应的图形结构会通过曝光系统投影到光刻胶中并在光刻胶中形成对应的图形结构，但是，由于曝光过程中的光学原因(例如衍射效应)或者光刻胶的化学反应的原因，在光刻胶中形成的图形结构和掩模版上的图形结构存在偏差，这种偏差则需要通过opc(光学临近效应修正，opt ical proximi tycorrect ion)预先对掩膜版上的版图进行修改，采用opc修正后的掩膜版进行曝光时，在光刻胶中形成的图形结构则会和设计的图形结构相符，并符合工艺生产要求。
2、目前，对版图进行opc修正后，再对opc后的版图数据整体进行opc验证，从中检出热点图形并修正后，再进行opc验证至符合要求。但就实际而言，由于一些热点缺陷(例如曝光后的光刻胶图形的形貌异常)在光学模型或曝光后的模型(光阻模型)中在上述opc验证过程中并不容易检出，严重影响opc验证的效果，而若是在额外增加刻蚀后的模型进行仿真验证，又严重影响opc验证的效率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种opc后的检测模型及其建立方法、优化opc验证的方法，用于优化对部分热点缺陷的检出效果及检出效率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的opc后的检测模型的建立方法，包括：
3、获取opc后的第一样品图形，其具有预设的尺寸参数及曝光参数，所述第一
4、获取所述第一样品图形的光学模型及对应的失真等级；
5、对所述光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真以获得不同失真等级的量测数据和量测图像，所述量测数据及所述量测图像包括反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像；
6、将所述光学模型在不同曝光参数下对应的失真等级、量测数据和量测图像投入样品图形库建立检测模型，用于检测opc后的版图数据中是否存在与所述光学模型在相同或相似曝光参数下相匹配的图形，并以此判定所述opc后的版图数据中是否存在光刻胶的顶部形貌异常的图形。
7、可选的，调整所述第一样品图形的尺寸参数，得到多个基于所述第一样品图形的第二样品图形，获取所述第一样品图形及各所述第二样品图形的光学模型及对应的失真指标，根据所述失真指标对所述第一样品图形及各所述第二样品图形划分为由严重失真至轻微失真的失真等级，多个所述第二样品图形的尺寸参数以所述第一样品图形的尺寸参数为中心等间隔设置。
8、可选的，对其中严重失真的样品图形进行修复处理以获得第三样品图形，再获得所述第三样品图形的光学模型及失真指标。
9、可选的，获取所述光学模型及所述失真指标的步骤包括：
10、根据曝光机台的光源分布及对应的目标线径尺寸，推导出所述光学模型；
11、获得所述光学模型中光刻胶不同位置的横切面的最大光强和最小光强，所述失真指标为所有横切面上最大光强与最小光强的差值除以最大光强与最小光强之和。
12、可选的，对各所述光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真的步骤包括：
13、根据各所述光学模型，找出其正常工艺视窗内对光刻胶影响最大的曝光条件作为关键曝光条件；
14、以所述关键曝光条件为变量在正常工艺视窗范围内构建多个曝光参数组合分别对各所述光学模型进行光刻仿真，以获得对应的量测数据和量测图像。
15、可选的，在建立所述检测模型时，投入所述样品图形库的图案包括正常图案和光刻胶顶部形貌失真的图案，且所述光刻胶顶部形貌失真的图案由不同失真等级的案例构成。
16、可选的，在光刻仿真后获取所述量测数据时，
17、量测光刻胶的纵深高度，判断所述纵深高度是否小于预设高度，
18、若否，测量光刻胶在横切面最小线宽作为所述线宽，
19、若是，以所述纵深高度作为所述量测数据。
20、可选的，在难于准确测量或难于判定部分样品图形的线宽时，由与所述样品图形的尺寸接近的样品图形的实际线宽变化趋势进行大致的估算所述样品图形的线宽，并使其符合实际线宽变化趋势。
21、基于本专利技术的另一方面，还提供一种opc后的检测模型，采用如上述的opc后的检测模型的建立方法而建立。
22、基于本专利技术的另一方面，还提供一种优化opc验证的方法，包括：
23、对版图执行opc处理，获得opc后的版图数据；
24、对所述opc后的版图数据采用如上述opc后的检测模型执行检测处理，判断其中是否存在失真图形，若是，对所述失真图形执行修正处理，并更新所述opc后的版图数据；
25、对所述opc后的版图数据执行opc验证。
26、综上所述，本专利技术在opc修正之后及opc验证之前，设置opc后的检测模型对opc后的版图数据用于检测相关技术中难于检出的热点缺陷，与相关技术中采用正常图案建立模型不同，本专利技术的opc后的检测模型包括上述容易出现热点缺陷的图形在各种曝光条件下所形成的案例，即包括不同失真等级的失真案例，而且，上述失真案例中的量测数据及量测图像均直接反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像，从而可以在对opc后的版图数据进行整体验证之前专门检出前述难于检出的热点缺陷，从而提高opc修正及opc验证的效果及效率。
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1.一种OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，调整所述第一样品图形的尺寸参数，得到多个基于所述第一样品图形的第二样品图形，获取所述第一样品图形及各所述第二样品图形的光学模型及对应的失真指标，根据所述失真指标对所述第一样品图形及各所述第二样品图形划分为由严重失真至轻微失真的失真等级，多个所述第二样品图形的尺寸参数以所述第一样品图形的尺寸参数为中心等间隔设置。
3.根据权利要求2所述的OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，对其中严重失真的样品图形进行修复处理以获得第三样品图形，再获得所述第三样品图形的光学模型及失真指标。
4.根据权利要求2或3所述的OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，获取所述光学模型及所述失真指标的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，对各所述光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，在建立所述检测模型时，投
7.根据权利要求1所述的OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，在光刻仿真后获取所述量测数据时，
8.根据权利要求1所述的OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，在难于准确测量或难于判定部分样品图形的线宽时，由与所述样品图形的尺寸接近的样品图形的实际线宽变化趋势进行大致的估算所述样品图形的线宽，并使其符合实际线宽变化趋势。
9.一种OPC后的检测模型，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的OPC后的检测模型的建立方法而建立。
10.一种优化OPC验证的方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种opc后的检测模型的建立方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的opc后的检测模型的建立方法，其特征在于，调整所述第一样品图形的尺寸参数，得到多个基于所述第一样品图形的第二样品图形，获取所述第一样品图形及各所述第二样品图形的光学模型及对应的失真指标，根据所述失真指标对所述第一样品图形及各所述第二样品图形划分为由严重失真至轻微失真的失真等级，多个所述第二样品图形的尺寸参数以所述第一样品图形的尺寸参数为中心等间隔设置。
3.根据权利要求2所述的opc后的检测模型的建立方法，其特征在于，对其中严重失真的样品图形进行修复处理以获得第三样品图形，再获得所述第三样品图形的光学模型及失真指标。
4.根据权利要求2或3所述的opc后的检测模型的建立方法，其特征在于，获取所述光学模型及所述失真指标的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的opc后的检测模型的建立方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：敖振宇，陈咏翔，曾鼎程，范富杰，胡展源，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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