【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种熔丝单元、存储器、存储器的工作方法及监控电路的工作方法。
技术介绍
1、在存储器系统中，熔丝单元有着非常重要的作用。传统的熔丝单元中，数百个n型金属氧化物半导体(negative channel-metal-oxide-semiconductor，nmos)并联以获得较大的熔断电流，并且，随着科学技术的发展，精密系统中对弱电的监测越来越不可或缺。
2、然而，在现有的技术中，多个金属氧化物半导体并联的熔丝单元的面积过大，且不能应用于弱电的监测，在应用中有很大的局限性。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种熔丝单元、存储器、存储器的工作方法及监控电路的工作方法，减小了熔丝单元的面积并起到监控弱电流的作用。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提出一种熔丝单元，包括：第一熔丝，具有第一端和第二端，所述第二端接地；第一放大单元，所述第一放大单元包括：第一pnp三极管和第一npn三极管，所述第一pnp三极管，具有第一发射极、第一集电极和第一基极，所述第一发射极与第一电源端连接，所述第一集电极用于向所述第一端输出电流信号；所述第一npn三极管，具有第二发射极、第二集电极和第二基极，所述第二集电极与第一基极连接，所述第二发射极与第一端连接，所述第二基极用于输入第一触发信号。
3、可选的，还包括：第二电阻，所述第二电阻连接在第一集电极与第一端之间；第一电阻，所述第一电阻的两端分别与第一发射极与
4、可选的，还包括：第一mos管，所述第一mos管的第三端与第二基极连接，所述第一mos管的第四端用于输入第一触发信号，所述第三端为第一mos管源极和漏极中的一者，所述第四端为所述第一mos管源极和漏极中的另一者，所述第一mos管的第一栅极用于输入第一开关信号；当所述第一mos管为pmos时，所述第三端为pmos管的漏极，所述第四端为pmos管的源极；当所述第一mos管为nmos时，所述第三端为nmos管的源极，所述第四端为nmos管的漏极。
5、可选的，还包括：所述第二基极与第一待监控器件连接。
6、可选的，还包括：所述第一基极与第二待监控器件连接。
7、本专利技术的技术方案中还提供另一种熔丝单元，包括：第二熔丝，具有第五端和第六端，所述第六端接地；第二放大单元，所述第二放大单元包括：第二pnp三极管和第二npn三极管，所述第二pnp三极管，具有第三发射极、第三集电极和第三基极，所述第三发射极与第二电源端连接，所述第三基极用于输入第二触发信号；所述第二npn三极管，具有第四发射极、第四集电极和第四基极，所述第四基极与第三集电极连接，所述第四发射极与第五端连接，所述第四集电极用于输入来自第二电源端的电流信号。
8、可选的，还包括：第三电阻，所述第三电阻连接在第三集电极与第五端之间；第四电阻，所述第四电阻连接在第三发射极与第四集电极之间。
9、可选的，还包括：第二mos管，所述第二mos管的第七端与第三基极连接，所述第二mos管的第八端用于输入第二触发信号，所述第七端为第二mos管源极和漏极中的一者，所述第八端为所述第二mos管源极和漏极中的另一者，所述第二mos管的第二栅极用于输入第二开关信号；当所述第二mos管为pmos时，所述第七端为pmos管的漏极，所述第八端为pmos管的源极；当所述第二mos管为nmos时，所述第七端为nmos管的源极，所述第八端为nmos管的漏极。
10、相应的，本专利技术的技术方案中还提供一种存储器，包括：若干熔丝单元。
11、相应的，本专利技术的技术方案中还提供一种存储器的工作方法，包括：在第一mos管的第一栅极输入第一开关信号，当所述第一开关信号的电压值大于第一mos管阈值电压值时，所述第一mos管导通；在所述第一mos管的第四端输入第一触发信号，当所述第一触发信号的电流值大于阈值电流时，流经所述第一熔丝的电流大于熔断电流，所述第一熔丝熔断并写入逻辑1；当所述第一触发信号的电流值小于阈值电流时，流经所述第一熔丝的电流小于熔断电流，所述第一熔丝不熔断并写入逻辑0。
12、可选的，所述阈值电流为第一npn三极管的阈值电流；所述第一npn三极管的阈值电流为10μa；所述熔断电流的大小为50ma。
13、可选的，所述第一电源端电压的范围为1.0v～1.8v；所述第一mos管阈值电压为0.75v；所述第一触发信号的电压值大于0.1v。
14、本专利技术的技术方案中还提供另一种存储器，包括：若干熔丝单元。
15、本专利技术的技术方案中还提供另一种存储器的工作方法，包括：在第二mos管的第二栅极输入第二开关信号，当所述第二开关信号的电压值大于第二mos管阈值电压值时，所述第二mos管导通；在所述第二mos管的第八端输入第二触发信号，当所述第二触发信号的电流值大于阈值电流时，流经所述第二熔丝的电流大于熔断电流，所述第二熔丝熔断并写入逻辑1；当所述第二触发信号的电流值小于阈值电流时，流经所述第二熔丝的电流小于熔断电流，所述第二熔丝不熔断并写入逻辑0。
16、可选的，所述阈值电流为第二pnp三极管的阈值电流；所述第二pnp三极管的阈值电流为10μa；所述熔断电流的大小为50ma。
17、可选的，所述第二电源端电压的范围为1.0v～1.8v；所述第二mos管阈值电压为0.75v；所述第二触发信号的电压值大于0.1v。
18、相应的，本专利技术的技术方案中还提供一种监控电路的工作方法，所述监控电路包括所述熔丝单元与第一待监控器件，所述第一待监控器件与第二基极连接，其特征在于，包括：所述第一待监控器件对所述第二基极输入第三触发信号，当所述第三触发信号的电流值大于阈值电流时，流经所述第一熔丝的电流大于熔断电流，所述第一熔丝熔断。
19、可选的，所述阈值电流为第一npn三极管的阈值电流；所述第一npn三极管的阈值电流为10μa；所述熔断电流的大小为50ma。
20、本专利技术的技术方案中还提供另一种监控电路的工作方法，所述监控电路包括所述熔丝单元与第二待监控器件，所述第二待监控器件与第一基极连接，其特征在于，包括：所述第二待监控器件对所述第一基极输入第四触发信号，当所述第四触发信号的电流值大于阈值电流时，流经所述第一熔丝的电流大于熔断电流，所述第一熔丝熔断。
21、可选的，所述阈值电流为第一pnp三极管的阈值电流；所述第一pnp三极管的阈值电流为10μa；所述熔断电流的大小为50ma。
22、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
23、本专利技术的技术方案提供的熔丝单元中，所述第二基极与第一集电极连接，所述第二集电极与第一基极连接，故所述第一pnp三极管与第一npn三极管串联构成共发射极放大器电路，使得输入的电流得到数倍的放大，缩小熔丝单元面积的同时获得高熔断电流。
24、进一步，当第二基本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种熔丝单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：第二电阻，所述第二电阻连接在第一集电极与第一端之间；第一电阻，所述第一电阻的两端分别与第一发射极与第一基极连接。
3.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：第一MOS管，所述第一MOS管的第三端与第二基极连接，所述第一MOS管的第四端用于输入第一触发信号，所述第三端为第一MOS管源极和漏极中的一者，所述第四端为所述第一MOS管源极和漏极中的另一者，所述第一MOS管的第一栅极用于输入第一开关信号；当所述第一MOS管为PMOS时，所述第三端为PMOS管的漏极，所述第四端为PMOS管的源极；当所述第一MOS管为NMOS时，所述第三端为NMOS管的源极，所述第四端为NMOS管的漏极。
4.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：所述第二基极与第一待监控器件连接。
5.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：所述第一基极与第二待监控器件连接。
6.一种熔丝单元，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的熔
8.如权利要求6所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：第二MOS管，所述第二MOS管的第七端与第三基极连接，所述第二MOS管的第八端用于输入第二触发信号，所述第七端为第二MOS管源极和漏极中的一者，所述第八端为所述第二MOS管源极和漏极中的另一者，所述第二MOS管的第二栅极用于输入第二开关信号；当所述第二MOS管为PMOS时，所述第七端为PMOS管的漏极，所述第八端为PMOS管的源极；当所述第二MOS管为NMOS时，所述第七端为NMOS管的源极，所述第八端为NMOS管的漏极。
9.一种存储器，其特征在于，包括：
10.一种如权利要求9所述的存储器的工作方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述阈值电流为第一NPN三极管的阈值电流；所述第一NPN三极管的阈值电流为10μA；所述熔断电流的大小为50mA。
12.如权利要求10所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述第一电源端电压的范围为1.0V～1.8V；所述第一MOS管阈值电压为0.75V；所述第一触发信号的电压值大于0.1V。
13.一种存储器，其特征在于，包括：
14.一种如权利要求13所述的存储器的工作方法，其特征在于，包括：
15.如权利要求14所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述阈值电流为第二PNP三极管的阈值电流；所述第二PNP三极管的阈值电流为10μA；所述熔断电流的大小为50mA。
16.如权利要求14所述的存储器的工作方法，其特征在于，所述第二电源端电压的范围为1.0V～1.8V；所述第二MOS管阈值电压为0.75V；所述第二触发信号的电压值大于0.1V。
17.一种监控电路的工作方法，所述监控电路包括如权利要求1至2任一项所述的熔丝单元与第一待监控器件，所述第一待监控器件与第二基极连接，其特征在于，包括：
18.如权利要求17所述的监控电路的工作方法，其特征在于，所述阈值电流为第一NPN三极管的阈值电流；所述第一NPN三极管的阈值电流为10μA；
19.一种监控电路的工作方法，所述监控电路包括如权利要求1至2任一项所述的熔丝单元与第二待监控器件，所述第二待监控器件与第一基极连接，其特征在于，包括：
20.如权利要求19所述的监控电路的工作方法，其特征在于，所述阈值电流为第一PNP三极管的阈值电流；所述第一PNP三极管的阈值电流为10μA；
...【技术特征摘要】
1.一种熔丝单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：第二电阻，所述第二电阻连接在第一集电极与第一端之间；第一电阻，所述第一电阻的两端分别与第一发射极与第一基极连接。
3.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：第一mos管，所述第一mos管的第三端与第二基极连接，所述第一mos管的第四端用于输入第一触发信号，所述第三端为第一mos管源极和漏极中的一者，所述第四端为所述第一mos管源极和漏极中的另一者，所述第一mos管的第一栅极用于输入第一开关信号；当所述第一mos管为pmos时，所述第三端为pmos管的漏极，所述第四端为pmos管的源极；当所述第一mos管为nmos时，所述第三端为nmos管的源极，所述第四端为nmos管的漏极。
4.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：所述第二基极与第一待监控器件连接。
5.如权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：所述第一基极与第二待监控器件连接。
6.一种熔丝单元，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：第三电阻，所述第三电阻连接在第三集电极与第五端之间；第四电阻，所述第四电阻连接在第三发射极与第四集电极之间。
8.如权利要求6所述的熔丝单元，其特征在于，还包括：第二mos管，所述第二mos管的第七端与第三基极连接，所述第二mos管的第八端用于输入第二触发信号，所述第七端为第二mos管源极和漏极中的一者，所述第八端为所述第二mos管源极和漏极中的另一者，所述第二mos管的第二栅极用于输入第二开关信号；当所述第二mos管为pmos时，所述第七端为pmos管的漏极，所述第八端为pmos管的源极；当所述第二mos管为nmos时，所述第七端为nmos管的源极，所述第八端为nmos管的漏极。
9...
【专利技术属性】
技术研发人员：渠超越，张雅，曾宗康，吕相南，余达强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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