【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高熵材料，具体而言，涉及一种高熵硫化物及其制备方法和应用。
技术介绍
1、大面积、高质量的二维晶体材料的可控制备是实现其在光电、柔性器件等领域应用的重要基础；其中，二维高熵硫化物材料作为一类新兴的纳米材料体系，能结合二维纳米材料和高熵合金的优势，具有独特的金属组分和可调的能带结构，在光电探测领域表现出优异性能。目前，高熵硫化物一般可通过高温固相法和溶剂热法制备，但由于高熵硫化物中具有多种元素，且各元素具有不同的物理性质，在形核和长大的过程中易发生元素偏析。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是：采用现有的方法制备的高熵硫化物易发生元素偏析。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种高熵硫化物的制备方法，基于具有第一温区、第二温区和第三温区的高温管式炉，包括：
3、步骤s1、向所述高温管式炉中通入载气，将硫粉置于所述第一温区，将所述第一温区、所述第二温区、所述第三温区分别升温至第一温度、第二温度、第三温度；
4、步骤s2、将金属源、反应衬底分别置于所述第二温区、所述第三温区，保持预设时间，将所得反应产物置于液氮中冷却，得到高熵硫化物；
5、其中，所述金属源由三氧化钼、五氧化二钽、二氧化钒、三氧化钨和二氧化钛混合而成；所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区沿着所述载气的流向依次排布，所述第一温度为300-350℃，所述第二温度为850-950℃，所述第三温度为1050-1100℃。
6、可选地，所述金属源中，
7、可选地，所述硫粉与所述金属源的质量之比为(4-6)：1。
8、可选地，所述步骤s2中，所述预设时间为15-30min。
9、可选地，所述步骤s1中，所述载气为氮气。
10、可选地，所述载气的流速为35-55sccm。
11、可选地，所述步骤s2中，所述反应衬底的材质包括蓝宝石、硅和氮化铝中的一种。
12、可选地，所述反应衬底的材质为蓝宝石。
13、本专利技术还提供了一种高熵硫化物，采用如上所述的高熵硫化物的制备方法制成。
14、本专利技术还提供了一种如上所述的高熵硫化物在光电
的应用。
15、与现有技术相比，本专利技术以三氧化钼、五氧化二钽、二氧化钒、三氧化钨和二氧化钛的混合物为金属源，以硫粉为硫源，通过预先将第二温区、第三温区分别升温至850-950℃、1050-1100℃，然后将金属源、反应衬底分别置于第二温区、第三温区，能够实现金属源和反应衬底的快速升温，反应结束后通过液氮对反应产物进行快速冷却，能够避免制得的高熵硫化物发生元素偏析。另外，本专利技术提供的二维高熵硫化物具有较佳的光电响应性能，在光电
具有广泛的应用前景。
【技术保护点】
1.一种高熵硫化物的制备方法，其特征在于，基于具有第一温区、第二温区和第三温区的高温管式炉，包括：
2.根据权利要求1所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述金属源中，所述三氧化钼、所述五氧化二钽、所述二氧化钒、所述三氧化钨和所述二氧化钛的质量之比为(4-6)：(0.9-1.1)：(0.9-1.1)：(4-6)：1。
3.根据权利要求2所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述硫粉与所述金属源的质量之比为(4-6)：1。
4.根据权利要求1所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述预设时间为15-30min。
5.根据权利要求1所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述载气为氮气。
6.根据权利要求1所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述载气的流速为35-55sccm。
7.根据权利要求1所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述反应衬底的材质包括蓝宝石、硅和氮化铝中的一种。
8.根据权利要求7所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于
9.一种高熵硫化物，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的高熵硫化物的制备方法制成。
10.一种如权利要求9所述的高熵硫化物在光电技术领域的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种高熵硫化物的制备方法，其特征在于，基于具有第一温区、第二温区和第三温区的高温管式炉，包括：
2.根据权利要求1所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述金属源中，所述三氧化钼、所述五氧化二钽、所述二氧化钒、所述三氧化钨和所述二氧化钛的质量之比为(4-6)：(0.9-1.1)：(0.9-1.1)：(4-6)：1。
3.根据权利要求2所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述硫粉与所述金属源的质量之比为(4-6)：1。
4.根据权利要求1所述的高熵硫化物的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述预设时间为15-30min。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：王然，李小峰，张幸红，韩杰才，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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