【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种提升亮度的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管通常包括外延层和设在外延层的表面上的银镜反射层，由于金属ag与外延层接触是肖特基接触，会导致led的电阻很大，因此，通常会外延层和银镜反射层之间设置透明导电层，通过透明导电层分别与外延层和银镜反射层形成欧姆接触，以便于电流传输。
3、然而，透明导电层对光有一定的吸收作用，因此会影响发光二极管的出光量，进而降低发光二极管的亮度。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种提升亮度的发光二极管及其制备方法，能避免透明导电层吸光，提升发光二极管的亮度。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：外延层、欧姆接触膜和金属反射层；所述欧姆接触膜包括银纳米层，所述银纳米层位于所述外延层的表面上，所述金属反射层位于所述银纳米层的远离所述外延层的一侧，且所述金属反射层与所述银纳米层相连。
3、可选地，所述银纳米层的厚度为10nm至20nm。
4、可选地，所述欧姆接触膜还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层位于所述银纳米层的远离所述外延层的表面上，所述绝缘保护层具有露出所述银纳米层的第一通孔；
5、可选地，所述绝缘保护层包括氧化铝层。
6、可选地，所述绝缘保护层的厚度为300埃至800埃。
7、可选地，所述发光二极管还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层位于所述绝缘保护层的远离所述外延层的表面上，所述绝缘反射层具有露出所述第一通孔的第二通孔；所述金属反射层位于所述绝缘反射层的远离所述外延层的表面上，且所述金属反射层依次通过所述第二通孔和所述第一通孔与所述银纳米层相连。
8、可选地，所述欧姆接触膜还包括金属接触层，所述金属接触层位于所述银纳米层和所述外延层之间，所述金属接触层包括ti层、ni层和cr层中的至少一个。
9、另一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：形成外延层；在所述外延层的表面上形成欧姆接触膜，所述欧姆接触膜包括银纳米层；在所述银纳米层的远离所述外延层的一侧形成金属反射层，所述金属反射层与所述银纳米层相连。
10、可选地，在所述外延层的表面上形成欧姆接触膜包括：采用离子源对所述外延层的表面进行等离子体轰击；在所述外延层的表面蒸镀所述银纳米层。
11、可选地，采用离子源对所述外延层的表面进行等离子体轰击包括：控制所述离子源的工作功率为500w至700w，控制反应腔内的工作压力小于或者等于0.01pa，控制工作时长为200s至300s，对所述外延层的表面进行等离子体轰击。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例提供的发光二极管在外延层和金属反射层之间设置欧姆接触层，通过欧姆接触层替代相关技术中的透明导电层。其中，欧姆接触层采用的是纳米级的银纳米层，厚度较薄的银纳米层与外延层接触时，银纳米层和外延层的交界面处的电阻也不会很大，使得电流能顺利从银纳米层传输至外延层。并且，银纳米层对光的吸收作用较弱，相比于透明导电层能减少发光二极管对光线的吸收，因此能提升发光二极管的出光量，从而改善发光二极管的亮度。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、欧姆接触膜(30)和金属反射层(41)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述银纳米层(31)的厚度为10nm至20nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触膜(30)还包括绝缘保护层(32)，所述绝缘保护层(32)位于所述银纳米层(31)的远离所述外延层(20)的表面上，所述绝缘保护层(32)具有露出所述银纳米层(31)的第一通孔(320)；
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘保护层(32)包括氧化铝层。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘保护层(32)的厚度为300埃至800埃。
6.根据权利要求4或5所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括绝缘反射层(51)，所述绝缘反射层(51)位于所述绝缘保护层(32)的远离所述外延层(20)的表面上，所述绝缘反射层(51)具有露出所述第一通孔(320)的第二通孔(510)；
7.根据权利要求1至2和
8.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层的表面上形成欧姆接触膜包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用离子源对所述外延层的表面进行等离子体轰击包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、欧姆接触膜(30)和金属反射层(41)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述银纳米层(31)的厚度为10nm至20nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触膜(30)还包括绝缘保护层(32)，所述绝缘保护层(32)位于所述银纳米层(31)的远离所述外延层(20)的表面上，所述绝缘保护层(32)具有露出所述银纳米层(31)的第一通孔(320)；
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘保护层(32)包括氧化铝层。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘保护层(32)的厚度为300埃至800埃。
6.根据权利要求4或5所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：王佳，田宇航，马国强，芮哲，魏柏林，田艳红，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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