【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、目前，堆叠晶体管的制备过程中产生的较高的热预算仍是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，以降低制备堆叠晶体管的过程中产生的热预算。
2、第一方面，本申请实施例提供一种堆叠晶体管的制备方法，堆叠晶体管包括堆叠设置的第一晶体管和第二晶体管；上述方法包括：在衬底上形成鳍状结构；鳍状结构包括第一鳍状结构和第二鳍状结构；在鳍状结构和衬底上沉积氧化物，以形成氧化隔离层；氧化隔离层覆盖鳍状结构的表面以及衬底的表面；在氧化隔离层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；绝缘隔离层覆盖氧化隔离层的表面；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面；第一表面为第二鳍状结构中远离第一鳍状结构的表面；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积氧化物，以形成氧化隔离结构；氧化隔离结构在水平方向上的高度与绝缘隔离层在水平方向上的高度相同；刻蚀预设高度的氧化隔离结构，以形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；绝缘隔离结构和绝缘隔离层连成一体，并覆盖在刻蚀后的氧化隔离结构
3、在一些可能的实施方式中，在基于第一鳍状结构，形成第一晶体管之前，上述方法还包括：在氧化隔离层上沉积第二绝缘材料，以形成浅槽隔离结构；浅槽隔离结构包裹鳍状结构；去除浅槽隔离结构的第一部分，以暴露包裹第一鳍状结构的绝缘隔离层；去除包裹第一鳍状结构的绝缘隔离层，以暴露包裹第一鳍状结构的氧化隔离层。
4、在一些可能的实施方式中，在基于第二鳍状结构，形成第二晶体管之前，上述方法还包括：去除浅槽隔离结构的第二部分，以暴露包裹第二鳍状结构的绝缘隔离层和绝缘隔离结构，并形成浅槽隔离层；浅槽隔离层位于第一晶体管和第二晶体管之间，用于隔离第一晶体管和第二晶体管。
5、在一些可能的实施方式中，在第一凹槽中沉积氧化物，以形成氧化隔离结构，包括：在第一凹槽中以及氧化隔离层上沉积氧化物，以形成第一氧化隔离结构；第一氧化隔离结构与氧化隔离层连成一体；去除预设高度的第一氧化隔离结构和氧化隔离层，直至暴露出绝缘隔离层，以形成氧化隔离结构。
6、在一些可能的实施方式中，在第二凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构，包括：在第二凹槽中以及绝缘隔离层上沉积第一绝缘材料，以形成第一绝缘隔离结构；第一绝缘隔离结构与绝缘隔离层连成一体；去除预设高度的第一绝缘隔离结构和绝缘隔离层，直至暴露浅槽隔离结构，以形成绝缘隔离结构。
7、在一些可能的实施方式中，在形成第一晶体管的过程中，上述方法还包括：对第一晶体管的第一伪栅结构进行栅极切断处理，以形成第一栅极切断结构。
8、在一些可能的实施方式中，在形成第二晶体管的过程中，上述方法还包括：对第二晶体管的第二伪栅结构进行栅极切断处理，以形成第二栅极切断结构。
9、第二方面，本申请实施例提供一种堆叠晶体管，采用如上述第一方面所述的方法制备得到，上述堆叠晶体管包括：第一晶体管；第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管堆叠设置；浅槽隔离层，浅槽隔离层位于第一晶体管和第二晶体管之间，用于隔离第一晶体管和第二晶体管；其中，第一晶体管的鳍状结构和第二晶体管的鳍状结构是通过同一道工序形成的，位于浅槽隔离层中的鳍状结构的表面被氧化隔离层覆盖，氧化隔离层的表面被绝缘隔离层覆盖；氧化隔离层是通过在鳍状结构的表面沉积氧化物形成的，绝缘隔离层是通过在氧化隔离层上沉积第一绝缘材料形成的。
10、第三方面，本申请实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括：如上述第二方面的堆叠晶体管。
11、第四方面，本申请实施例提供一种电子设备，该电子设备包括：电路板以及如上述第三方面的半导体器件，半导体器件设置于电路板。
12、在本申请中，在第一鳍状结构和第二鳍状结构外部形成氧化隔离层和绝缘隔离层，且第一鳍状结构和第二鳍状结构表面的氧化隔离层和绝缘隔离层都是一体成型的，可以避免在制备第二晶体管的过程中在第二鳍状结构的表面再次形成氧化隔离层，解决了堆叠晶体管中分多次形成氧化隔离层而导致的热预算过高的问题。
13、进一步地，在第一鳍状结构和第二鳍状结构外部形成的氧化隔离层和绝缘隔离层，可以在制备堆叠晶体管的过程中，有效保护第一鳍状结构和第二鳍状结构。
14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述堆叠晶体管包括堆叠设置的第一晶体管和第二晶体管；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于所述第一鳍状结构，形成所述第一晶体管之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基于所述第二鳍状结构，形成所述第二晶体管之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽中沉积所述氧化物，以形成氧化隔离结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二凹槽中沉积所述第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
8.一种堆叠晶体管，其特征在于，采用如权利要求1至7任一项所述的方法制备得到，所述堆叠晶体管包括：
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：如权利要求8所述的堆叠晶体管。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：电路板以及如权利要求9所述的半导体器件
...【技术特征摘要】
1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述堆叠晶体管包括堆叠设置的第一晶体管和第二晶体管；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基于所述第一鳍状结构，形成所述第一晶体管之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基于所述第二鳍状结构，形成所述第二晶体管之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽中沉积所述氧化物，以形成氧化隔离结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，付麒力，郭睿，黎明，王润声，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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