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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于激光增益介质材料,尤其涉及一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法。
技术介绍
1、半导体激光器具有超小体积、高效率、低功耗、寿命长和高速调制等优点,广泛应用于光通信、光信息处理、激光显示和智能驾驶等领域。其中,半导体增益介质作为半导体激光器的核心组成部分,直接决定半导体激光器的性能。
2、目前商用的半导体激光器的增益介质一般为砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)、氮化镓(gan)等iii-v族化合物半导体,其生长过程往往依赖于超高真空条件下的外延技术,生长条件苛刻,设备和能耗成本高。同时,外延生长依赖于晶格匹配,化合物半导体与常用的硅基衬底的晶格不匹配也极大地限制了半导体激光的发展。与之对应,铅卤钙钛矿薄膜具有高光增益、带隙可调、非外延生长和易与其他光电子器件集成等优势,是下一代低成本、高性能全色激光增益介质的有力竞争者。
3、因此,有必要针对铅卤钙钛矿这一技术路线提出一种可实现低阈值、高光增益的蓝光激射,同时具有良好稳定性的钙钛矿薄膜蓝光增益介质。这种钙钛矿薄膜蓝光增益介质专门设计用于蓝光区域的增益,在蓝光波段具有显著的光学增益特性,能够实现低阈值的蓝光激射或放大,这对于提高蓝光激光器的性能和稳定性具有重要意义。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,该方法所制备的钙钛矿薄膜可实现低阈值、高光增益的蓝光激射,在高湿度环境下具有良好的稳定性。
2、为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:<
...【技术保护点】
1.一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿前驱体由CsCl、PbCl2和PbBr2组成。
3.根据权利要求2所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述CsCl、PbCl2和PbBr2的浓度比为4:1:3。
4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述玻璃衬底为经过预处理后的玻璃衬底;
5.根据权利要求4所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述步骤S2的旋涂成膜过程在手套箱中进行,所述手套箱中充满氮气。
6.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述步骤S2的旋涂成膜的条件参数为:转速2000转/分,旋涂时间为120s;旋涂结束后放置在100℃的加热板上退火10min。
7.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿薄膜蓝光增益介质具有“聚丙烯腈-钙钛矿-聚丙烯
8.根据权利要求7所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述对称波导结构为旋涂钙钛矿薄膜过程中原位形成。
9.根据权利要求8所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述聚丙烯腈的折射率小于钙钛矿,以增强光子的限制作用;
...【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿前驱体由cscl、pbcl2和pbbr2组成。
3.根据权利要求2所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述cscl、pbcl2和pbbr2的浓度比为4:1:3。
4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述玻璃衬底为经过预处理后的玻璃衬底;
5.根据权利要求4所述的一种钙钛矿薄膜蓝光增益介质的制备方法,其特征在于,所述步骤s2的旋涂成膜过程在手套箱中进行,所述手套箱中充满氮气。
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