【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计，尤其涉及一种电压降违例修复方法。
技术介绍
1、ir，ir drop，i指的是电流，r指的是电阻，ir drop就是电压降，是指电路中出现在电源和地网络中上电压下降或者升高的一种现象。先进工艺中，金属线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，当一条金属线上的逻辑门单元同时翻转的时候，就会导致很大的电压降波动。电压降也取决于从电源pad到所计算的逻辑门单元之间的等效电阻的大小，所述pad即焊点，芯片封装的时候进行金属连线。ir drop分为static ir drop和dynamic irdrop，即静态电压降和动态电压降。
2、公开号为cn113609626a，名称为一种电压降违例修复方法及相关装置，提供了一种方法去修复电压降问题，通过首先对获取到的待修复网络进行尺寸缩减处理，得到已缩减尺寸网络，最后对所述已缩减尺寸网络进行去耦合单元插入处理，得到已修复网络，避免由于信号线signal net过多，导致的拥塞现象比较严重的问题。采用primetime对所述去耦处理网络进行时序修复处理，得到timing eco脚本，在通过脚本去处理ir问题。所述primetime为sysnopsys公司用来进行时序分析的工具。但是，该技术方案依赖的场景单一，不能应对多种复杂违例，不能从更多方面去有效降低电压降，不能应对出现的多种复杂，难以处理的电压降问题。
3、因此，如何解决电压降成为了亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种电压降违
2、为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案在于如下方面：
3、一种电压降违例修复方法，包括如下步骤，
4、步骤s1：当局部区域单元密度大于预设密度阈值时，根据单元之间的逻辑关系和时序走向调整单元位置，降低局部区域单元密度；
5、步骤s2：将宏单元的输出管脚朝向芯片核心区域内部，宏单元放置在核心区域的边界外，留出完整的核心区域放置标准单元，宏单元周围加上隔离区域；
6、步骤s3：向全部单元所占区域添加棋盘格形状的电源网络，以使每个单元接入电源；
7、步骤s4：当拥有逻辑关系的第一标准单元与第二标准单元摆放的距离大于预设距离时，根据标准单元之间的逻辑关系和时序走向调整标准单元位置，将靠近整体区域边界的第一标准单元靠近第二标准单元摆放；
8、步骤s5：根据预设的泄露功耗阈值增加去耦单元的数量，根据预设的间隔阈值间隔放置去耦单元。
9、进一步的技术方案在于：在所述步骤s1中，当局部区域单元密度大于预设密度阈值且小于两倍预设密度阈值时，人工调整单元位置，预设密度阈值为1；当局部区域单元密度大于等于两倍预设密度阈值时，通过脚本控制工具调整单元位置。
10、进一步的技术方案在于：在所述步骤s1中，所述人工调整单元位置的步骤包括人工选中并调整单元位置，将单元之间连接的飞线作为单元之间的逻辑关系，将飞线的走向作为单元之间的时序走向，确认摆放位置。
11、进一步的技术方案在于：在所述步骤s1中，通过脚本控制工具调整单元位置的步骤包括：
12、根据分层结构确定单元的类型，通过icc2命令create_rp_group创建获得单元的分组，使得分组摆放处理后的局部区域单元密度小于预设密度；
13、基于单元之间的逻辑关系通过icc2命令add_to_rp_group添加每一类型的单元到相应的分组；
14、基于单元之间的逻辑关系通过icc2命令create_bound创建约束边界；
15、通过icc2命令place_opt自动摆放单元；
16、通过icc2命令check_legality核对单元摆放是否存在重叠的现象；
17、所述icc2为数字电路布局布线的工具。
18、进一步的技术方案在于：在所述步骤s2中，根据预设的宏单元之间距离阈值摆放每一宏单元，使得宏单元之间的距离大于预设的宏单元之间距离阈值。
19、进一步的技术方案在于：在所述步骤s3中，通过icc2命令create_pg_std_cell_conn_parttern，set_pg_strategy，compile_pg添加棋盘格形状的电源网络，所述icc2为数字电路布局布线的工具。
20、进一步的技术方案在于：在所述步骤s4中，预设距离的取值范围为大于等于两个标准单元的高度值且小于等于三个标准单元的高度值，将第一标准单元与第二标准单元之间连接的飞线作为标准单元之间的逻辑关系，将第一标准单元与第二标准单元之间飞线的走向作为标准单元之间的时序走向，调整标准单元位置的步骤为人工选中标准单元并移动，第一标准单元的摆放位置位于标准单元之间飞线附近的区域内。
21、进一步的技术方案在于：在所述步骤s5中，当泄露功耗大于预设的泄露功耗阈值时，增加的去耦单元的数量不超过原有去耦单元的数量的一半。
22、采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
23、一种电压降违例修复方法，包括如下步骤：根据单元之间的逻辑关系和时序走向调整单元位置，降低局部区域单元密度；宏单元的输出管脚朝向芯片核心区域内部，宏单元放置在核心区域的边界外并且加上隔离区域；向全部单元所占区域添加棋盘格形状的电源网络，以使每个单元接入电源；根据标准单元之间的逻辑关系和时序走向，将靠近整体区域边界的第一标准单元靠近第二标准单元摆放；根据预设的泄露功耗阈值增加去耦单元的数量，根据预设的间隔阈值间隔放置去耦单元。其通过上述步骤的结合使用及共同作用下，减弱或者消除电压降。
24、步骤s1用于解决由于局部区域单元密度太高，导致很多单元同时发生反转，引起电压降的技术问题；步骤s2用于解决由于全局布局规划floorplan不合理，导致电压降的技术问题；步骤s3用于解决由于全局电源规划powerplan不合理，导致供电不均匀，引起电压降的技术问题；步骤s4用于解决由于电源网络的金属线分压，引起静态电压降的技术问题；步骤s5用于解决由于电源在逻辑电路开关切换时电流波动引起的动态电压降的技术问题。
25、基于步骤s1和步骤s3的结合，当拥有逻辑关系的单元摆放的比较远时，将较远的单元根据时序和逻辑尽量靠近摆放，进而形成步骤s4，在共同作用下，解决了静态电压降的技术问题，减弱或者消除了静态电压降。
26、基于步骤s1，增加去耦单元的数量，进而形成步骤s5，在共同作用下，解决了动态电压降的技术问题，减弱或者消除了动态电压降。
27、详见具体实施方式部分描述。
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1.一种电压降违例修复方法，其特征在于：包括如下步骤，
2.根据权利要求1所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤S1中，当局部区域单元密度大于预设密度阈值且小于两倍预设密度阈值时，人工调整单元位置，预设密度阈值为1；当局部区域单元密度大于等于两倍预设密度阈值时，通过脚本控制工具调整单元位置。
3.根据权利要求2所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤S1中，所述人工调整单元位置的步骤包括人工选中并调整单元位置，将单元之间连接的飞线作为单元之间的逻辑关系，将飞线的走向作为单元之间的时序走向，确认摆放位置。
4.根据权利要求2所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤S1中，通过脚本控制工具调整单元位置的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤S2中，根据预设的宏单元之间距离阈值摆放每一宏单元，使得宏单元之间的距离大于预设的宏单元之间距离阈值。
6.根据权利要求1所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤S3中，通过ICC2命令create_pg_std_c
7.根据权利要求1所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤S4中，预设距离的取值范围为大于等于两个标准单元的高度值且小于等于三个标准单元的高度值，将第一标准单元与第二标准单元之间连接的飞线作为标准单元之间的逻辑关系，将第一标准单元与第二标准单元之间飞线的走向作为标准单元之间的时序走向，调整标准单元位置的步骤为人工选中标准单元并移动，第一标准单元的摆放位置位于标准单元之间飞线附近的区域内。
8.根据权利要求1所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤S5中，当泄露功耗大于预设的泄露功耗阈值时，增加的去耦单元的数量不超过原有去耦单元的数量的一半。
...【技术特征摘要】
1.一种电压降违例修复方法，其特征在于：包括如下步骤，
2.根据权利要求1所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤s1中，当局部区域单元密度大于预设密度阈值且小于两倍预设密度阈值时，人工调整单元位置，预设密度阈值为1；当局部区域单元密度大于等于两倍预设密度阈值时，通过脚本控制工具调整单元位置。
3.根据权利要求2所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤s1中，所述人工调整单元位置的步骤包括人工选中并调整单元位置，将单元之间连接的飞线作为单元之间的逻辑关系，将飞线的走向作为单元之间的时序走向，确认摆放位置。
4.根据权利要求2所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤s1中，通过脚本控制工具调整单元位置的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的电压降违例修复方法，其特征在于：在所述步骤s2中，根据预设的宏单元之间距离阈值摆放每一宏单元，使得宏单元之间的距离大于预设的宏单元之间距离阈值。
...【专利技术属性】
技术研发人员：裴留源，
申请(专利权)人：中科芯磁科技珠海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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