【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子元器件，具体涉及一种ccga锡柱制备工艺。
技术介绍
1、随着封装i/o端口总数及密度的增大，cbga和ccga的封装形式在航空航天等科技领域得到越来越多的应用。由于陶瓷基板与pcb板cte的差异，导致热循环可靠性问题成为制约高密度cbga封装发展的瓶颈，而ccga结构由于增大了陶瓷基板和pcb板的间距，可以有效地缓解热失配效应，从而表现出更高的热可靠性。
2、随着航空航天等高精尖技术的发展，军用微电子组件的高端产品则是用ccga/lga封装。ccga是cbga尺寸大于在32*32mm时的另一种形式，不同之处在于采用焊料柱代替焊料球，焊料柱采用共晶焊料连接或直接浇注式固定在陶瓷底部。传统的陶瓷四方扁平封装（cqfp）或陶瓷引脚网格阵列封装（cpga）不再适用于当今的高i/o技术fpga器件，更高引脚数目的陶瓷柱栅阵列封装（ccga）在可靠水平内能够实现高性能要求fpga器件的高密度封装，从而能够满足航天卫星的要求。ccga封装是采用钎料圆柱（高铅锡柱pb90sn10、pb80sn20等，简称ccga锡柱）阵列来替代cbga的钎料球（高铅锡球pb90sn10）阵列，其主要优点有：优异的抗疲劳性和散热性，同时具备耐高温、耐高压和良好的抗潮湿性能等。
3、
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种ccga锡柱制备工艺，至少用于解决现有ccga锡柱端面总会存在倾斜的问题，并提高生产的ccga锡柱合格率。
2、为了实现上述目的，本专
3、一种ccga锡柱制备工艺，其特征在于，步骤包括：
4、步骤1，将制备的成品锡丝绷直；
5、步骤2，将绷直后的锡丝放置并固定在容纳槽中；
6、步骤3，往容纳槽中浇入熔化后的石蜡，待石蜡淹没锡丝后停止浇入；
7、步骤4，将冷却固化后的石蜡体取出，石蜡体是石蜡与其内置锡丝的总称；
8、步骤5，采用刀片将石蜡体切割成短节；
9、步骤6，将所得短节加热，待短节熔化后取出锡柱。
10、作为优选方案，步骤3中，熔化后的石蜡温度不高于150℃。
11、作为优选方案，步骤6中，短节加热后的温度不高于100℃。
12、作为优选方案，步骤5中，将石蜡体切割成短节在温度为0-20℃的氛围中进行。
13、为进一步提高生产的ccga锡柱合格率，步骤1和步骤2中，绷直后的锡丝直线度不低于0.01mm。
14、作为优选方案，步骤5中，切割石蜡体的刀片与绷直后的锡丝轴线垂直。
15、为更进一步提高生产的ccga锡柱合格率，同时方便操作，容纳槽至少应具备一平整面，该平整面的粗糙度为it6~it9级。
16、作为优选方案，容纳槽采用梯形槽、弧槽、矩形槽或u形槽。
17、作为优选方案，容纳槽采用不锈钢槽，容纳槽内壁具有自润滑涂层。
18、作为优选方案，绷直后的锡丝内置于石蜡体中部。
19、有益效果：采用本专利技术锡柱制备工艺，不仅能够提高ccga锡柱的精度和合格率，所制得的ccga锡柱端面与其轴线几乎垂直，而且能够大幅降低ccga锡柱的生产成本；本专利技术以极简的工序开创了制备高精密锡柱的新方法，适用于规模化工业生产。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种CCGA锡柱制备工艺，其特征在于，步骤包括：
2.根据权利要求1所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤3中，熔化后的石蜡温度不高于150℃。
3.根据权利要求2所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤6中，短节加热后的温度不高于100℃。
4.根据权利要求1所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤5中，将石蜡体切割成短节在温度为0-20℃的氛围中进行。
5.根据权利要求1所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤1和步骤2中，绷直后的锡丝直线度不低于0.01mm。
6.根据权利要求5所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤5中，切割石蜡体的刀片与绷直后的锡丝轴线垂直。
7.根据权利要求1-6任一项所述的锡柱制备工艺，其特征在于：容纳槽至少应具备一平整面，该平整面的粗糙度为IT6~IT9级。
8.根据权利要求7所述的锡柱制备工艺，其特征在于：容纳槽采用梯形槽、弧槽、矩形槽或U形槽。
9.根据权利要求8所述的锡柱制备工艺，其特征在于：容纳槽采用不锈钢槽，容纳槽内壁具有自润滑涂层。
10.根
...【技术特征摘要】
1.一种ccga锡柱制备工艺，其特征在于，步骤包括：
2.根据权利要求1所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤3中，熔化后的石蜡温度不高于150℃。
3.根据权利要求2所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤6中，短节加热后的温度不高于100℃。
4.根据权利要求1所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤5中，将石蜡体切割成短节在温度为0-20℃的氛围中进行。
5.根据权利要求1所述的锡柱制备工艺，其特征在于：步骤1和步骤2中，绷直后的锡丝直线度不低于0.01mm。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永，贺琼瑶，赵方超，李茜，胡涛，吴遥，金一鸣，王玲，梅华生，王辉，
申请(专利权)人：中国兵器装备集团西南技术工程研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。