【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种工艺任务的执行方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、在半导体制造领域，如果在工艺（job）任务开始前，执行其他服务，则job任务启动后，由于腔室内状态不稳定，job任务的前几片产品晶圆（wafer）通常会出现沟槽线宽（critical dimension，cd）偏移（shift）的现象，影响产品wafer的工艺质量。
2、为避免job任务前执行其他服务影响产品wafer工艺质量的问题，相关技术中，在job任务开始前，当腔室空闲时间（idle time）达到设定值时，对设定数量的测试（dummy）wafer执行dummy任务，并在dummy任务完成后对产品wafer执行job任务。但上述方案中，若idle time的设定值设置的过长，则在idle time未达到设定值时执行其他服务，会导致job任务开始前不执行dummy任务，使得产品wafer仍会出现cd shift现象；若idle time的设定值设置的过短（例如0），则在每个job任务开始前均要对设定数量的dummy wafer执行dummy任务，频繁执行设定时长的dummy任务严重影响半导体工艺设备的产能，例如每小时芯片产出量（wafer per hour，wph）。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种工艺任务的执行方法及半导体工艺设备，以解决相关技术中idle time的设定值设置过长，导致的job任务开始前不执行dummy任务，使得产品wafer仍会出现cd shift
2、为实现上述目的，本申请实施例采用下述技术方案：
3、第一方面，本申请实施例提供一种工艺任务的执行方法，包括：在工艺任务启动后，获取目标服务执行完成后的目标腔室空闲时间，所述目标服务为所述工艺任务启动前最后执行的服务；根据所述目标服务和所述目标腔室空闲时间，获取对应的测试晶圆的推荐数量；若所述推荐数量大于0，则对所述推荐数量的所述测试晶圆执行测试任务；在所述测试任务执行完成后，对产品晶圆执行所述工艺任务。
4、第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺设备，包括：控制器，所述控制器设置于所述半导体工艺设备的上位机和/或下位机中，所述控制器用于实现如本申请第一方面实施例所述的工艺任务的执行方法的步骤。
5、本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
6、本申请实施例在工艺任务启动后，获取目标服务执行完成后的目标腔室空闲时间，目标服务为工艺任务启动前最后执行的服务，根据目标服务和目标腔室空闲时间，获取对应的测试晶圆的推荐数量，若推荐数量大于0，则对推荐数量的测试晶圆执行测试任务，在测试任务执行完成后，对产品晶圆执行工艺任务。本申请实施例在每次工艺任务启动后，且对产品晶圆执行工艺任务前，根据目标服务和目标腔室空闲时间，确定是否执行测试任务（推荐数量为0时不执行测试任务），以及需执行测试任务的测试晶圆的推荐数量，并对推荐数量的测试晶圆执行测试任务，无需等待目标腔室空闲时间达到设定值，实现了有需要时执行测试任务，没需要时不执行测试任务，避免了工艺任务开始前不执行dummy任务使得产品wafer出现cd shift现象的问题，以及避免了每个工艺任务开始前均要频繁执行dummy任务严重影响半导体工艺设备的产能的问题，且实现了在需要执行测试任务时，根据需要对不同数量的dummy wafer执行dummy任务，即执行不同时长的dummy任务，在保证产品wafer不会出现cd shift现象的前提下，进一步提高了半导体工艺设备的产能例如wph。
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1.一种工艺任务的执行方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标服务和所述目标腔室空闲时间，获取对应的测试晶圆的推荐数量之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标服务和所述目标腔室空闲时间，获取对应的测试晶圆的推荐数量之前，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标服务和所述目标腔室空闲时间，获取对应的动态影响因子和对应的所述推荐数量，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标动态影响因子和所述对应的动态影响因子，对所述对应的动态影响因子和对应的所述推荐数量进行修正，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述对应的动态影响因子和对应的所述推荐数量进行修正，包括：
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，与所述服务关联的所述动态影响因子映射关系通过以下步骤得到：
9.根据权利要求8所述的方法，其
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述计算所述不同腔室空闲时间下工艺过程参数的影响率，包括：
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述计算所述不同腔室空闲时间下工艺结果参数的影响率，包括：
12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：控制器，所述控制器设置于所述半导体工艺设备的上位机和/或下位机中，所述控制器用于实现如权利要求1-11任一项所述方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种工艺任务的执行方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标服务和所述目标腔室空闲时间，获取对应的测试晶圆的推荐数量之前，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标服务和所述目标腔室空闲时间，获取对应的测试晶圆的推荐数量之前，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标服务和所述目标腔室空闲时间，获取对应的动态影响因子和对应的所述推荐数量，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标动态影响因子和所述对应的动态影响因子，对所述对应的动态影响因子和对应的所述推荐数量进行修正，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述对应的动态影响因子和对...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯丹丹，孔令帅，张迪，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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