【技术实现步骤摘要】
本公开大体涉及晶片叠对标记及叠对测量系统。另外，本公开涉及叠对标记，其包含最小到没有中断的连续图案。
技术介绍
1、光刻设备是将预期图案施加到衬底，通常施加到块体半导体衬底(例如，半导体晶片)的目标部分上的机器。例如，可在半导体装置的制造中使用光刻设备。在所述例项中，在此项技术中称为掩膜或光罩的图案化装置可用于从晶片的有源表面上的个别材料层级产生将形成在裸片位置上的电路图案。此图案可转移到晶片(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包含一个或若干裸片位置的部分)上。图案转印通常经由成像到设置在晶片上的辐射敏感材料(即，光阻剂)层上来实现。一般来说，晶片将含有对应于经连续图案化的裸片位置的邻近目标部分的网格。在光刻工艺中，通常期望经常测量所产生的特征(即，结构)及其在晶片上的位置，例如用于工艺控制及验证。已知用于进行此类测量的各种工具，包含扫描电子显微镜(其通常用于测量临界尺寸(cd))及用于测量叠对的工具(测量半导体装置中的两个层对准的精度)。叠对可根据两个层之间的错位程度来描述，例如，参考1nm的测量叠对可描述两个层横向错位达1nm的情境。测量叠对的常规光学方法通常包含使用光学显微镜及测量光谱及/或衍射图案。测量叠对的额外常规光学方法通常包含用来自光学显微镜的经捕获图像测量叠对。常规叠对标记一般并入图案中断(不包含图案的区域)以产生光学对比度。但是，图案中断通常在处理期间被破坏，这对叠对测量产生不利影响。
技术实现思路
1、本公开的一或多项实施例包含一种确定晶片的关注层级与所述晶片的
2、本公开的一些实施例包含叠对标记，其用于确定晶片的所述参考层级与所述关注层级之间的位置偏移。所述叠对标记可包含定义列阵列的图案，每一列包括一组平行条形标记，其中每一条形标记通过间隔标记与邻近条形标记间隔开。此外，所述列阵列的每一列内的所述图案可包含彼此平行定向且在相应列的每一条形标记内在第一方向上延伸且在所述相应列的每一间隔标记内在第二不同方向上延伸的一组线。所述组线的每一线可为连续的且可从所述相应列的最上区域延伸到所述相应列的最下区域。此外，所述第一方向可垂直于所述第二方向。
3、本公开的一或多项实施例包含叠对度量测量系统。所述叠对度量测量系统可包含：衬底支撑件，其用于支撑晶片；照明源，其用于在第一方向上在所述晶片处发射光；成像仪传感器，其经配置以至少辨识晶片上的可见元件的位置；控制器，其可操作地耦合到所述衬底支撑件、所述成像仪传感器及所述照明源。所述控制器可包含至少一个处理器及至少一个在其上存储指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由所述至少一个处理器执行时引起所述控制器：引起所述支撑衬底以使所述晶片相对于默认位置旋转以：将所述晶片的参考层级上的叠对标记的图案的第一区域的线与所述第一方向对准；且使邻近所述叠对标记的所述图案的所述第一区域的第二区域的线在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；使所述照明源在所述第一方向上在所述晶片处发射光；使所述成像仪传感器捕获所述晶片的至少一个图像；且至少部分基于所述捕获至少一个图像，基于所述叠对标记的所述第一区域及所述第二区域的经检测对比度区分所述叠对标记的所述图案的所述第一区域与所述第二区域。
4、本公开的进一步实施例包含在晶片上形成叠对标记的图案的方法。所述方法可包含形成叠对标记的列的条形标记及形成所述叠对标记的列的间隔标记。形成所述列的所述条形标记可包含形成从相应列的第一横向端延伸到所述相应列的第二相对横向端的平行线。形成所述列的所述间隔标记可包含在邻近条形标记之间形成从所述相应列的所述第一横向端延伸到所述相应列的所述第二相对横向端的平行分段线。
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1.一种晶片的叠对标记，其包括：
2.根据权利要求1所述的晶片的叠对标记，其进一步包括在邻近平行线与平行分段线之间的间隔，所述间隔与邻近平行线之间的间隔宽度相同。
3.根据权利要求1所述的晶片的叠对标记，其中每一分段线具有大于所述分段线的邻近区段之间的距离的纵向长度。
4.根据权利要求1所述的晶片的叠对标记，其进一步包括每列至少六个条形标记及至少五个间隔标记。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的晶片的叠对标记，其中形成条形标记及形成间隔标记包括将填充材料沉积在所述晶片的表面上。
6.一种在晶片上形成叠对标记的图案的方法，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在邻近平行线与平行分段线之间形成间隔，所述间隔与邻近平行线之间的间隔宽度相同。
8.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述平行分段线包括形成每一分段线的区段以具有大于所述分段线的邻近区段之间的距离的纵向长度。
9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括每列至少六个条形标记及至少五个间隔标记。
11.一种晶片的叠对标记，其包括：
12.根据权利要求11所述的晶片的叠对标记，其中：
13.根据权利要求11所述的晶片的叠对标记，其中所述条形标记中的相应者的所述宽度大致等于所述间隔标记中的相应者的所述额外宽度。
14.根据权利要求11所述的晶片的叠对标记，其中所述条形标记中的相应者的所述宽度大于所述间隔标记中的相应者的所述额外宽度。
15.根据权利要求11所述的晶片的叠对标记，其中所述图案包括填充材料、凹槽或镀层中的一或多者。
16.根据权利要求11所述的晶片的叠对标记，其中所述线的所述区域的数量不同于所述线的所述额外区域的数量。
17.根据权利要求16所述的晶片的叠对标记，其中所述线的所述区域的所述数量大于所述线的所述额外区域的所述数量。
18.根据权利要求11所述的晶片的叠对标记，其中所述列进一步包括额外线，所述额外线彼此平行且平行于所述线定向，所述额外线以额外的非线性路径单独地仅部分地在所述第一方向上延伸穿过所述列。
19.根据权利要求18所述的晶片的叠对标记，其中所述额外线在所述第三方向上分别定位在所述列的一端。
20.根据权利要求11所述的晶片的叠对标记，其中所述额外线分别包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶片的叠对标记，其包括：
2.根据权利要求1所述的晶片的叠对标记，其进一步包括在邻近平行线与平行分段线之间的间隔，所述间隔与邻近平行线之间的间隔宽度相同。
3.根据权利要求1所述的晶片的叠对标记，其中每一分段线具有大于所述分段线的邻近区段之间的距离的纵向长度。
4.根据权利要求1所述的晶片的叠对标记，其进一步包括每列至少六个条形标记及至少五个间隔标记。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的晶片的叠对标记，其中形成条形标记及形成间隔标记包括将填充材料沉积在所述晶片的表面上。
6.一种在晶片上形成叠对标记的图案的方法，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在邻近平行线与平行分段线之间形成间隔，所述间隔与邻近平行线之间的间隔宽度相同。
8.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述平行分段线包括形成每一分段线的区段以具有大于所述分段线的邻近区段之间的距离的纵向长度。
9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括每列至少六个条形标记及至少五个间隔标记。
10.根据权利要求6到9中任一权利要求所述的方法，其中形成条形标记及形成间隔标记包括将填充材料沉积在所述晶片的表面上。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·弗罗斯特，R·T·豪斯利，D·S·普拉特，T·D·伽韦，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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