【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电，尤其涉及一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。
技术介绍
1、载流子功能层，比如电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等膜层，均可以应用到opv、ofet、钙钛矿太阳能电池、有机电致光电器件(oled)、量子点电致光电器件(qled)等各种光电器件中，以提高载流子的传输和注入，提高光电器件的光电性能。以oled和qled等具备发光形成的光电器件为例，其中包括的电荷功能层会直接影响载流子迁移率、载流子注入量等，从而影响复合发光，影响光电器件的发光性能和寿命。
2、但电荷功能层由于其材料的影响，比如氧化物颗粒等存在表面缺陷等，影响了电荷功能层的稳定性和寿命，从而一定程度上限制了光电器件的性能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置，旨在提高薄膜的材料稳定性。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种薄膜的制备方法，包括：提供第一膜层，所述第一膜层包括氧化物颗粒；对所述第一膜层进行气氛处理，得到薄膜；其中，所述气氛处理中使用的工作气体包括硫化氢气体，所述工作气体中，所述硫化氢气体的体积百分比小于等于10％。
3、可选的，在本申请的一些实施例中所述工作气体由所述硫化氢气体和惰性气体组成；和/或所述硫化氢气体的体积分数为2～5％；和/或所述气氛处理的温度小于等于200℃；和/或所述气氛处理的时间为30～120min。
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述气氛处理的温度为150～200℃
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化物颗粒可以包括掺杂或未掺杂氧化物颗粒，所述未掺杂氧化物颗粒选自氧化锌、二氧化钛、二氧化锡、氧化镓、氧化镍、三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒、三氧化铬、氧化铜中的一种或多种；所述掺杂氧化物颗粒包括所述未掺杂氧化物颗粒和掺杂元素，所述掺杂元素选自mg、ca、li、ga、al、co、mn、in、zr、w、ti、y中的一种或多种；和/或所述氧化物颗粒的平均粒径为2～15nm；和/或所述第一膜层的厚度为10～70nm。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述对所述第一膜层进行气氛处理，包括：将所述第一膜层置于第一气氛中，进行所述气氛处理，其中，所述第一气氛的气体组成中包括所述硫化氢气体。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供第一膜层，包括：提供所述氧化物颗粒的溶液；提供基板，在所述基板上设置所述氧化物颗粒的溶液，干燥处理形成所述第一膜层。
8、相应的，本申请实施例还提供一种薄膜，由上述的薄膜的制备方法制备得到。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜中硫元素的质量百分比小于等于5％。
10、相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，包括相对设置的第一电极和第二电极；载流子功能层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述载流子功能层包括上述的薄膜的制备方法制备得到的薄膜，或者所述载流子功能层包括上述的薄膜。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述载流子功能层包括电子功能层和空穴功能层中的一种或多种；和/或所述第一电极和所述第二电极独立选自金属电极、碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物颗粒电极以及复合电极；其中，所述金属电极的材料选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物颗粒电极的材料选自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的至少一种；所述复合电极的材料选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns以及zns/al/zns中的至少一种；和/或所述光电器件还包括发光层，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点中的一种或多种；所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种；所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins、cuinse及agins中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一膜层进行气氛处理，包括：将所述第一膜层置于第一气氛中，进行所述气氛处理，其中，所述第一气氛包括所述硫化氢气体。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，提供所述氧化物颗粒的溶液和基板，以及在所述基板上设置所述氧化物颗粒的溶液，干燥处理形成所述第一膜层。
7.一种薄膜，其特征在于，由权利要求1-6任一项所述的薄膜的制备方法制备得到。
8.如权利要求7所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜中硫元素的质量分数小于等于5％。
9.一种光电器件，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的光电器件，其特征在于，
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-6中任意一项所述的方法制备的薄膜，或者包括权利
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一膜层进行气氛处理，包括：将所述第一膜层置于第一气氛中，进行所述气氛处理，其中，所述第一气氛包括所述硫化氢气体。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括，提供所述氧化物颗粒的溶液和基板，以及在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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