【技术实现步骤摘要】
本技术实施例是有关于一种半导体装置，特别是有关于一种包括静电放电(esd)防护装置的半导体装置。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业已经历了指数性的成长。技术在ic材料及设计上的进步，已经产生了许多世代的ic，其中每一世代都具有比先前世代更小且更复杂的电路。在ic的发展过程中，功能密度(即：每单位晶片面积的互连装置的数量)通常会增加，而几何尺寸(即：使用制造制程所能创建的最小组件(或线段))则会减少。这种微缩的过程通常借由增加生产效率以及降低相关成本的方式来提供益处。这种微缩同样也增加了处理及制造ic的复杂性。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体装置，包括包含纳米结构装置的第一电路区域以及与第一电路区域偏移的第二电路区域。纳米结构装置具有设置在多个第一半导体层中的多个纳米结构的垂直堆叠，以及包裹环绕垂直堆叠的多个纳米结构的栅极结构。第二电路区域包括电性连接至纳米结构装置的双极性接面装置，以及电性连接于双极性接面装置的集极与基极之间的至少一个二极管。至少一个布植区域延伸穿过多个第一半导体层与多个第二半导体层，其中多个第二半导体层设置于对应的垂直相邻且成对的多个第一半导体层之间。后侧互连结构电性连接至纳米结构装置的源极/漏极区域。
2、在一些实施例中，半导体装置更包括：一第一焊垫，用于与上述纳米结构装置数据通讯；以及一静电放电(esd)电路，电性连接至上述第一焊垫，上述静电放电电路包括上述双极性接面装置与上述至少一个二极管。
3、在一些实施例中，
4、在一些实施例中，双极性接面装置包括：一第二布植区域，包括一第二类型的多个第二杂质；一第三布植区域，包括上述第二类型的多个第三杂质；以及一本质区域，介于上述第二布植区域与上述第三布植区域之间。
5、本公开实施例提供一种半导体装置，包括：输入焊垫；输出焊垫；第一电源焊垫；一电路，与输入焊垫及输出焊垫数据通讯并电性连接至第一电源焊垫，上述电路包括至少一个纳米结构装置，至少一个纳米结构装置具有多个半导体通道的垂直堆叠；静电放电(esd)防护电路，耦接于第一电源焊垫与输入焊垫或输出焊垫之间，静电放电防护电路包括：突返装置，具有至少两个第一布植区域，其中的每一者延伸穿过交替的多个第一半导体层与多个第二半导体层的一多层晶格，其中多个第一半导体层为第一类型，第一类型不同于多个第二半导体层的第二类型；以及至少一个二极管，具有至少两个第二布植区域，其中的每一者延伸穿过多层晶格；以及后侧互连结构，与至少一个纳米结构装置的第一纳米结构装置接触。
6、在一些实施例中，至少一个二极管包括一第一二极管与一第二二极管，并且上述半导体装置更包括介于上述第一二极管与上述第二二极管之间的一第二隔离区域。
7、在一些实施例中，电路包括毗邻于上述第一纳米结构装置的一隔离区域。
8、在一些实施例中，隔离区域的一上方表面所处的高度，与上述第二半导体层的一最低第二半导体层的一下方表面的高度实质上相同，并且上述第二隔离区域的一上方表面所处的高度，与上述第一半导体层的一最顶部第一半导体层的一上方表面共平面。
9、在一些实施例中，静电放电防护电路包括多个静电放电防护电路区域，上述静电放电防护电路区域中的每一者包括：一双极性接面装置，具有一集极布植区域与一射极布植区域；以及至少一个pin二极管，每一者具有一阴极布植区域与一阳极布植区域。
10、在一些实施例中，至少一个pin二极管包括一第一pin二极管与一第二pin二极管，上述第一pin二极管的上述阳极布植区域连接至上述输入焊垫或上述输出焊垫，上述第二pin二极管的上述阴极布植区域连接至上述双极性接面装置的一基极布植区域，并且上述第一pin二极管的上述阴极布植区域连接至上述第二pin二极管的上述阳极布植区域。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述双极性接面装置包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述双极性接面装置包括：
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述至少一个二极管包括一第一二极管与一第二二极管，并且上述半导体装置更包括介于上述第一二极管与上述第二二极管之间的一第二隔离区域。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，上述电路包括毗邻于上述第一纳米结构装置的一隔离区域。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述隔离区域的一上方表面所处的高度，与上述第二半导体层的一最低第二半导体层的一下方表面的高度实质上相同，并且上述第二隔离区域的一上方表面所处的高度，与上述第一半导体层的一最顶部第一半导体层的一上方表面共平面。
9.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述静电放电防护电路包括多个静电放电防
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述至少一个PIN二极管包括一第一PIN二极管与一第二PIN二极管，上述第一PIN二极管的上述阳极布植区域连接至上述输入焊垫或上述输出焊垫，上述第二PIN二极管的上述阴极布植区域连接至上述双极性接面装置的一基极布植区域，并且上述第一PIN二极管的上述阴极布植区域连接至上述第二PIN二极管的上述阳极布植区域。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述双极性接面装置包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述双极性接面装置包括：
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述至少一个二极管包括一第一二极管与一第二二极管，并且上述半导体装置更包括介于上述第一二极管与上述第二二极管之间的一第二隔离区域。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，上述电路包括毗邻于上述第一纳米结构装置的一隔离区域。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，上述隔离区域的一上方...
【专利技术属性】
技术研发人员：余昕芫，李明轩，林文杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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