【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及用于半导体制造的部件和装置。更具体地，本技术涉及气体输送系统和其他半导体处理装备。
技术介绍
1、通过在基板表面上产生复杂(intricately)图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化的材料需要用于形成和去除材料的受控方法。前驱物通常被输送到处理区域并经分布以在基板上均匀地沉积或蚀刻材料。处理腔室的许多方面可能影响处理均匀性，诸如腔室内的处理条件的均匀性、通过部件的流的均匀性以及其他工艺和部件参数。即使基板上的微小差异也可能影响形成或去除工艺。
2、因此，需要可以用于生产高质量设备和结构的改善的系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。
技术实现思路
1、用于半导体处理系统的示例性流体输送组件可包括液体输送源。所述组件可包括加热器，所述加热器与所述液体输送源的出口流体耦接。所述组件可包括液体流量控制器，所述液体流量控制器与所述加热器下游的所述液体输送源流体耦接。所述组件可包括液体蒸发器，所述液体蒸发器与所述液体流量控制器的下游端流体耦接。所述组件可包括腔室输送管线，所述腔室输送管线与所述液体蒸发器的输出耦接。
2、在一些实施例中，所述加热器可将所述液体输送源供应的液体预热到在所述液体流量控制器的主体的温度的约5℃内的温度。所述组件可包括一个或多个处理腔室，所述一个或多个处理腔室与所述腔室输送管线的出口端耦接。加热器可包括区块加热器。所述组件可包括至少一个加热器护套，所述至少一个加热器护套围绕在所述加热器与所述液体流量控制器之间
3、本技术的一些实施例可包括向半导体处理腔室供应流体的方法。所述方法可包括：使液体从液体源流向液体流量控制器。所述方法可包括：在所述流体到达所述液体流量控制器的入口之前，将所述液体预热到所述液体流量控制器的主体的温度的约5℃内的温度。所述方法可包括：将所述液体输送到所述液体流量控制器下游的液体蒸发器。所述方法可包括：将液体蒸发成气体。所述方法可包括：将气体输送至一个或多个处理腔室。
4、在一些实施例中，预热所述液体可包括：使所述液体通过区块加热器。使所述液体从所述液体输送源流向所述液体流量控制器可包括：使所述液体通过流体管线，所述流体管线经由一个或多个加热器护套绝缘。所述方法可包括：使用温度传感器感测液体流量控制器的主体的温度。预热液体可包括：基于感测到的液体流量控制器主体的温度来控制加热器的温度。预热所述液体可包括：将所述液体预热到足够高的温度，使得当所述液体到达所述液体流量控制器的入口时，所述液体的温度在所述液体流量控制器的主体的温度的约5℃内。所述方法可包括：将所述气体的流分成多个流体管线。一个或多个腔室可包括多个腔室。所述多个流体管线中的每一者可与所述多个腔室中的相应腔室流体耦接。输送到所述一个或多个处理腔室的所述气体可用于处理操作中而无需温度平衡初始(priming)工艺。
5、本技术的一些实施例可包括向半导体处理腔室供应流体的方法，所述方法可包括：使液体从液体源流向液体流量控制器。所述方法可包括：将液体预热到在液体流量控制器的主体的温度的约5℃内的温度。所述方法可包括：将预热的所述液体输送至所述液体流量控制器。所述方法可包括：使用所述液体流量控制器下游的液体蒸发器将所述液体蒸发成气体。所述方法可包括：将气体输送至一个或多个处理腔室。
6、在一些实施例中，预热所述液体可包括：将所述液体预热到足够高的温度，使得当所述液体到达所述液体流量控制器的入口时，所述液体的温度在所述液体流量控制器的主体的温度的约5℃内。使所述液体从所述液体输送源流向所述液体流量控制器可包括：使所述液体通过流体管线，所述流体管线经由一个或多个加热器护套绝缘。所述方法可包括：使用温度传感器感测液体流量控制器的主体的温度。预热液体可包括：基于感测到的液体流量控制器的主体的温度来控制加热器的温度。所述方法可包括：将所述气体的流分成多个流体管线。一个或多个腔室可包括多个腔室。所述多个流体管线中的每一者可与所述多个腔室中的相应腔室流体耦接。
7、相较于常规系统和技术，这种技术可提供许多好处。例如，本技术的实施例可改善晶片至晶片的沉积速率均匀性和膜均匀性。此外，在使用单一流体系统将流体输送至多个处理腔室的实施例中，可改善跨不同腔室的沉积速率均匀性和膜均匀性。具体而言，沉积速率可通过在输送到液体流量控制设备之前预热液体来改善，这可帮助消除导致流速准确度问题和随后的沉积速率问题的温差。此外，部件可允许修改以适应任何数量的腔室或工艺。结合以下描述和所附附图更详细地描述这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
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1.一种用于半导体处理系统的流体输送组件，包括：
2.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
3.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，进一步包括：
4.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
5.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，进一步包括：
6.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
7.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
8.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
9.一种向半导体处理腔室供应流体的方法，包括：
10.如权利要求9所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，其中：
11.如权利要求9所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，其中：
12.如权利要求9所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，进一步包括：
13.如权利要求9所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，其中：
14.如权利要求9
15.如权利要求9所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，其中：
16.一种向半导体处理腔室供应流体的方法，包括：
17.如权利要求16所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，其中：
18.如权利要求16所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，其中：
19.如权利要求16所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，进一步包括：
20.如权利要求16所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于半导体处理系统的流体输送组件，包括：
2.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
3.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，进一步包括：
4.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
5.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，进一步包括：
6.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
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8.如权利要求1所述的用于半导体处理系统的流体输送组件，其中：
9.一种向半导体处理腔室供应流体的方法，包括：
10.如权利要求9所述的向半导体处理腔室供应流体的方法，其中：
11.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·R·B·拉杰，C·冷，S·A·阿拉姆，李天洋，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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