System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种循环原位沉积Parylene和ALD的设备制造技术_技高网

一种循环原位沉积Parylene和ALD的设备制造技术

技术编号:44050523 阅读:3 留言:0更新日期:2025-01-17 15:55
一种循环原位沉积Parylene和ALD的设备,包括破空阀门、真空泵、冷阱、ALD进气、Parylene进气、阀门、圆形托盘、Parylene沉积腔室、ALD腔室,其中Parylene沉积腔室和ALD腔室通过真空腔实现互连,并且在腔室连接处设有阀门,样品置于圆形托盘上,在腔室内由磁杆控制托盘进行循环转动。本发明专利技术为一种循环沉积Parylene和ALD的设备,使用自动化设备进行控制,设备利用率高,无需人工不断地在两种沉积工艺间切换,大大缩短了总的工艺时间。同时采用温度分区设置,允许对不同沉积工艺的温度进行独立设置,可以确保Parylene沉积和ALD在最佳温度条件下进行,实现薄膜在样品表面的均匀生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到parylene薄膜沉积工艺和ald工艺,通过磁杆控制旋转,实现样品表面parylene和ald的循环沉积镀膜,一种循环原位沉积parylene和ald的设备。


技术介绍

1、parylene薄膜沉积是一种通过化学气相沉积(cvd)工艺将parylene聚合物沉积在基材表面,形成均匀且连续的薄膜的技术,所沉积的薄膜具有优异的电绝缘性、化学惰性以及防潮防水的效果。ald是一种基于自限性表面反应的薄膜沉积技术,能够在原子层级精确控制薄膜厚度和组成,所沉积的薄膜具有高度的均匀性和可重复性。将parylene薄膜沉积工艺与ald技术结合,可以综合利用两种工艺的优势,得到兼具两者优点的复合薄膜,提高薄膜的性能,满足不同应用的需求。例如,通过ald在电子器件表面先沉积一层金属氧化物或氮化物薄膜,如al2o3或tin,再沉积一层parylene薄膜,可以提供双重保护,提高器件的耐磨性和防腐蚀性能;在环境传感器和其他敏感电子器件上,结合使用parylene薄膜和ald薄膜,可以提供优异的阻水性能,确保传感器在潮湿环境中的稳定工作。这种技术可以进一步提高薄膜的性能。

2、现有的技术在结合parylene薄膜沉积工艺和ald工艺时,需要不断地在两种沉积工艺间切换,并且需要不断地对设备进行清洁和测试,导致现有技术的设备利用率低,时间成本高。

3、此外,parylene沉积所需温度通常在室温左右,而使用ald工艺沉积常见氧化物如al2o3的沉积温度在约150°c到300°c之间,两种不同的温度要求导致现有技术在结合两种工艺时难以找到兼容的温度。

4、同时,parylene的单体和ald前驱体对空气非常敏感,空气中的尘埃和颗粒物在沉积过程中进入反应腔室,将导致薄膜表面形成缺陷或不均匀区域,影响薄膜的质量。为了避免空气干扰,parylene和ald沉积过程通常需要在高真空条件下进行,这对结合两种工艺的系统的密封性提出了更高的要求。


技术实现思路

1、基于以上现有技术中的问题,本专利技术提供一种循环原位沉积parylene和ald的设备,由磁杆控制托盘依次重复经过parylene沉积腔室-真空腔-ald沉积腔室-真空腔,从而实现在样品表面parylene和ald的循环沉积,实现镀膜。解决了parylene沉积工艺和ald工艺结合过程中存在的设备利用率低且时间成本高的效率问题,以及不同沉积温度要求导致的温度兼容问题和存在的空气干扰的问题。

2、本专利技术采用的技术方案是:

3、一种循环原位沉积parylene和ald的设备,包括破空阀门、真空泵、冷阱、ald进气、parylene进气、阀门、圆形托盘、parylene沉积腔室、ald腔室,其中样品置于圆形托盘上,在腔室内由磁杆控制托盘进行循环转动,实现在样品表面镀膜。

4、进一步的,parylene沉积腔室和ald腔室设有破空阀门。

5、进一步的,不同沉积腔室间通过真空腔实现互连,并且在腔室连接处设有阀门。

6、进一步的,parylene沉积腔室通过冷阱与真空泵实现连接,从而实现剩余的parylene单体的收集和对真空泵的保护。

7、本专利技术达到了以下技术效果:本专利技术为一种循环沉积parylene和ald的设备,使用自动化设备进行控制,设备利用率高,无需不断地在两种沉积工艺间切换,简化了工艺流程,减少了人工干预,大大缩短了总的工艺时间。

8、本专利技术采用温度分区设置,允许对不同沉积工艺的温度进行独立设置,可以确保parylene沉积和ald在最佳温度条件下进行,实现薄膜在样品表面的均匀生长,最大限度地减少副反应的发生,提高薄膜的质量和性能。并且可以根据不同材料和应用的需求,灵活调整温度设置,优化工艺参数,实现更精确的过程控制。

9、本专利技术采用真空互连系统,腔室内部保持在高真空状态,可以有效防止外界空气中的灰尘和其他杂质进入反应腔室干扰沉积过程。沉积的薄膜表面光滑,缺陷少,具有更高的纯度,能够明显改善薄膜的表面质量和性能。

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【技术保护点】

1.一种循环原位沉积Parylene和ALD的设备,其特征是:包括1、破空阀门;2、真空泵;3、冷阱;4、ALD进气;5、Parylene进气;6、阀门;7、圆形托盘;8、Parylene沉积腔室;9、ALD腔室。其中样品置于圆形托盘上,在腔室内由磁杆控制托盘进行循环转动,实现在样品表面镀膜。

2.根据权利要求1所述的循环原位沉积Parylene和ALD的设备,其特征是:Parylene沉积腔室和ALD腔室设有破空阀门。

3.根据权利要求1所述的循环原位沉积Parylene和ALD的设备,其特征是:不同沉积腔室间通过真空腔实现互连,并且在腔室连接处设有阀门。

4.根据权利要求1所述的循环原位沉积Parylene和ALD的设备,其特征是:Parylene沉积腔室通过冷阱与真空泵实现连接,从而实现剩余的Parylene单体的收集和对真空泵的保护。

【技术特征摘要】

1.一种循环原位沉积parylene和ald的设备,其特征是:包括1、破空阀门;2、真空泵;3、冷阱;4、ald进气;5、parylene进气;6、阀门;7、圆形托盘;8、parylene沉积腔室;9、ald腔室。其中样品置于圆形托盘上,在腔室内由磁杆控制托盘进行循环转动,实现在样品表面镀膜。

2.根据权利要求1所述的循环原位沉积parylene和ald的设备,其特征是:pary...

【专利技术属性】
技术研发人员:张岳杜新伍张金刚
申请(专利权)人:上海派拉纶生物技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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