【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及半导体装置。更具体地，专利技术构思涉及包括包含二维(2d)材料的沟道区域的半导体装置。
技术介绍
1、随着半导体装置的快速尺寸缩小，期望确保半导体装置中的相对高的操作速度和相对高的操作精度。此外，随着半导体装置的增大的集成度和减小的大小，在制造纳米片场效应晶体管的工艺期间，工艺缺陷的发生的可能性可增大。因此，正在开发具有能够消除或减少工艺缺陷的发生的可能性并改善纳米片场效应晶体管的性能和可靠性的结构的半导体装置。
技术实现思路
1、本公开提供能够在纳米片场效应晶体管中提供更稳定的性能和改善的可靠性的半导体装置。
2、根据专利技术构思的一些方面，提供了一种半导体装置，包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；水平半导体层，在鳍型有源区上；种子层，在鳍型有源区上并且与水平半导体层接触；栅极线，在鳍型有源区上围绕水平半导体层和种子层，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上在长度上延伸；以及一对垂直半导体层，在鳍型有源区上在水平半导体层的在第一水平方向上的第一侧和第二侧上，并且水平半导体层在所述一对垂直半导体层之间，其中，垂直半导体层中的每个的内壁接触水平半导体层，并且垂直半导体层的上表面或下表面接触种子层。
3、根据专利技术构思的一些方面，提供了一种半导体装置，包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；一对水平半导体层，在鳍型有源区上并且在垂直方向上彼此面对；栅极线，在鳍型有源区上围绕水平半导体层，并且在与第一水平方向
4、根据专利技术构思的一些方面，提供了一种半导体装置，包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；一对水平半导体层，在鳍型有源区上并且在垂直方向上彼此面对；一对种子层，在鳍型有源区上并且分别与所述一对水平半导体层接触；栅极线，在鳍型有源区上围绕所述一对水平半导体层和所述一对种子层，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上在长度上延伸；一对垂直半导体层，在鳍型有源区上分别在所述一对水平半导体层的在第一水平方向上的第一侧和第二侧上，并且所述一对水平半导体层在所述一对水平半导体层之间；以及一对源极/漏极接触件，与栅极线邻近，栅极线在所述一对源极/漏极接触件之间，其中，所述一对垂直半导体层的内壁分别接触所述一对水平半导体层，所述一对垂直半导体层的上表面和下表面接触所述一对种子层，所述一对垂直半导体层中的每个的上表面与所述一对水平半导体层之中的位于相对上侧上的水平半导体层的上表面共面，并且所述一对垂直半导体层之中的每个的下表面与所述一对水平半导体层之中的位于相对下侧上的水平半导体层的下表面共面。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，种子层在第一水平方向上的长度大于水平半导体层在第一水平方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，水平半导体层包括二维半导体材料，并且二维半导体材料包括过渡金属二硫属化物TMD。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，种子层包括：包括在TMD中的过渡金属的氧化物或过渡金属的氧化物的催化剂。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体装置，还包括：第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件，各自接触所述一对垂直半导体层中的相应的垂直半导体层的外壁并且与栅极线邻近，并且栅极线在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间。
11.根据权利要求10所述的半导体装
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，第一金属层包括Sb、Bi、In、Se或它们中的两种或更多种的组合，并且第二金属层包括Au、Ni、Pd、Pt或它们中的两种或更多种的组合。
13.一种半导体装置，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括：栅极介电层，在栅极线与水平半导体层之间，其中，所述一对垂直半导体层的上表面和下表面接触栅极介电层。
15.根据权利要求13或14所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求13或14所述的半导体装置，其中，
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述一个垂直半导体层的上表面和下表面接触所述绝缘间隔件。
18.根据权利要求13或14所述的半导体装置，其中，
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述一个垂直半导体层的上表面和下表面接触绝缘间隔件。
20.一种半导体装置，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，种子层在第一水平方向上的长度大于水平半导体层在第一水平方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，水平半导体层包括二维半导体材料，并且二维半导体材料包括过渡金属二硫属化物tmd。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，种子层包括：包括在tmd中的过渡金属的氧化物或过渡金属的氧化物的催化剂。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体装置，还包括：第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件，各自接触所述一对垂直半导体层中的相应的垂直半导体层的外壁并且与栅极线邻近，并且栅极线在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间。
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴星一，薛珉洙，俞敏硕，朴宰贤，卞卿溵，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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