【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆图形的测量方法及系统、设备及存储介质。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展、器件关键尺寸的减小，版图(layout)上的图形数量和密度也在大幅度增加，当掩膜版(mask)上的图形转移至光刻胶以及晶圆(wafer)上之后，对全局芯片(full chip)的缺陷(defect)抓取成为了检验图像曝光质量以及刻蚀质量的可靠检验手段。
2、对于更加先进的节点来说，采用量测机台对光刻胶和晶圆上的图形直接进行关键尺寸的量测，还基于电子束图像和轮廓提取进行图形放置分析，并与版图进行精准叠图，准确抓取缺陷的环境结构以及形貌尺寸。
3、但是，目前在对晶圆上的图形进行测量时，存在测量误差较大的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种晶圆图形的测量方法及系统、设备及存储介质，提升测量结果的准确度，大幅降低数据处理的难度、提升工作效率。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种晶圆图形的测量方法，包括：获得修正后版图的光学邻近效应修正验证处理的验证结果，所述验证结果包括弱点的坐标；基于所述弱点的坐标和量测视野，获得量测点和相邻量测视野之间的临界重叠距离；对所述量测点进行清除处理，用于将量测点周围处于所述临界重叠距离内其他量测点去除，剩余的量测点用于作为处理后量测点；基于所述处理后量测点，对晶圆上形成的图形进行测量，获得测量结果。
3、相应的，本专利技术实施例还提供一种晶圆图形的测量
4、相应的，本专利技术实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本专利技术实施例提供的晶圆图形的测量方法。
5、相应的，本专利技术实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本专利技术实施例提供的晶圆图形的测量方法。
6、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
7、本专利技术实施例提供的晶圆图形的测量方法中，基于所述弱点的坐标和量测视野，获得量测点和相邻量测视野之间的临界重叠距离；对所述量测点进行清除处理，用于将量测点周围处于所述临界重叠距离内的其他量测点去除，剩余的量测点用于作为处理后量测点，以保证相邻量测点之间具有足够的距离，相应的，在基于所述处理后量测点，对晶圆上形成的图形进行测量的步骤中，不仅能够减小量测点的数量，而且还有利于防止相邻量测点的量测视野之间发生重叠的问题，进而保证量测视野范围内的所有图形仅被扫描电子束轰击一次，防止重叠区域的图形被扫描电子束重复轰击出现变形和受损而导致测量结果不准确的问题，相应提升了测量结果的准确度，并且后续无需对重复测量点的测量结果进行选择处理，还有利于大幅降低数据处理的难度、提升工作效率。
8、可选方案中，所述晶圆图形的测量方法还包括：在基于所述弱点的坐标和量测视野，获得量测点和相邻量测视野之间的临界重叠距离之后，且在对所述量测点进行清除处理之前，对所述量测点进行筛选处理，用于挑选出周围临界重叠距离内具有量测点的所有量测点，作为待处理量测点，从而后续能够针对性地仅对所述待处理量测点进行处理，有利于简化待处理量测点的数量，相应简化后续的测量步骤并简化数据处理量，进一步提升工作效率。
9、可选方案中，对所述量测点进行清除处理的步骤包括：对所述修正后版图进行分块处理，用于将所述修正后版图分割成多个阵列排布的分块单元；对所述分块单元内以及相邻分块单元边界处的量测点进行清除处理，用于将量测点周围处于所述临界重叠距离内的其他量测点去除；通过将修正后版图分割成多个阵列排布的分块单元，从而在对量测点进行清除处理的步骤中，能够减小对每个分块单元内以及相邻分块单元处进行清除处理的量测点数量，而且还有利于对多个分块单元内的量测点同时并行进行清除处理、或对多个相邻分块单元边界处的量测点同时并行进行清除处理，进而提升了清除处理的效率、减小处理时间。
10、可选方案中，对所述分块单元内以及相邻分块单元边界处的量测点进行清除处理的步骤包括：基于量测点对应的工艺窗口大小，对所述分块单元内的量测点进行优先级排序，获得第一优先级顺序；基于所述第一优先级顺序，在每个分块单元内，对所述量测点进行第一清除处理，用于将量测点周围处于临界重叠距离内且优先级较低的其他量测点去除；基于量测点对应的工艺窗口大小，对相邻分块单元边界处的测量点进行优先级排序，获得第二优先级顺序；基于第二优先级顺序，在相邻分块单元的边界处，对所述量测点进行第二清除处理，用于将所述边界处的量测点周围处于临界重叠距离内且优先级较低的其他量测点去除；通过先基于量测点对应的工艺窗口大小对量测点进行排序，从而在进行第一清除处理和第二清除处理的过程中，去除的是优先级更低的其他量测点，有利于避免将对工艺窗口有较大影响的量测点去除，相应在后续基于所述处理后量测点，对晶圆上形成的图形进行测量的步骤中，能够优先对工艺窗口更小的量测点进行测量，有利于提高测量的有效性。
11、本专利技术实施例提供的晶圆图形的测量系统中，距离计算模块基于所述弱点的坐标和量测视野，获得量测点和相邻量测视野之间的临界重叠距离；清除模块对所述量测点进行清除处理，用于将量测点周围处于所述临界重叠距离内的其他量测点去除，剩余的量测点用于作为处理后量测点，以保证相邻量测点之间具有足够的距离，相应的，在测量模块基于所述处理后量测点，对晶圆上形成的图形进行测量时，不仅能够减小量测点的数量，而且还有利于防止相邻量测点的量测视野之间发生重叠的问题，进而保证量测视野范围内的所有图形仅被扫描电子束轰击一次，防止重叠区域的图形被扫描电子束重复轰击出现变形和受损而导致测量结果不准确的问题，相应提升了测量结果的准确度，并且后续无需对重复测量点的测量结果进行选择处理，还有利于大幅降低数据处理的难度、提升工作效率。
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1.一种晶圆图形的测量方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述晶圆图形的测量方法还包括：在基于所述弱点的坐标和量测视野，获得量测点和相邻量测视野之间的临界重叠距离之后，且在对所述量测点进行清除处理之前，对所述量测点进行筛选处理，用于挑选出周围临界重叠距离内具有量测点的所有量测点，作为待处理量测点；
3.如权利要求1所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，对所述量测点进行清除处理的步骤包括：对所述修正后版图进行分块处理，用于将所述修正后版图分割成多个阵列排布的分块单元；
4.如权利要求3所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，对所述分块单元内以及相邻分块单元边界处的量测点进行清除处理的步骤包括：基于量测点对应的工艺窗口大小，对所述分块单元内的量测点进行优先级排序，获得第一优先级顺序；
5.如权利要求4所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，基于第二优先级顺序，在相邻分块单元的边界处，对所述量测点进行第二清除处理的步骤包括：在相邻分块单元的边界处，设置具有预设宽度的预设区域；在所述预设区域内，基于第
6.如权利要求5所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述量测视野为方形区域；所述预设宽度为所述量测视野边长的2倍。
7.如权利要求3所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述量测视野为方形区域；在对所述修正后版图进行分块处理的步骤中，所述分块单元的边长为量测视野边长的5倍至10倍。
8.如权利要求4所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，基于量测点对应的工艺窗口大小，对所述分块单元内的量测点进行优先级排序的步骤中，工艺窗口越小的量测点，所对应的优先级越高；
9.如权利要求4所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述工艺窗口包括工艺变化带宽。
10.如权利要求1所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述晶圆图形的测量方法还包括：在获得修正后版图的光学邻近效应修正验证处理的验证结果之后，且在对所述量测点进行清除处理之前，基于所述弱点的坐标，对修正后版图进行裁剪处理，用于从修正后版图中去除不包含弱点的部分版图，获得局部版图；
11.如权利要求1所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述量测视野为方形区域；基于所述弱点的坐标和量测视野，获得量测点和相邻量测视野之间的临界重叠距离的步骤包括：以所述弱点的坐标作为所述量测点；以所述量测视野边长的倍，作为相邻量测视野之间的所述临界重叠距离。
12.如权利要求1所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，对所述晶圆上的图形进行测量包括：在进行曝光显影工艺之后，对晶圆上的光刻胶图形进行测量；或者，在将光刻胶图形转移至晶圆上的膜层中之后，对所述晶圆上的刻蚀后图形进行测量。
13.一种晶圆图形的测量系统，其特征在于，包括：
14.一种设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如权利要求1-12任一项所述的晶圆图形的测量方法。
15.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现如权利要求1-12任一项所述的晶圆图形的测量方法。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆图形的测量方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述晶圆图形的测量方法还包括：在基于所述弱点的坐标和量测视野，获得量测点和相邻量测视野之间的临界重叠距离之后，且在对所述量测点进行清除处理之前，对所述量测点进行筛选处理，用于挑选出周围临界重叠距离内具有量测点的所有量测点，作为待处理量测点；
3.如权利要求1所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，对所述量测点进行清除处理的步骤包括：对所述修正后版图进行分块处理，用于将所述修正后版图分割成多个阵列排布的分块单元；
4.如权利要求3所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，对所述分块单元内以及相邻分块单元边界处的量测点进行清除处理的步骤包括：基于量测点对应的工艺窗口大小，对所述分块单元内的量测点进行优先级排序，获得第一优先级顺序；
5.如权利要求4所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，基于第二优先级顺序，在相邻分块单元的边界处，对所述量测点进行第二清除处理的步骤包括：在相邻分块单元的边界处，设置具有预设宽度的预设区域；在所述预设区域内，基于第二优先级顺序，将量测点周围处于临界重叠距离内且优先级较低的其他量测点去除。
6.如权利要求5所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述量测视野为方形区域；所述预设宽度为所述量测视野边长的2倍。
7.如权利要求3所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，所述量测视野为方形区域；在对所述修正后版图进行分块处理的步骤中，所述分块单元的边长为量测视野边长的5倍至10倍。
8.如权利要求4所述的晶圆图形的测量方法，其特征在于，基于量测点对...
【专利技术属性】
技术研发人员：张戈，朱文，李丹然，王捷睿，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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