【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体处理领域，更具体地，涉及一种具有提高的半导体处理良率的半导体处理设备。
技术介绍
1、半导体处理包括用于在衬底上形成多个层的光处理、蚀刻处理、沉积处理等，其中，多个图案可形成在多个对应的层上。随着多个图案的线宽和间隔逐渐细化，已经提出了利用相对短的波段的光(例如，极紫外(euv)光)的光刻工艺。利用euv光执行光刻工艺的半导体处理设备可包括反射euv光的多个镜。然而，当euv光仅辐射于所述多个镜中的至少一个的局部区域上时，镜中可能发生变形，这可能降低光刻工艺的良率。
技术实现思路
1、通常，在一些方面，本公开涉及提高了半导体处理的良率的半导体处理设备，这样，可根据在利用euv光执行光刻工艺的半导体处理设备中包括的多个镜中的至少一个中辐射的euv光的图案，形成能够降低温度不平衡的石墨烯层。
2、根据本公开的一些方面，一种半导体处理设备包括：照明单元(光产生器)，其被配置为输出具有euv波段的euv光；掩模台，其上安置反射从照明单元输出的euv光的掩模；光接收光学单元(光学光接收器)，其包括通过反射从掩模反射的euv光产生输出光的多个镜，所述多个镜中的至少一个包括镜主体和附着于镜主体的表面的反射层；电源，其被配置为将偏置电压施加至反射层；以及衬底台，其上安置被辐射有输出光的衬底。在一些实施方式中，反射层包括多个硅层、与所述多个硅层交替地堆叠的多个钼层以及至少一个石墨烯层，其中，石墨烯层包括具有石墨烯的基础区和附着于被施加偏置电压的基础区的多个焊盘。
<...【技术保护点】
1.一种半导体处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其中，所述多个焊盘沿着所述基础区的边缘排列。
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其中，所述电源包括：
4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，
5.根据权利要求3所述的半导体处理设备，
6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其中，所述第一开关电路和所述第二开关电路被配置为基于其中所述极紫外光辐射于所述多个镜中的至少一个镜中的辐射区域的位置和面积确定所述第一选择焊盘和所述第二选择焊盘。
7.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其中，所述电源还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体处理设备，
9.一种半导体处理设备，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其中，所述石墨烯层的厚度小于所述多个硅层和所述多个钼层中的每一个的厚度。
11.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其中，所述反射层还包括设置在所述多个硅层和所述多个钼层之间的多个金属层。
12.根据权利要求11所
13.根据权利要求11所述的半导体处理设备，
14.根据权利要求9所述的半导体处理设备，
15.根据权利要求9所述的半导体处理设备，
16.根据权利要求9所述的半导体处理设备，
17.根据权利要求9所述的半导体处理设备，
18.根据权利要求17所述的半导体处理设备，
19.一种半导体处理设备，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体处理设备，其中，构成所述第三层的材料的导热率高于构成所述多个第一层的材料的导热率和构成所述多个第二层的材料的导热率。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其中，所述多个焊盘沿着所述基础区的边缘排列。
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其中，所述电源包括：
4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，
5.根据权利要求3所述的半导体处理设备，
6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其中，所述第一开关电路和所述第二开关电路被配置为基于其中所述极紫外光辐射于所述多个镜中的至少一个镜中的辐射区域的位置和面积确定所述第一选择焊盘和所述第二选择焊盘。
7.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其中，所述电源还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体处理设备，
9.一种半导体处理设备，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其中，所述石墨烯层的厚度小于所述多个硅层...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴炅桓，李多海，郑殷喜，赵哲敏，姜景元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。