【技术实现步骤摘要】
本公开是关于记忆体装置，且特别是关于一次性可程序化记忆体装置。
技术介绍
1、例如计算机、可携式装置、智能手机、物联网(internet of thing，iot)装置等的电子装置的发展引起对记忆体装置增加的需求。通常而言，记忆体装置可以是挥发性记忆体装置和非挥发性记忆体装置。挥发性记忆体装置可以在供应能源时储存数据，不过一旦关闭能源可能会失去储存的数据。不同于挥发性记忆体装置的非挥发性记忆体装置即使在关闭能源之后仍可以保留数据，但速度上可能比挥发性记忆体装置更慢。
技术实现思路
1、根据本公开的一些实施例，一种记忆体装置包括第一记忆体单元，其中第一记忆体单元包括第一选择晶体管、第一二极管和第一导体熔丝，第一二极管和第一导体熔丝串联，且第一选择晶体管耦合至第一二极管和第一导体熔丝之间的第一共同节点。
2、根据本公开的一些实施例，一种记忆体装置包括记忆体阵列，其中记忆体阵列包括多个一次性可程序化记忆体单元。一次性可程序化记忆体单元中的各者包括选择晶体管、二极管和导体熔丝，其中二极管和导体熔丝串联，且选择晶体管耦合至二极管和导体熔丝之间的共同节点。
3、根据本公开的一些实施例，一种记忆体装置包括第一一次性可程序化记忆体单元和第二一次性可程序化记忆体单元。第一一次性可程序化记忆体单元包括第一选择晶体管、第一二极管和第一导体熔丝，其中第一二极管和第一导体熔丝串联，且第一选择晶体管耦合至第一二极管和第一导体熔丝之间的第一共同节点。第一一次性可程序化记忆体单元配置成在第
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1.一种记忆体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，其中该第一记忆体单元配置成一次性可程序化记忆体单元，其中该第一导体熔丝配置成永久熔断。
3.如权利要求1所述的记忆体装置，其特征在于，进一步包括：
4.如权利要求3所述的记忆体装置，其特征在于，其中该第一选择晶体管具有耦合至该第一共同节点的一第二源极/漏极。
5.如权利要求3所述的记忆体装置，其特征在于，其中该第一导体熔丝具有耦合至该第一共同节点的一第二端点。
6.如权利要求3所述的记忆体装置，其特征在于，其中该第一二极管具有耦合至该第一共同节点的一第二端点。
7.如权利要求3所述的记忆体装置，其特征在于，其中当程序化该第一导体熔丝时，该第一选择晶体管是开启的，且该第一二极管受正向偏压。
8.如权利要求7所述的记忆体装置，其特征在于，其中该第一源极线配置成通过该第一源极线对该第一导体熔丝施加一程序化电压，而该第一位元线和该第一分流线耦合至一接地电压。
9.一种记忆体装置，其特征在于，包括：
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